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불연속 불연속 제품 (3563)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
KBPC10/15/2506WP Diotec Semiconductor KBPC10/15/2506WP 2.5227
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, KBPC 기준 KBPC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-KBPC10/15/2506WP 8541.10.0000 160 1.2 v @ 12.5 a 10 µa @ 600 v 25 a 단일 단일 600 v
P2000B Diotec Semiconductor P2000B 0.7141
RFQ
 ECAD 4797 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 p600, 축, 기준 P600 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-P2000BTR 8541.10.0000 1,000 짐 100 v 1.1 v @ 20 a 1.5 µs 10 µa @ 100 v -50 ° C ~ 150 ° C 20A -
GBU12D-T Diotec Semiconductor GBU12D-T 1.5875
RFQ
 ECAD 1026 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-GBU12D-T 8541.10.0000 1,000 1 V @ 12 a 5 µa @ 200 v 8.4 a 단일 단일 200 v
SBJ1840 Diotec Semiconductor SBJ1840 0.5526
RFQ
 ECAD 5807 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-SBJ1840 8541.10.0000 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 580 mV @ 18 a 500 µa @ 40 v -50 ° C ~ 150 ° C 18a -
DBI25-18A Diotec Semiconductor DBI25-18A 7.9601
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 5-sip 기준 DBI 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-DBI25-18A 8541.10.0000 15 1.05 V @ 12.5 a 5 µa @ 1800 v 40 a 3 단계 1.8 kV
P600K Diotec Semiconductor P600K 0.1491
RFQ
 ECAD 222 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 p600, 축, 기준 P600 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-P600KTR 귀 99 8541.10.0080 1,000 짐 800 v 1.1 v @ 6 a 1.5 µs 10 µa @ 800 v -50 ° C ~ 150 ° C 6A -
UFT800A Diotec Semiconductor UFT800A 0.7016
RFQ
 ECAD 4358 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-UFT800A 8541.10.0000 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1 V @ 8 a 25 ns 5 µa @ 50 v -50 ° C ~ 150 ° C 8a -
BY399 Diotec Semiconductor by399 0.0951
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 기준 Do-201 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-by399tr 8541.10.0000 1,700 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.2 v @ 3 a 500 ns 5 µa @ 800 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A -
ZMM33 Diotec Semiconductor ZMM33 0.0257
RFQ
 ECAD 292 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW SOD-80C 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-zmm33tr 8541.10.0000 2,500 100 na @ 24 v 33 v 80 옴
Z3SMC150 Diotec Semiconductor Z3SMC150 0.2393
RFQ
 ECAD 9322 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 3 w SMC (DO-214AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-Z3SMC150TR 8541.10.0000 3,000 1 µa @ 75 v 150 v 100 옴
EM513 Diotec Semiconductor EM513 0.0472
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-41, 축 방향 기준 DO-41/DO-204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-EM513TR 8541.10.0000 5,000 짐 1600 v 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 5 µa @ 1600 v -50 ° C ~ 175 ° C 1A -
SB590 Diotec Semiconductor SB590 0.2379
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 Schottky Do-201 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-SB590TR 8541.10.0000 1,700 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 790 MV @ 5 a 500 µa @ 90 v -50 ° C ~ 150 ° C 5a -
KBPC3512FP Diotec Semiconductor KBPC3512FP 3.0805
RFQ
 ECAD 8158 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 4- 스퀘어, KBPC35 기준 KBPC35 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-KBPC3512FP 8541.10.0000 240 1.1 v @ 17.5 a 10 µa @ 1200 v 35 a 단일 단일 1.2kV
ZPD3B9 Diotec Semiconductor ZPD3B9 0.0225
RFQ
 ECAD 3499 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-zpd3b9tr 8541.10.0000 10,000 3.9 v 80 옴
3EZ6.8 Diotec Semiconductor 3EZ6.8 0.0995
RFQ
 ECAD 9159 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 3 w DO15/DO204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-3EZ6.8tr 8541.10.0000 4,000 1 µa @ 2 v 6.8 v 1 옴
ZY47 Diotec Semiconductor ZY47 0.0986
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-41, 축 방향 2 w DO-41/DO-204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-zy47tr 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 24 v 47 v 24 옴
ZPY11 Diotec Semiconductor ZPY11 0.0986
RFQ
 ECAD 4919 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-41, 축 방향 1.3 w DO-41/DO-204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-Zpy11tr 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 5 v 11 v 4 옴
GBI25B Diotec Semiconductor GBI25B 0.8946
RFQ
 ECAD 1411 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBI 기준 GBI 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-GBI25B 8541.10.0000 500 1.1 v @ 12.5 a 5 µa @ 100 v 4.2 a 단일 단일 100 v
P2500W Diotec Semiconductor P2500W 1.2943
RFQ
 ECAD 2437 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 p600, 축, P2500 눈사태 P600 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-p2500wtr 8541.10.0000 1,000 짐 1600 v 1.1 v @ 25 a 1.5 µs 10 µa @ 1600 v -55 ° C ~ 175 ° C 25A -
KYZ25A6 Diotec Semiconductor KYZ25A6 1.9946
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 구멍을 구멍을 DO-208AA 기준 DO-208 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-KYZ25A6 8541.10.0000 500 짐 600 v 1.1 v @ 25 a 1.5 µs 100 µa @ 600 v -50 ° C ~ 175 ° C 25A -
MUR440L Diotec Semiconductor MUR440L 0.1211
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 기준 Do-201 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-MUR440LTR 8541.10.0000 1,700 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.35 V @ 4 a 60 ns 10 µa @ 400 v -50 ° C ~ 150 ° C 4a -
KYZ35K2 Diotec Semiconductor KYZ35K2 1.8521
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 맞는를 누르십시오 DO-208AA 기준 DO-208 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-KYZ35K2 8541.10.0000 500 짐 200 v 1.1 v @ 35 a 1.5 µs 100 µa @ 200 v -50 ° C ~ 175 ° C 35a -
DB25-06 Diotec Semiconductor DB25-06 4.3940
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 5 3, DB-35 기준 DB-35 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-DB25-06 8541.10.0000 50 1.05 V @ 12.5 a 10 µa @ 600 v 25 a 3 단계 600 v
KYW25K1 Diotec Semiconductor KYW25K1 1.9078
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 구멍을 구멍을 DO-208AA 기준 DO-208 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-KYW25K1 8541.10.0000 500 짐 100 v 1.1 v @ 25 a 1.5 µs 100 @ 100 v -50 ° C ~ 175 ° C 25A -
ZY6.8 Diotec Semiconductor zy6.8 0.0986
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-41, 축 방향 2 w DO-41/DO-204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796- 지 6.8tr 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 2 v 6.8 v 1 옴
B80R Diotec Semiconductor B80R 0.4400
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4 원, wog 기준 wog 다운로드 적용 적용 수 할 적용 적용 수 할 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0000 1,000 1 V @ 1 a 5 µa @ 160 v 2 a 단일 단일 160 v
ZPD27B Diotec Semiconductor ZPD27B 0.0225
RFQ
 ECAD 5307 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-ZPD27BTR 8541.10.0000 10,000 100 na @ 20 v 27 v 30 옴
B380D Diotec Semiconductor B380D 0.2309
RFQ
 ECAD 317 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 에이프 (0.300 ", 7.62mm) 기준 DFM 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-B380D 8541.10.0000 50 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 800 v 1 a 단일 단일 800 v
GBU8K-T Diotec Semiconductor gbu8k-t 0.4087
RFQ
 ECAD 7927 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-GBU8K-T 8541.10.0000 1,000 1 V @ 8 a 5 µa @ 800 v 5.6 a 단일 단일 800 v
GBU4G-T Diotec Semiconductor gbu4g-t 0.3087
RFQ
 ECAD 3850 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-GBU4G-T 8541.10.0000 1,000 1 V @ 4 a 5 µa @ 400 v 2.8 a 단일 단일 400 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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