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불연속 불연속 제품 (3563)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
BZT52C3V9 Diotec Semiconductor BZT52C3V9 0.0304
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BZT52C3V9TR 8541.10.0000 3,000 5 µa @ 1 v 3.9 v 130 옴
BYP35A6 Diotec Semiconductor byp35a6 1.0878
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-208AA 기준 DO-208 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-BYP35A6TR 8541.10.0000 12,000 짐 600 v 1.1 v @ 35 a 1.5 µs 100 µa @ 600 v -50 ° C ~ 200 ° C 35a -
US2G Diotec Semiconductor US2G 0.1024
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-US2GTR 8541.10.0000 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.25 V @ 2 a 50 ns 5 µa @ 400 v -50 ° C ~ 150 ° C 2A -
SK1080D2 Diotec Semiconductor SK1080D2 0.5691
RFQ
 ECAD 8829 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-SK1080D2 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 80 v 830 mv @ 10 a 120 µa @ 80 v -50 ° C ~ 150 ° C 10A -
BYW27-400 Diotec Semiconductor BYW27-400 0.1108
RFQ
 ECAD 3042 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-41, 축 방향 기준 DO-41/DO-204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-byw27-400tr 8541.10.0000 5,000 짐 400 v 1.3 v @ 1 a 1.5 µs 200 na @ 400 v -50 ° C ~ 175 ° C 1A -
BCP56-10 Diotec Semiconductor BCP56-10 0.1499
RFQ
 ECAD 5562 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 2 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BCP56-10TR 8541.21.0000 4,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 100MHz
SZ3C15 Diotec Semiconductor SZ3C15 0.1133
RFQ
 ECAD 4948 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF 3 w Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-SZ3C15TR 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 10 v 15 v 5 옴
SB190S Diotec Semiconductor SB190S 0.0463
RFQ
 ECAD 9922 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-41, 축 방향 Schottky DO-41/DO-204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-SB190STR 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 850 mv @ 1 a 1 ma @ 90 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
KYZ35A05 Diotec Semiconductor KYZ35A05 1.7404
RFQ
 ECAD 1029 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 구멍을 구멍을 DO-208AA 기준 DO-208 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-KyZ35A05 8541.10.0000 500 짐 50 v 1.1 v @ 35 a 100 µa @ 50 v -50 ° C ~ 175 ° C 35a -
ZMC51 Diotec Semiconductor ZMC51 0.0580
RFQ
 ECAD 5817 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW SOD-80C 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-zmc51tr 8541.10.0000 2,500 100 na @ 39 v 51 v 125 옴
S8G Diotec Semiconductor S8G 0.2867
RFQ
 ECAD 6869 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 SMC (DO-214AB) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-S8GTR 8541.10.0000 3,000 짐 400 v 980 MV @ 8 a 1.5 µs 10 µa @ 400 v -50 ° C ~ 150 ° C 8a -
MM3Z2V7-AQ Diotec Semiconductor MM3Z2V7-AQ 0.0363
RFQ
 ECAD 7574 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-MM3Z2V7-AQTR 8541.10.0000 3,000 1 V @ 10 ma 120 µa @ 1 v 2.7 v 85 옴
MM3Z7V5 Diotec Semiconductor MM3Z7V5 0.0304
RFQ
 ECAD 2235 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-mm3z7v5tr 8541.10.0000 3,000 1 V @ 10 ma 500 na @ 4 v 7.5 v 15 옴
BC846B-AQ Diotec Semiconductor BC846B-AQ 0.0236
RFQ
 ECAD 8194 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BC846B-AQTR 8541.21.0000 3,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
RGL1KR13 Diotec Semiconductor RGL1KR13 0.0837
RFQ
 ECAD 4885 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AA 기준 DO-213AA, 미니 마이프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-RGL1KR13TR 8541.10.0000 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 1 a 500 ns 5 µa @ 800 v -50 ° C ~ 175 ° C 1A -
ES1B-AQ Diotec Semiconductor ES1B-AQ 0.1396
RFQ
 ECAD 7731 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 SMA/DO-214AC 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 2796-es1b-aqtr 8541.10.0000 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 920 MV @ 1 a 15 ns 5 µa @ 100 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
KYW35A3 Diotec Semiconductor KYW35A3 1.9810
RFQ
 ECAD 7521 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 맞는를 누르십시오 DO-208AA 기준 DO-208 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-KyW35A3 8541.10.0000 500 짐 300 v 1.1 v @ 35 a 1.5 µs 100 µa @ 300 v -50 ° C ~ 175 ° C 35a -
ZPY18 Diotec Semiconductor ZPY18 0.0986
RFQ
 ECAD 2155 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-41, 축 방향 1.3 w DO-41/DO-204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-Zpy18tr 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 10 v 18 v 6 옴
ZY82 Diotec Semiconductor zy82 0.0986
RFQ
 ECAD 4433 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-41, 축 방향 2 w DO-41/DO-204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-zy82tr 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 41 v 82 v 30 옴
SLL13 Diotec Semiconductor SLL13 0.0791
RFQ
 ECAD 8296 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F Schottky SOD-123F (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-sll13tr 8541.10.0000 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 420 MV @ 1 a 50 µa @ 30 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
Z1SMA15-AQ Diotec Semiconductor Z1SMA15-AQ 0.1081
RFQ
 ECAD 4585 0.00000000 diotec 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-Z1SMA15-AQTR 8541.10.0000 7,500 1 v @ 200 ma 1 µa @ 10 v 15 v 11 옴
MMBTA06-AQ Diotec Semiconductor MMBTA06-AQ 0.0512
RFQ
 ECAD 6489 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-MMBTA06-AQTR 8541.21.0000 3,000 80 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 10ma, 100ma 100 @ 100ma, 1v 100MHz
MM3Z39 Diotec Semiconductor MM3Z39 0.0304
RFQ
 ECAD 6147 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-mm3z39tr 8541.10.0000 3,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 30 v 39 v 130 옴
S1YL-CT Diotec Semiconductor S1YL-CT 0.2332
RFQ
 ECAD 7546 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-S1YL-CT 8541.10.0000 30 짐 2000 v 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 5 µa @ 2 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
MM3Z22 Diotec Semiconductor MM3Z22 0.0304
RFQ
 ECAD 3578 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-mm3z2tr 8541.10.0000 3,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 17 v 22 v 55 옴
KYW35A2 Diotec Semiconductor KYW35A2 2.1144
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 맞는를 누르십시오 DO-208AA 기준 DO-208 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-KYW35A2 8541.10.0000 500 짐 200 v 1.1 v @ 35 a 1.5 µs 100 µa @ 200 v -50 ° C ~ 175 ° C 35a -
BYP35K1 Diotec Semiconductor byp35k1 1.0878
RFQ
 ECAD 6284 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-208AA 기준 DO-208 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-byp35k1tr 8541.10.0000 12,000 짐 100 v 1.1 v @ 35 a 1.5 µs 100 @ 100 v -50 ° C ~ 200 ° C 35a -
DI070P04PQ Diotec Semiconductor DI070P04PQ 1.2564
RFQ
 ECAD 3699 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DI070P04 MOSFET (금속 (() 8-QFN (5x6) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-di070p04pqtr 8541.21.0000 5,000 p 채널 40 v 70A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 125 nc @ 10 v ± 20V 7560 pf @ 20 v - 46W (TC)
BZX84C36 Diotec Semiconductor BZX84C36 0.0301
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BZX84C36TR 8541.10.0000 3,000 50 na @ 25.2 v 36 v 90 옴
ZMD12 Diotec Semiconductor ZMD12 0.0802
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 1 W. DO-213AA, 미니 마이프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-ZMD12TR 8541.10.0000 2,500 500 na @ 8 v 12 v 7 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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