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불연속 불연속 제품 (3563)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
DI006P02PW Diotec Semiconductor di006p02pw 0.2415
RFQ
 ECAD 6341 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerudfn di006p02 MOSFET (금속 (() 8-QFN (2x2) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-di006p02pwtr 8541.21.0000 4,000 p 채널 20 v 6A (TC) 2.5V, 4.5V 25mohm @ 6a, 4.5v 1V @ 250µA 13 nc @ 4.5 v ± 12V 1242 pf @ 10 v - 2W (TC)
P1000G Diotec Semiconductor P1000G 0.4612
RFQ
 ECAD 4066 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 p600, 축, 기준 P600 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-P1000GTR 8541.10.0000 1,000 짐 400 v 1.05 V @ 10 a 1.5 µs 10 µa @ 400 v -50 ° C ~ 175 ° C 10A -
BYG10J-CT Diotec Semiconductor byg10j-ct 0.2001
RFQ
 ECAD 3594 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA byg10j 눈사태 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-BYG10J-CT 8541.10.0000 30 짐 600 v 1.15 V @ 1.5 a 1.5 µs 5 µa @ 600 v -50 ° C ~ 150 ° C 1.5A -
BAV19 Diotec Semiconductor bav19 0.1398
RFQ
 ECAD 5170 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 기준 DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2721-BAV19 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 v @ 100 ma 50 ns 100 na @ 100 v -50 ° C ~ 200 ° C 250ma -
MMBTRC102SS Diotec Semiconductor MMBTRC102SS 0.0298
RFQ
 ECAD 6983 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTRC102 200 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-MMBTRC102SSTR 8541.21.0000 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- - 50 @ 10ma, 5V 200MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
BY550-600-CT Diotec Semiconductor BY550-600-CT 1.0231
RFQ
 ECAD 316 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 550 년 기준 Do-201 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-by550-600-ct 8541.10.0000 12 짐 600 v 1 V @ 5 a 1.5 µs 5 µa @ 600 v -50 ° C ~ 175 ° C 5a -
SGL34-40 Diotec Semiconductor SGL34-40 0.0813
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AA Schottky DO-213AA, 미니 마이프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-SGL34-40TR 8541.10.0000 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 500 mA 500 µa @ 40 v -50 ° C ~ 150 ° C 500ma -
BC856C-AQ Diotec Semiconductor BC856C-AQ 0.0236
RFQ
 ECAD 2592 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC856 250 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BC856C-AQTR 8541.21.0000 3,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 420 @ 2MA, 5V 100MHz
ES1J Diotec Semiconductor ES1J 0.1339
RFQ
 ECAD 532 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC, SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-es1jtr 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 1 a 35 ns 5 µa @ 600 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
BC807-40-AQ Diotec Semiconductor BC807-40-AQ 0.0287
RFQ
 ECAD 2985 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 310 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BC807-40-AQTR 8541.21.0000 3,000 45 v 800 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 100MHz
S1J-AQ-CT Diotec Semiconductor S1J-AQ-CT 0.1972
RFQ
 ECAD 4127 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA S1J 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-S1J-AQ-CT 8541.10.0000 30 짐 600 v 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 5 µa @ 600 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
ZMY200B Diotec Semiconductor ZMY200B 0.1214
RFQ
 ECAD 6213 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF 1.3 w Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-ZMY200BTR 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 90 v 200 v 150 옴
ZMM56B Diotec Semiconductor ZMM56B 0.0404
RFQ
 ECAD 7429 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW SOD-80C 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-zmm56btr 8541.10.0000 2,500 100 na @ 1 v 56 v 25 옴
BAS19 Diotec Semiconductor BAS19 -
RFQ
 ECAD 2196 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 기준 SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 8541.10.0000 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 100 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 200ma 5pf @ 0V, 1MHz
MMBT3906 Diotec Semiconductor MMBT3906 0.0190
RFQ
 ECAD 7353 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-MMBT3906TR 8541.21.0000 3,000 40 v 200 MA 50NA PNP 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 250MHz
GBU10M-T Diotec Semiconductor gbu10m-t 1.4897
RFQ
 ECAD 9008 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-GBU10M-T 8541.10.0000 1,000 1 V @ 5 a 5 µa @ 1000 v 7 a 단일 단일 1kv
SZ3C150 Diotec Semiconductor SZ3C150 0.1133
RFQ
 ECAD 2246 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF 3 w Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-SZ3C150TR 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 75 v 150 v 100 옴
RGL34M Diotec Semiconductor RGL34M 0.0691
RFQ
 ECAD 8440 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AA 기준 DO-213AA, 미니 마이프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-RGL34MTR 8541.10.0000 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 v @ 500 ma 500 ns 5 µa @ 1000 v -50 ° C ~ 175 ° C 500ma -
LL4448R13 Diotec Semiconductor LL4448R13 0.0176
RFQ
 ECAD 8258 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 LL4448 기준 SOD-80C 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 8541.10.0000 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 75 v 1 v @ 100 ma 4 ns 5 µa @ 75 v -50 ° C ~ 175 ° C 150ma 4pf @ 0V, 1MHz
MMSZ5242B Diotec Semiconductor MMSZ5242B 0.0304
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-MMSZ5242BTR 8541.10.0000 3,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 9.1 v 12 v 30 옴
SM4003 Diotec Semiconductor SM4003 0.0523
RFQ
 ECAD 4151 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AB, MELF 기준 Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2721-SM4003TR2 8541.10.0000 5,000 짐 200 v 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 5 µa @ 200 v -50 ° C ~ 175 ° C 1A -
BZT52C12 Diotec Semiconductor BZT52C12 0.0304
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BZT52C12TR 8541.10.0000 3,000 100 na @ 9 v 12 v 35 옴
BC846PN-AQ Diotec Semiconductor BC846pn-Aq 0.0607
RFQ
 ECAD 4909 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 250 MW SOT-363 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-BC846PN-AQTR 8541.21.0000 3,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN, PNP 650MV @ 5MA, 100MA 200 @ 2mA, 5V 100MHz
SKL32 Diotec Semiconductor SKL32 0.1322
RFQ
 ECAD 8358 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F Schottky SOD-123F (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-SKL32TR 8541.10.0000 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 3 a 200 µa @ 20 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A -
SK13PM Diotec Semiconductor Sk13pm 0.1290
RFQ
 ECAD 4585 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-216AA Schottky DO-216AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-sk13pmtr 8541.10.0000 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 380 mV @ 1 a 410 µa @ 30 v -50 ° C ~ 125 ° C 1A -
ER1D-AQ Diotec Semiconductor ER1D-AQ 0.0832
RFQ
 ECAD 1991 0.00000000 diotec 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-er1d-aqtr 8541.10.0000 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 1 a 35 ns 5 µa @ 200 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
SZ3C47 Diotec Semiconductor SZ3C47 0.1133
RFQ
 ECAD 2938 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF 3 w Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-SZ3C47TR 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 24 v 47 v 24 옴
MM3Z18GW Diotec Semiconductor MM3Z18GW 0.0271
RFQ
 ECAD 7394 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 300MW SOD-323 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-MM3Z18GWTR 8541.10.0000 3,000 100 na @ 12.6 v 18 v 45 옴
3EZ110 Diotec Semiconductor 3EZ110 0.0995
RFQ
 ECAD 5644 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 3 w DO15/DO204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-3EZ110tr 8541.10.0000 4,000 1 µa @ 50 v 110 v 80 옴
BC857A Diotec Semiconductor BC857A -
RFQ
 ECAD 7397 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC857 250 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BC857AT 8541.21.0000 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 125 @ 2MA, 5V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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