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인덕터, 질식, 코일 (2556)
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| B82432C1824K000 | 0.3906 | | 2300 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.177 "L x 0.126"W (4.50mm x 3.20mm) | 0.134 "(3.40mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 3MHz | 1812 (4532 메트릭) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 5,000 | 60 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 820 µh | - | 28ohm Max | 30 @ 796kHz | 100 kHz | |||
 | B82442H1562K000 | - | | 9955 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.220 "L x 0.197"W (5.60mm x 5.00mm) | 0.209 "(5.30mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 26MHz | 2220 (5650 5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 3,000 | 1.25 a | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 5.6 µh | - | 104mohm max | 10 @ 7.96MHz | 7.96 MHz | |||
 | B82496C3121G000 | 0.6800 | | 6 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.063 "L x 0.031"W (1.60mm x 0.80mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 0603 (1608 메트릭) | 드럼 드럼, 코어 | 1.8GHz | 0603 (1608 메트릭) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.4000 | 4,000 | 160 MA | 차폐되지 차폐되지 | 세라믹 | 120 NH | - | 3ohm Max | 5 @ 25.2MHz | 25.2 MHz |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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