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불연속 불연속 제품 (3563)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
SZ3C150 Diotec Semiconductor SZ3C150 0.1133
RFQ
 ECAD 2246 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF 3 w Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-SZ3C150TR 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 75 v 150 v 100 옴
ES3D-AQ Diotec Semiconductor ES3D-AQ 0.3970
RFQ
 ECAD 4216 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 SMC (DO-214AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-es3d-aqtr 8541.10.0000 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 900 mV @ 3 a 20 ns 5 µa @ 200 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A -
FE3G Diotec Semiconductor fe3g 0.2417
RFQ
 ECAD 4603 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 기준 Do-201 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-FE3GTR 8541.10.0000 1,700 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 3 a 50 ns 5 µa @ 400 v -50 ° C ~ 175 ° C 3A -
P600B-CT Diotec Semiconductor P600B-CT 5.0000
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 구멍을 구멍을 p600, 축, P600B 기준 P600 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-P600B-CT 8541.10.0000 12 짐 100 v 1.1 v @ 6 a 1.5 µs 10 µa @ 100 v -50 ° C ~ 175 ° C 6A -
ZPY5.6 Diotec Semiconductor zpy5.6 0.0986
RFQ
 ECAD 2259 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-41, 축 방향 1.3 w DO-41/DO-204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-zpy5.6tr 8541.10.0000 5,000 3 µa @ 500 mV 5.6 v 1 옴
MM3Z20 Diotec Semiconductor MM3Z20 0.0304
RFQ
 ECAD 9652 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-mm3z20tr 8541.10.0000 3,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 15 v 20 v 55 옴
BZT52B24 Diotec Semiconductor BZT52B24 0.0355
RFQ
 ECAD 7095 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BZT52B24TR 8541.10.0000 12,000 100 na @ 17 v 24 v 120 옴
SL54-3G Diotec Semiconductor SL54-3G 0.1786
RFQ
 ECAD 7575 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-SL54-3GTR 8541.10.0000 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 440 mV @ 5 a 140 µa @ 40 v -50 ° C ~ 150 ° C 5a -
SB290 Diotec Semiconductor SB290 0.1051
RFQ
 ECAD 1143 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 Schottky DO-15 (DO-204AC) 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-SB290TR 8541.10.0000 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 790 MV @ 2 a 500 µa @ 90 v -50 ° C ~ 150 ° C 2A -
BYW27-100 Diotec Semiconductor BYW27-100 0.1108
RFQ
 ECAD 7103 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-41, 축 방향 기준 DO-41/DO-204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-byw27-100tr 8541.10.0000 5,000 짐 100 v 1.3 v @ 1 a 1.5 µs 200 na @ 100 v -50 ° C ~ 175 ° C 1A -
MMS3Z16BGW Diotec Semiconductor MMS3Z16BGW 0.0333
RFQ
 ECAD 4200 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 300MW SOD-323 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-MMS3Z16BGWTR 8541.10.0000 3,000 100 na @ 11.2 v 15.68 v 40
FR2G Diotec Semiconductor FR2G 0.0930
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-FR2GTR 8541.10.0000 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 2 a 150 ns 5 µa @ 400 v -50 ° C ~ 150 ° C 2A -
BZX84C2V7 Diotec Semiconductor BZX84C2V7 0.0301
RFQ
 ECAD 135 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-BZX84C2V7TR 8541.10.0000 3,000 20 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
MM3Z12 Diotec Semiconductor MM3Z12 0.0304
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-mm3z12tr 8541.10.0000 3,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 9 v 12 v 25 옴
FR1G Diotec Semiconductor FR1G 0.0230
RFQ
 ECAD 7966 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC, SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-FR1GTR 8541.10.0000 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 400 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
SKL38 Diotec Semiconductor SKL38 0.1322
RFQ
 ECAD 4942 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F Schottky SOD-123F (SMF) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-Skl38tr 8541.10.0000 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 80 v 850 mV @ 3 a 200 µa @ 80 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A -
ZMM15B Diotec Semiconductor ZMM15B 0.0358
RFQ
 ECAD 4205 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW SOD-80C 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-zmm15btr 8541.10.0000 2,500 100 na @ 11 v 15 v 30 옴
SM4002 Diotec Semiconductor SM4002 0.0523
RFQ
 ECAD 1014 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AB, MELF 기준 Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2721-SM4002TR2 8541.10.0000 5,000 짐 100 v 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 5 µa @ 100 v -50 ° C ~ 175 ° C 1A -
FT2000AB Diotec Semiconductor FT2000AB 2.5469
RFQ
 ECAD 115 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 요청시 요청시 도달하십시오 2721-FT2000AB 8541.10.0000 10 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 960 MV @ 20 a 200 ns 5 µa @ 100 v -50 ° C ~ 150 ° C 20A -
P1000A-CT Diotec Semiconductor P1000A-CT 1.5790
RFQ
 ECAD 542 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 구멍을 구멍을 p600, 축, P1000A 기준 P600 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-P1000A-CT 8541.10.0000 12 짐 50 v 1.05 V @ 10 a 1.5 µs 10 µa @ 50 v -50 ° C ~ 175 ° C 10A -
KYW25K4 Diotec Semiconductor KYW25K4 2.0542
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 맞는를 누르십시오 DO-208AA 기준 DO-208 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-KYW25K4 8541.10.0000 500 짐 400 v 1.1 v @ 25 a 1.5 µs 100 µa @ 400 v -50 ° C ~ 175 ° C 25A -
MMBTA94A Diotec Semiconductor MMBTA94A 0.0550
RFQ
 ECAD 6696 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 350 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-mmbta94atr 8541.21.0000 3,000 400 v 500 MA PNP 2MA, 20MA 250MV 45 @ 30MA, 10V 50MHz
BZX84C3V3-AQ Diotec Semiconductor BZX84C3V3-AQ 0.0333
RFQ
 ECAD 5883 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BZX84C3V3-AQTR 8541.10.0000 3,000 5 µa @ 1 v 3.3 v 95 옴
BZT52B33 Diotec Semiconductor BZT52B33 0.0355
RFQ
 ECAD 5325 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BZT52B33TR 8541.10.0000 12,000 100 na @ 23 v 33 v 250 옴
ZMC3.0 Diotec Semiconductor ZMC3.0 0.0442
RFQ
 ECAD 4179 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 2-SMD,, 없음 500MW 마이크로 마이크로 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-zmc3.0tr 8541.10.0000 2,500 4 µa @ 1 v 3 v 85 옴
KYW35K6 Diotec Semiconductor KYW35K6 2.2504
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 맞는를 누르십시오 DO-208AA 기준 DO-208 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-Kyw35K6 8541.10.0000 500 짐 600 v 1.1 v @ 35 a 1.5 µs 100 µa @ 600 v -50 ° C ~ 175 ° C 35a -
P600G Diotec Semiconductor P600g 0.1379
RFQ
 ECAD 133 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 p600, 축, 기준 P600 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-P600GTR 8541.10.0000 1,000 짐 400 v 1.1 v @ 6 a 1.5 µs 10 µa @ 400 v -50 ° C ~ 150 ° C 6A -
MMSZ5241B Diotec Semiconductor MMSZ5241B 0.0304
RFQ
 ECAD 4302 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-MMSZ5241BTR 8541.10.0000 3,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 8.4 v 11 v 22 옴
DI5A7N65D1K-AQ Diotec Semiconductor Di5A7N65D1K-AQ -
RFQ
 ECAD 5686 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252AA (DPAK) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-di5a7n65d1k-aqtr 8541.29.0000 1 n 채널 650 v 5.7A (TC) 10V 430mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 18.4 NC @ 10 v ± 30V 722 pf @ 325 v - 36W (TC)
SBX2050 Diotec Semiconductor SBX2050 0.6377
RFQ
 ECAD 9846 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 p600, 축, Schottky P600 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-SBX2050TR 8541.10.0000 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 610 mV @ 20 a 500 µa @ 50 v -50 ° C ~ 150 ° C 20A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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