SIC
close

불연속 불연속 제품 (3563)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
S1Y Diotec Semiconductor s1y 0.1377
RFQ
 ECAD 8719 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC, SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-S1YTR 8541.10.0000 7,500 짐 2000 v 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 5 µa @ 2000 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
ZMY1 Diotec Semiconductor zmy1 0.0938
RFQ
 ECAD 8450 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF 1.3 w Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-zmy1tr 8541.10.0000 5,000 1 v 0.5 옴
ZMC6.8 Diotec Semiconductor ZMC6.8 0.0442
RFQ
 ECAD 245 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 2-SMD,, 없음 500MW 마이크로 마이크로 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-zmc6.8tr 8541.10.0000 2,500 100 na @ 3 v 6.8 v 8 옴
BZT52B30 Diotec Semiconductor BZT52B30 0.0355
RFQ
 ECAD 4870 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F 500MW SOD-123F 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-BZT52B30tr 8541.10.0000 12,000 100 na @ 21 v 30 v 200 옴
Z3SMC15 Diotec Semiconductor Z3SMC15 0.2393
RFQ
 ECAD 2797 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 3 w SMC (DO-214AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-Z3SMC15TR 8541.10.0000 3,000 1 µa @ 10 v 15 v 5 옴
ZMC68 Diotec Semiconductor ZMC68 0.0580
RFQ
 ECAD 2183 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 2-SMD,, 없음 500MW 마이크로 마이크로 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-zmc68tr 8541.10.0000 2,500 100 na @ 51 v 68 v 200 옴
S3Y Diotec Semiconductor S3Y 0.4843
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 SMC (DO-214AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-S3YTR 8541.10.0000 3,000 짐 2000 v 1.15 V @ 3 a 1.5 µs 5 µa @ 2000 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A -
SM4006-CT Diotec Semiconductor SM4006-CT 0.2444
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 표면 표면 DO-213AB, MELF SM4006 기준 Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-SM4006-CT 8541.10.0000 30 짐 800 v 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 5 µa @ 800 v -50 ° C ~ 175 ° C 1A -
DD1000 Diotec Semiconductor DD1000 0.5081
RFQ
 ECAD 3166 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 축 기준 축 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-dd1000tr 8541.10.0000 5,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 10000 v 40 v @ 10 ma 150 ns 5 µa @ 10000 v -50 ° C ~ 150 ° C 20MA -
S3JSMB-AQ-CT Diotec Semiconductor S3JSMB-AQ-CT 0.6937
RFQ
 ECAD 5082 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB S3J 기준 SMB (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-S3JSMB-AQ-CT 8541.10.0000 15 짐 600 v 1.1 v @ 3 a 1.5 µs 5 µa @ 600 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZX84C15-AQ Diotec Semiconductor BZX84C15-AQ 0.0333
RFQ
 ECAD 1665 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BZX84C15-AQTR 8541.10.0000 3,000 50 na @ 10.5 v 15 v 30 옴
SZ3C6.2 Diotec Semiconductor SZ3C6.2 0.1504
RFQ
 ECAD 4003 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF 3 w Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-SZ3C6.2TR 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 1.5 v 6.2 v 1 옴
MM5Z7V5 Diotec Semiconductor MM5Z7V5 0.0333
RFQ
 ECAD 5199 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 200 MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-mm5z7v5tr 8541.10.0000 4,000 1 µa @ 5 v 7.5 v 15 옴
SK2530YD2 Diotec Semiconductor SK2530YD2 0.5230
RFQ
 ECAD 5209 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-SK2530YD2 8541.10.0000 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 580 mV @ 25 a 200 µa @ 30 v -50 ° C ~ 150 ° C 25A -
BC846BW Diotec Semiconductor BC846BW -
RFQ
 ECAD 8113 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BC846BWTR 8541.21.0000 3,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
BC850B Diotec Semiconductor BC850B 0.0182
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BC850BTR 8541.21.0000 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
1N5392 Diotec Semiconductor 1N5392 0.0331
RFQ
 ECAD 6040 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 기준 DO15/DO204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2796-1n5392tr 8541.10.0000 4,000 짐 100 v 1.3 V @ 1.5 a 1.5 µs 5 µa @ 100 v -50 ° C ~ 175 ° C 1.5A -
S5Y-AQ Diotec Semiconductor S5Y-AQ 0.5686
RFQ
 ECAD 1312 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 SMC (DO-214AB) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-s5y-aqtr 8541.10.0000 3,000 짐 2000 v 1.1 v @ 5 a 1.5 µs 10 µa @ 2 v -50 ° C ~ 150 ° C 8a -
MM1Z4743A Diotec Semiconductor MM1Z4743A 0.1033
RFQ
 ECAD 2038 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F 1 W. SOD-123F (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-MM1Z4743AT 8541.10.0000 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 10 v 13 v 10 옴
MM5Z5V1B-AQ Diotec Semiconductor MM5Z5V1B-AQ 0.0477
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 200 MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-MM5Z5V1B-AQTR 8541.10.0000 4,000 2 µa @ 1.5 v 5.1 v 80 옴
P2000D Diotec Semiconductor P2000D 0.7306
RFQ
 ECAD 7619 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 p600, 축, 기준 P600 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-P2000DTR 8541.10.0000 1,000 짐 200 v 1.1 v @ 20 a 1.5 µs 10 µa @ 200 v -50 ° C ~ 150 ° C 20A -
DI030N03D1 Diotec Semiconductor DI030N03D1 0.3236
RFQ
 ECAD 8224 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-3, DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-DI030N03D1T 8541.21.0000 2,500 n 채널 30 v 30A (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA 17.5 nc @ 10 v ± 20V 940 pf @ 15 v - 40W (TC)
ZMM68 Diotec Semiconductor ZMM68 0.0385
RFQ
 ECAD 9612 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW SOD-80C 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-zmm68tr 8541.10.0000 2,500 100 na @ 51 v 68 v 200 옴
ZMY4.3G Diotec Semiconductor zmy4.3g 0.0883
RFQ
 ECAD 4810 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF 1 W. Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-ZMY4.3GTR 8541.10.0000 5,000 50 µa @ 1 v 4.3 v 4 옴
MMBT7002K Diotec Semiconductor MMBT7002K 0.0257
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-MMBT7002KTR 8541.21.0000 3,000 n 채널 60 v 300MA (TA) 4.5V, 10V 3ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 50 pf @ 25 v - 350MW (TA)
DI045N03PT Diotec Semiconductor DI045N03PT 0.3808
RFQ
 ECAD 2436 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn DI045N03 MOSFET (금속 (() 8-QFN (3x3) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-di045n03pttr 8541.21.0000 5,000 n 채널 30 v 45A (TC) 4.5V, 10V 4.4mohm @ 24a, 10V 2.5V @ 250µA 53 NC @ 10 v ± 20V 2300 pf @ 15 v - 16W (TC)
DI035P04PT-AQ Diotec Semiconductor di035p04pt-aq 0.3902
RFQ
 ECAD 1794 0.00000000 diotec 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn DI035P04 MOSFET (금속 (() 8-QFN (3x3) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-di035p04pt-aqtr 8541.21.0000 5,000 p 채널 40 v 35A (TC) 4.5V, 10V 19mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 2570 pf @ 20 v - 40W (TC)
1N4448 Diotec Semiconductor 1N4448 0.1009
RFQ
 ECAD 4342 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 기준 DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2721-1n4448 5,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 75 v 1 v @ 100 ma 4 ns 5 µa @ 75 v -50 ° C ~ 175 ° C 200ma 4pf @ 0V, 1MHz
SGL34-20 Diotec Semiconductor SGL34-20 0.0748
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AA Schottky DO-213AA, 미니 마이프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-SGL34-20TR 8541.10.0000 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 500 mA 500 µa @ 20 v -50 ° C ~ 150 ° C 500ma -
BAV70DW Diotec Semiconductor bav70dw 0.0612
RFQ
 ECAD 9883 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 bav70 기준 SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 8541.10.0000 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 음극 음극 공통 100 v 150ma 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 v -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다