IXYS IXFK94N50P2+BOM
그만큼IXYS IXFK94N50P2N- 채널 향상 - 모드 전력 MOSFET입니다. 빠른 고유 다이오드, 동적 DV/DT 등급 및 눈사태 등급을 특징으로합니다. 낮은 RDS (on) ≤55mΩ 및 QG가 낮 으면 전력 손실이 줄어 듭니다. 낮은 인덕턴스 패키지는 성능을 향상시킵니다. 스위치 - 모드 전원 공급 장치, DC- DC 컨버터 및 모터 드라이브에 이상적이며, 높은 전력 밀도 및 공간 절약을 제공합니다.
IXYS IXFK94N50P2의 기능
빠른 고유 다이오드
이 기능을 사용하면 장치가 회로에서 빠르게 응답하여 스위칭 속도를 향상시키고 역 복구 시간을 줄일 수 있습니다. 고주파 스위칭 전원 공급 장치와 같은 고전력 속도의 응용 프로그램에 적합합니다.
동적 DV/DT 등급
전압 변화를 견딜 수있는 장치의 탁월한 기능을 나타내므로 빠른 전압 변동이있는 환경에서 안정적인 작동을 보장합니다. 이는 전압 과도로 인한 오작동 또는 손상을 방지하여 회로 신뢰성을 보호합니다.
눈사태 등급
이 장치는 눈사태 고장 조건에서 일정량의 에너지를 견딜 수 있으며 과전압과 같은 극한 시나리오의 신뢰성을 높이고 눈사태 고장으로 인한 손상 위험을 줄입니다.
낮은 RDS (on) 및 QG
낮은 RDS (on)전도 중 전력 손실을 줄여 회로 효율이 향상됩니다.
낮은 QG장치를 구동하는 데 필요한 에너지를 최소화하고 드라이버 회로에서 전력 소비를 낮추고 전체 시스템 에너지 효율을 향상시킵니다.
낮은 패키지 인덕턴스
인덕턴스로 인한 전압 스파이크 및 전자기 간섭 (EMI)을 감소시켜 회로 안정성 및 노이즈 면역을 향상시킵니다. 이는 더 나은 회로 성능과 신뢰성에 기여합니다.
IXYS IXFK94N50P2의 응용 프로그램
스위치 모드 및 공명 모드 전원 공급 장치: 스위치 모드 전원 공급 장치 (SMP)에서 낮은 저항 RDS (ON) ≤55MΩ는 전도 손실을 줄이고 전력 변환 효율을 향상시킬 수 있습니다. 빠른 고유 다이오드와 높은 DV/DT 등급은 고주파 전환의 요구 사항을 충족하고 스위칭 손실을 줄이며 전력 출력을보다 안정적으로 만듭니다. 공명 모드 전원 공급 장치에서 장치의 특성은 소프트 스위칭을 달성하여 스위칭 노이즈 및 손실을 줄이고 전원 공급 장치의 전반적인 성능을 향상시키는 데 도움이됩니다.
DC-DC 변환기: DC-DC 변환기는 종종 전기 에너지의 효율적인 변환이 필요합니다. 장치의 낮은 RD (ON) 및 낮은 게이트 충전 QG 특성은 전력 손실을 줄이고 변환 효율을 향상시킬 수 있습니다. 빠른 스위칭 속도를 통해 고주파 작동에 적응하여 자기 구성 요소의 크기와 무게를 줄이고 컨버터의 소형화를 달성 할 수 있습니다.
배터리 충전기: 배터리 충전 과정에서 전류 및 전압의 정확한 제어가 필요합니다. 이 장치는 고전압과 큰 전류 하에서 안정적으로 작동 할 수 있습니다. 저항성이 낮 으면 충전 프로세스 중에너지 손실이 줄어들고 충전 효율이 향상되며 충전 시간이 단축됩니다. 눈사태 등급 특성은 회로 신뢰성을 향상시키고 비정상적인 충전 효과로부터 장치를 보호합니다.
중단없는 전원 공급 장치 (UPS): Mains 전원이 실패하면 UPS는 배터리 전원 공급 장치로 빠르게 전환해야합니다. 이 MOSFET의 빠른 스위칭 속도는 빠른 스위칭을 달성하여 하중의 전원을 유지할 수 있도록합니다. 고전력 밀도 및 낮은 패키지 인덕턴스 특성은 복잡한 작업 조건 하에서 UPS의 안정적인 작동을 보장하여 중요한 장비에 대한 안정적인 백업 전원 공급 장치를 제공합니다.
AC 및 DC 모터 드라이브: AC 및 DC 모터를 구동 할 때는 큰 전류와 전압을 제어해야합니다. 장치의 고전류 처리 기능 (ID25 = 94A, IDM = 240A)은 모터 시작 및 작동 요구 사항을 충족합니다. 저항성이 낮 으면 모터 드라이브 손실이 줄어들고 시스템 효율성이 향상됩니다. 눈사태 등급과 빠른 고유 다이오드 특성은 모터의 후면 전자력으로부터 장치를 보호합니다.
고속 전력 스위칭 응용 프로그램: 고주파 전력 증폭기 및 펄스 전원 공급 장치와 같은 빠른 전환이 필요한 전력 회로에서 고속 다이오드 및 높은 DV/DT 등급은 고속 스위칭 작업을 가능하게합니다. 낮은 게이트 전하는 드라이브 회로의 전력 소비를 줄이고 전체 시스템 성능을 향상시킵니다.
IXYS IXFK94N50P2의 속성
| ROHS 코드 | 예 | 파트 수명주기 코드 | 활동적인 |
| IHS 제조업체 | Littelfuse Inc | 패키지 설명 | TO-264, 3 핀 |
| 준수 코드에 도달하십시오 | 준수 | ECCN 코드 | 귀 99 |
| Samacsys 제조업체 | littelfuse | 추가 기능 | 눈사태 등급 |
| 눈사태 에너지 등급 (EA) | 3500 MJ | 케이스 연결 | 물을 빼다 |
| 구성 | 내장 다이오드가있는 싱글 | DS 파괴 전압- | 500 v |
| 배수 current-max (abs) (id) | 94 a | 전류-선식 (ID) 배수 | 94 a |
| 저항 함에서 배수 소스 | 0.055 Ω | FET 기술 | 금속 산화물 반도체 |
| JEDEC-95 코드 | TO-264AA | JESD-30 코드 | R-PSFM-T3 |
| JESD-609 코드 | E1 | 요소 수 | 1 |
| 터미널 수 | 3 | 작동 모드 | 향상 모드 |
| 작동 온도 학습 | 150 ° C | 패키지 바디 재료 | 플라스틱/에폭시 |
| 패키지 모양 | 직사각형 | 패키지 스타일 | 플랜지 마운트 |
| 피크 리플 로우 온도 (셀) | 260 | 극성/채널 유형 | n 채널 |
| 전력 소실-균관 (ABS) | 1300 w | 펄스 드레인 전류-함량 (IDM) | 240 a |
| 자격 상태 | 자격이 없습니다 | 표면 마운트 | 아니요 |
| 터미널 마감 | 주석은 구리 | 터미널 형태 | 통로 |
| 터미널 위치 | 하나의 | Time@Peak Reflow 온도 용량 (S) | 10 |
| 트랜지스터 응용 프로그램 | 전환 | 트랜지스터 요소 재료 | 규소 |
| 제조업체 | ixys | 제품 카테고리 | MOSFET |
| 로스 | 세부 | 기술 | 시 |
| 장착 스타일 | 구멍을 통해 | 패키지 / 케이스 | TO-264-3 |
| 트랜지스터 극성 | n 채널 | 채널 수 | 1 채널 |
| VDS- 드레인 소스 고장 전압 | 500 v | ID- 연속 드레인 전류 | 94 a |
| RDS ON- 배수 소스 저항 | 55 Mohms | VGS- 게이트 소스 전압 | -30 V, + 30 v |
| VGS TH- 게이트 소스 임계 값 전압 | 3 v | QG- 게이트 요금 | 228 NC |
| 최소 작동 온도 | -55 c | 최대 작동 온도 | + 150 c |
| PD- 전력 소산 | 1.3kW | 채널 모드 | 상승 |
| 상인 이름 | Hiperfet | 시리즈 | IXFK94N50 |
| 상표 | ixys | 제품 유형 | MOSFET |
| 공장 팩 수량 | 25 | 하위 범주 | MOSFETS |
| 트랜지스터 유형 | 1 N 채널 | 유형 | Polarp2 hiperfet |
| 단위 중량 | 0.352740 온스 |
IXYS IXFK94N50P2의 데이터 시트
IXYS IXFK94N50P2의 핀아웃
-264 패키지 핀 정보
- 핀 1: 게이트 (G로 약어)이며, 이는 제어 단자 역할을합니다. 다른 전압을 적용함으로써 MOSFET의 ON -OFF 상태를 제어합니다. 게이트 전압을 변경하면 채널의 전도도를 조정하여 드레인과 소스 사이의 전류의 크기를 제어 할 수 있습니다.
- 핀 2와 4: 둘 다 배수구입니다 (D로 약칭). 회로에서 배수는 전류 출력 단자이며 하중 또는 기타 회로 구성 요소에 연결됩니다. 고전압과 전류를 견딜 수 있습니다. 전원 공급 장치 및 모터 드라이브 스위칭과 같은 응용 분야에서 배수 전류 및 전압 변화의 크기는 회로 성능에 영향을 미칩니다.
- 핀 3: 소스 (s로 약어)이며, 이는 현재 입력 단자입니다. 전원 공급 장치 또는 접지의 네거티브 터미널에 연결되어 전류의 정상적인 흐름을 보장하고 회로 기능을 실현하기 위해 회로의 기준 전위를 제공합니다.
Plus247 패키지 핀 정보
- 핀 1: 게이트 (G로 약어)이며, 그 기능은 MOSFET의 켜기 상태를 제어하는 데 사용되는 TO -264 패키지의 게이트와 동일합니다.
- 핀 2: 배수구입니다 (D로 약칭). 전류 출력 단자로서, 회로의 하중 또는 다른 부분에 연결되며 회로에 큰 전류와 전압이 있습니다.
- 핀 3: 소스입니다 (s로 약칭). 전류 입력 터미널로서, 회로의 안정적인 흐름을 보장하고 회로의 정상 작동을 유지하기 위해 회로에 대한 낮은 잠재적 기준점을 제공합니다.
IXYS IXFK94N50P2카테고리- 단일 페트
단일 페트 (필드 효과 트랜지스터)는 현대 전자 회로에서 중요한 구성 요소입니다. 고유 한 전압 제어 전류 특성을 활용하여 다양한 회로 응용 분야에서 대체 할 수없는 역할을합니다. 신호 증폭 회로에서 약한 전기 신호를 정확하게 증폭시킵니다. 회로를 스위칭 할 때는 빠른 전도 및 컷오프를 통해 전류 흐름을 제어 할 수 있습니다. 입력 임피던스가 높기 때문에 이전 회로에 미치는 영향을 최소화하여 신호 왜곡을 효과적으로 줄이고 회로 성능을 향상시킵니다.
N- 채널 및 P 채널과 같은 다른 유형의 단일 페트는 다양한 회로 요구 사항을 충족시킵니다. N- 채널 페트는 양의 전원 공급 시스템에 널리 사용되며 큰 전류를 효율적으로 처리합니다. 그만큼IXYS IXFK94N50P2뛰어난 N- 채널 향상 모드 전력 MOSFET입니다. 저항성 (RDS)이 낮아서 전도 손실을 크게 줄이고 회로 효율을 향상시킵니다. 고속 다이오드와 높은 DV/DT 등급은 고주파 전환 시나리오에서 안정적인 작동을 보장합니다. 또한 눈사태 등급 특성은 신뢰성을 향상시켜 스위칭 모드 전원 공급 장치 및 모터 드라이브와 같은 응용 프로그램에서 뛰어나며 수많은 회로 설계에 신뢰할 수있는 구성 요소 선택을 제공합니다.
IXFK94N50P2의 제조업체 -IXYS
IXYS는 단일 FETS 도메인에서 놀라운 성과를 거두었습니다. IXFK94N50P2 및 IXFX94N50P2 N- 채널 향상 모드 전력 MOSFET과 같은 제품이 주요 예입니다. 이 장치는 빠른 고유 다이오드를 특징으로하여 빠른 전환을 가능하게하여 고주파 응용 분야에서 전력 손실을 줄입니다. 그들의 눈사태 - 정격 설계는 가혹한 조건에서 신뢰성을 향상시켜 Fets를 전압 서지로부터 보호합니다.
RDS (ON)와 QG가 낮은 IXYS의 단일 페트는 전류 흐름을 효율적으로 제어하여 전력 밀도와 에너지를 더욱 저축 할 수 있습니다. 이러한 특성은 스위치 모드 및 공진 - 모드 전원 공급 장치, DC- DC 변환기 및 모터 드라이브를 포함한 광범위한 응용 프로그램에 이상적입니다.
또한, IXYS는 MOSFET 및 IGBT와 관련된 수많은 미국 특허를 보유하고있어 혁신에 대한 강력한 헌신을 나타냅니다. IXYS는 장치 성능을 지속적으로 개선하고 응용 프로그램 시나리오를 확장함으로써 단일 FETS 시장의 주요 힘으로 확고하게 설립했습니다.
사양 비교 : IXFK94N50P2 대 IXFK90N60X 대 IXFK90N20
<td style = "Border-Color : RGB (221, 221, 221);" 너비 = "422"
| 그림 |  |  |  |
| 부품 번호 | IXFK94N50P2+BOM | IXFK90N60X+BOM | IXFK90N20+BOM |
|---|---|---|---|
| 제조업체 | littelfuse | littelfuse | ixys Corporation |
| 패키지 | TO-264-3 | TO-264-3 | to264-3 |
| 설명 | N- 채널 500 V 94A (TC) 1300W (TC) 홀 TO-264AA (IXFK) | MOSFET DISCMSFT NCH ULTRJNCTN XCLASS TO-264 (3) | 제품 IXFK90N20은 90A를 처리 할 수있는 고전압 MOSFET입니다. |
| 재고 | 2432 | 2466 | 8979 |
| 배수 소스 전압 (V) | 500 | 600 | 200 |
| 최대 내 저항 @ 25 ℃ (OHM) | 0.055 | 0.038 | 0.02 |
| 연속 드레인 전류 @ 25 current (a) | 94 | 90 | 90 |
| 게이트 요금 (NC) | 228 | 210 | 380 |
| 입력 커패시턴스, CISS (PF) | 14200 | 8500 | 9000 |
| 열 저항 [Junction-Case] (k/w) | 0.096 | 0.113 | 0.25 |
| 구성 | 하나의 | 하나의 | 하나의 |
| 패키지 유형 | TO-264 | TO-264K | TO-264 |
| 전력 소실 (W) | 1300 | 1100 | 500 |
| 샘플 요청 | 아니요 | 아니요 | 예 |
| 최대 리버스 복구 (NS) | 250 | 200 | |
| 주식을 확인하십시오 | 태그 : IXFK94N50P2 IXYS
|
위시리스트 (0 항목)