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불연속 불연속 제품 (3563)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
ZMY51 Diotec Semiconductor ZMY51 0.0764
RFQ
 ECAD 6596 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF 1.3 w Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-ZMY51TR 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 24 v 51 v 25 옴
BZX84B33 Diotec Semiconductor BZX84B33 0.0355
RFQ
 ECAD 7401 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-BZX84B33TR 8541.10.0000 3,000 50 NA @ 23.1 v 33 v 80 옴
BZT52B20 Diotec Semiconductor BZT52B20 0.0355
RFQ
 ECAD 2619 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BZT52B20TR 8541.10.0000 12,000 100 na @ 13 v 20 v 85 옴
SB860 Diotec Semiconductor SB860 0.2499
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 Schottky Do-201 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-SB860TR 8541.10.0000 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 680 mV @ 8 a 500 µa @ 60 v -50 ° C ~ 150 ° C 8a -
S1M Diotec Semiconductor S1M 0.1800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA S1M 기준 SMA/DO-214AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 7,500 짐 1000 v 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 5 µa @ 1000 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
RGL34A Diotec Semiconductor RGL34A 0.0401
RFQ
 ECAD 95 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AA 기준 DO-213AA, 미니 마이프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-RGL34AT 8541.10.0000 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 v @ 500 ma 150 ns 5 µa @ 50 v -50 ° C ~ 175 ° C 500ma -
KYW35A6 Diotec Semiconductor KYW35A6 2.2504
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 구멍을 구멍을 DO-208AA 기준 DO-208 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-KYW35A6 8541.10.0000 500 짐 600 v 1.1 v @ 35 a 1.5 µs 100 µa @ 600 v -50 ° C ~ 175 ° C 35a -
BYP35K6 Diotec Semiconductor byp35k6 1.0878
RFQ
 ECAD 7927 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-208AA 기준 DO-208 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-byp35k6tr 8541.10.0000 12,000 짐 600 v 1.1 v @ 35 a 1.5 µs 100 µa @ 600 v -50 ° C ~ 200 ° C 35a -
M5 Diotec Semiconductor M5 0.0149
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC, SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-m5tr 8541.10.0000 7,500 짐 600 v 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 5 µa @ 600 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
KYZ35K2 Diotec Semiconductor KYZ35K2 1.8521
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 맞는를 누르십시오 DO-208AA 기준 DO-208 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-KYZ35K2 8541.10.0000 500 짐 200 v 1.1 v @ 35 a 1.5 µs 100 µa @ 200 v -50 ° C ~ 175 ° C 35a -
FR2D Diotec Semiconductor FR2D 0.0913
RFQ
 ECAD 1640 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-FR2DTR 8541.10.0000 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 V @ 2 a 150 ns 5 µa @ 200 v -50 ° C ~ 150 ° C 2A -
P600K Diotec Semiconductor P600K 0.1491
RFQ
 ECAD 222 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 p600, 축, 기준 P600 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-P600KTR 귀 99 8541.10.0080 1,000 짐 800 v 1.1 v @ 6 a 1.5 µs 10 µa @ 800 v -50 ° C ~ 150 ° C 6A -
RA356 Diotec Semiconductor RA356 0.3707
RFQ
 ECAD 3884 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 라 기준 라 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-RA356TR 8541.10.0000 10,000 짐 600 v 1.1 v @ 80 a 1.5 µs 5 µa @ 600 v -50 ° C ~ 175 ° C 35a -
SICW40C120 Diotec Semiconductor SICW40C120 31.0886
RFQ
 ECAD 6563 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247 다운로드 rohs 준수 적용 적용 수 할 공급 공급 정의되지 업체는 2796-SICW40C120 8541.10.0000 450 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1 음극 음극 공통 1200 v 20A 1.8 V @ 20 a 0 ns 100 µa @ 1200 v -50 ° C ~ 175 ° C
FRL1A-AQ Diotec Semiconductor frl1a-aq 0.0496
RFQ
 ECAD 9714 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-FRL1A-AQTR 8541.10.0000 3,000 50 v 1A
SM5819 Diotec Semiconductor SM5819 0.1214
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AB, MELF Schottky Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-SM5819tr 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 900 mV @ 3 a 1 ma @ 40 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
S1K Diotec Semiconductor S1K 0.0317
RFQ
 ECAD 135 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC, SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-S1KTR 8541.10.0000 7,500 짐 800 v 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 5 µa @ 800 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
PX1500M-CT Diotec Semiconductor PX1500M-CT 2.1162
RFQ
 ECAD 4596 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 구멍을 구멍을 p600, 축, PX1500 기준 P600 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-PX1500M-CT 8541.10.0000 12 짐 1000 v 1 V @ 15 a 1.5 µs 10 µa @ 1 v -50 ° C ~ 175 ° C 15a -
BYW27-50-CT Diotec Semiconductor BYW27-50-CT 0.4083
RFQ
 ECAD 8280 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-41, 축 방향 BYW27 기준 DO-41/DO-204AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-BYW27-50-CT 8541.10.0000 25 짐 50 v 1.3 v @ 1 a 1.5 µs 200 na @ 50 v -50 ° C ~ 175 ° C 1A -
UFT1500S-AQ Diotec Semiconductor UFT1500S-AQ 1.6691
RFQ
 ECAD 9754 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220AC - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 공급 공급 정의되지 업체는 2796-UFT1500S-AQ 8541.10.0000 1,000 1200 v 15a
SA264 Diotec Semiconductor SA264 0.2154
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AB, MELF 기준 Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-SA264tr 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1800 v 1.8 V @ 2 a 500 ns 5 µa @ 1800 v -50 ° C ~ 175 ° C 2A -
BAV23CA Diotec Semiconductor bav23ca 0.1700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAV23 기준 SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 200 v 225MA 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
ES3GSMB Diotec Semiconductor es3gsmb 0.3602
RFQ
 ECAD 7252 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB 기준 SMB (DO-214AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 8541.10.0000 48,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 3 µA 25 ns 5 a @ 400 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A -
BY500-400 Diotec Semiconductor by500-400 0.1236
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 기준 Do-201 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-by500-400tr 8541.10.0000 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 5 a 200 ns 5 µa @ 400 v -50 ° C ~ 175 ° C 5a -
GL34A-CT Diotec Semiconductor GL34A-CT 0.2412
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 표면 표면 DO-213AA GL34A 기준 DO-213AA, 미니 마이프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-GL34A-CT 8541.10.0000 30 짐 50 v 1.2 v @ 500 ma 1.5 µs 5 µa @ 50 v -50 ° C ~ 175 ° C 500ma -
MM3Z20GW Diotec Semiconductor MM3Z20GW 0.0271
RFQ
 ECAD 9156 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 300MW SOD-323 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-MM3Z20GWTR 8541.10.0000 3,000 100 na @ 14 v 20 v 55 옴
MR826 Diotec Semiconductor MR826 0.1699
RFQ
 ECAD 3905 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 p600, 축, 기준 P600 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-mr826tr 8541.10.0000 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.2 v @ 5 a 300 ns 10 µa @ 600 v -50 ° C ~ 150 ° C 5a -
P2500J Diotec Semiconductor P2500J 0.8233
RFQ
 ECAD 3060 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 p600, 축, P2500 기준 P600 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-P2500JTR 8541.10.0000 1,000 짐 600 v 1.1 v @ 25 a 1.5 µs 10 µa @ 600 v -50 ° C ~ 175 ° C 25A -
ZMM27 Diotec Semiconductor ZMM27 0.0257
RFQ
 ECAD 4606 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW SOD-80C 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-zmm27tr 8541.10.0000 2,500 100 na @ 20 v 27 v 80 옴
1N5401K Diotec Semiconductor 1N5401K 0.3590
RFQ
 ECAD 5577 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 기준 DO15/DO204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 요청시 요청시 도달하십시오 2721-1n5401ktr 8541.10.0000 1,000 짐 100 v 1.1 v @ 3 a 1.5 µs 5 µa @ 100 v -50 ° C ~ 175 ° C 3A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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