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인덕터, 질식, 코일 (2556)
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| B82422H1182K000 | - | | 8896 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.094 "(2.40mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | - | 1210 (3225 메트릭) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 2,000 | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 1.8 µh | - | - | - | ||||||||||||||
| B82422A1273K100 | 0.4500 | | 453 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.083 "(2.10mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 15MHz | 1210 (3225 메트릭) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 2,000 | 120 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 27 µh | - | 3.7ohm | 27 @ 2.52MHz | 100 kHz | ||||||||||||
 | B82442T1185J50 | - | | 7026 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.220 "L x 0.197"W (5.60mm x 5.00mm) | 0.209 "(5.30mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 1.4MHz | 2220 (5650 5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 1,500 | 110 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 1.8 mh | 183ma | 19.7ohm | 30 @ 252khz | 252 kHz | ||||||||||||
| B82464P4224M000 | 2.0700 | | 333 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B82464P4 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -55 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.409 "L x 0.409"W (10.40mm x 10.40mm) | 0.189 "(4.80mm) | 표면 표면 | 비표준 | 드럼 드럼, 코어 | - | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 750 | 700 MA | 차폐 | 페라이트 | 220 µh | 750ma | 440mohm Max | - | 100 kHz |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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