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| B82496C3820J000 | 0.4000 | | 22 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.063 "L x 0.031"W (1.60mm x 0.80mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 0603 (1608 메트릭) | 드럼 드럼, 코어 | 2GHz | 0603 (1608 메트릭) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 4,000 | 220 MA | 차폐되지 차폐되지 | 세라믹 | 82 NH | - | 1.5ohm | 14 @ 100MHz | 100MHz | |||
| B82498F3150J001 | 0.2486 | | 5834 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.091 "L x 0.067"W (2.30mm x 1.70mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 비표준 | 드럼 드럼, 코어 | 3.3GHz | 0805 (2012 5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.4000 | 6,000 | 650 MA | 차폐되지 차폐되지 | 세라믹 | 15 NH | - | 130mohm Max | 50 @ 500MHz | 250MHz | |||
 | B82559B2102A016 | 5.5800 | | 569 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | eru16--와이어 인덕터 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -40 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.681 "LX 0.650"W (17.30mm x 16.50mm) | 0.297 "(7.55mm) | 표면 표면 | 비표준, 3 리드 | 드럼 드럼, 코어 | - | - | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 300 | 36 a | 차폐 | 페라이트 | 1 µh | 40.4a | 1mohm | - | 100 kHz | ||
| B82442T1125J000 | 0.5276 | | 1427 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.220 "L x 0.197"W (5.60mm x 5.00mm) | 0.209 "(5.30mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | - | 1.7MHz | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 495-B82442T1125J000tr | 귀 99 | 8504.50.8000 | 1,500 | 140 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 1.2 MH | 290ma | 12.6ohm Max | 30 @ 252khz | 252 kHz |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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