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인덕터, 질식, 코일 (2556)
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| B82422T1471K000 | 0.5100 | | 3 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.083 "(2.10mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 400MHz | 1210 (3225 메트릭) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 2,000 | 450 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 470 NH | - | 300mohm Max | 30 @ 25.2MHz | 25.2 MHz | ||||||||||||
 | B78108S1393K000 | 0.3500 | | 11 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | 기원전 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | - | - | 0.157 "dia x 0.362"L (4.00mm x 9.20mm) | - | 구멍을 구멍을 | 축 | 드럼 드럼, 코어 | 8MHz | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 5,000 | 470 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 39 µh | - | 1.02ohm max | 50 @ 2.52MHz | 2.52 MHz | ||||||||||||
| B82422A1823K108 | 0.2012 | | 2899 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.083 "(2.10mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 8MHz | 1210 (3225 메트릭) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 8,000 | 70 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 82 µh | - | 10ohm Max | 27 @ 2.52MHz | 100 kHz | ||||||||||||
 | B82464P4474M000 | 2.0600 | | 367 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B82464P4 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -55 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.409 "L x 0.409"W (10.40mm x 10.40mm) | 0.189 "(4.80mm) | 표면 표면 | 비표준 | 드럼 드럼, 코어 | - | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 750 | 500 MA | 차폐 | 페라이트 | 470 µh | 550ma | 930mohm Max | - | 100 kHz | ||||||||||||
 | B82472D6472M000 | 1.8100 | | 3 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B82472d6 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -55 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.287 "L x 0.287"W (7.30mm x 7.30mm) | 표면 표면 | 비표준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 1,000 | 차폐 | 0.189 "(4.80mm) | 2 | 26.5mohm Max | 106mohm max | 4.7 µh | 18.8 µh | 3.3 a | 5.45 a | 2.725 a | ||||||||||||||
| B82462G4334M000 | 1.6000 | | 31 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B82462G4 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -55 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.248 "L x 0.248"W (6.30mm x 6.30mm) | 0.118 "(3.00mm) | 표면 표면 | 비표준 | 드럼 드럼, 코어 | - | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.4000 | 2,500 | 270 MA | 차폐 | 페라이트 | 330 µh | 220MA | 2.3ohm | - | 100 kHz | ||||||||||||
| B82464A2102M | - | | 3477 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B82464A2 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 20% | -55 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.409 "L x 0.409"W (10.40mm x 10.40mm) | 0.118 "(3.00mm) | 표면 표면 | 비표준 | 드럼 드럼, 코어 | 100kHz | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | B82464A2102M000 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 1,250 | 6.8 a | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 1 µh | 9.5A | 10mohm Max | - | 100 kHz |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
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표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
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