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불연속 불연속 제품 (3563)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
FX2000B Diotec Semiconductor FX2000B 0.7493
RFQ
 ECAD 1667 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 p600, 축, 기준 P600 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-FX2000BTR 8541.10.0000 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 940 mV @ 20 a 200 ns 5 µa @ 100 v -50 ° C ~ 150 ° C 20A -
ER1D Diotec Semiconductor ER1D 0.0688
RFQ
 ECAD 360 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC, SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-er1dtr 8541.10.0000 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 1 a 35 ns 5 µa @ 200 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
P1000S-CT Diotec Semiconductor P1000S-CT 2.1070
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 구멍을 구멍을 p600, 축, P1000 기준 P600 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-P1000S-CT 8541.10.0000 12 짐 1200 v 1.05 V @ 10 a 1.5 µs 10 µa @ 1.2 v -50 ° C ~ 175 ° C 10A -
MM1Z4748A Diotec Semiconductor MM1Z4748A 0.1033
RFQ
 ECAD 4754 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F 1 W. SOD-123F (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-MM1Z4748AT 8541.10.0000 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 17 v 22 v 23 옴
UF4001 Diotec Semiconductor UF4001 0.0385
RFQ
 ECAD 5571 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-41, 축 방향 UF400 기준 DO-41/DO-204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2796-UF4001TR 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 50 v -50 ° C ~ 175 ° C 1A -
BC847B Diotec Semiconductor BC847B 0.0182
RFQ
 ECAD 591 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 8541.21.0000 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
BC848BW Diotec Semiconductor BC848BW 0.0317
RFQ
 ECAD 3432 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-BC848BWTR 8541.21.0000 3,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
SUF4001 Diotec Semiconductor SUF4001 0.0631
RFQ
 ECAD 110 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AB, MELF 기준 Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2721-SUF4001TR2 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 50 v -50 ° C ~ 175 ° C 1A -
ZY100 Diotec Semiconductor ZY100 0.0986
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-41, 축 방향 2 w DO-41/DO-204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-zy100tr 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 50 v 100 v 60 옴
BC858C-AQ Diotec Semiconductor BC858C-AQ 0.0230
RFQ
 ECAD 1675 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BC858C-AQTR 8541.21.0000 3,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 420 @ 2MA, 5V 100MHz
BC858B-AQ Diotec Semiconductor BC858B-AQ 0.0244
RFQ
 ECAD 7848 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BC858B-AQTR 8541.21.0000 3,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 100MHz
SBT1090 Diotec Semiconductor SBT1090 0.5032
RFQ
 ECAD 4093 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-SBT1090 8541.10.0000 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 850 mv @ 10 a 300 µa @ 90 v -50 ° C ~ 150 ° C 10A -
ZY11 Diotec Semiconductor zy11 0.0986
RFQ
 ECAD 5477 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-41, 축 방향 2 w DO-41/DO-204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-zy11tr 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 5 v 11 v 4 옴
GL34DR13 Diotec Semiconductor GL34DR13 0.0472
RFQ
 ECAD 4709 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AA 기준 DO-213AA, 미니 마이프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-GL34DR13TR 8541.10.0000 10,000 짐 200 v 1.2 v @ 500 ma 1.5 µs 5 µa @ 200 v -50 ° C ~ 175 ° C 500ma -
SM4005-CT Diotec Semiconductor SM4005-CT 0.2444
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 표면 표면 DO-213AB, MELF SM4005 기준 Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-SM4005-CT 8541.10.0000 30 짐 600 v 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 5 µa @ 600 v -50 ° C ~ 175 ° C 1A -
DI050N06D1 Diotec Semiconductor DI050N06D1 0.5016
RFQ
 ECAD 3554 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-3 (DPAK) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-Di050N06D1TR 8541.21.0000 2,500 n 채널 65 v 50A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 825 pf @ 30 v - 42W (TC)
BC547B Diotec Semiconductor BC547B 0.0241
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2796-BC547BTR 8541.21.0000 4,000 45 v 100 MA 15NA NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
SK86 Diotec Semiconductor SK86 0.2748
RFQ
 ECAD 105 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC Schottky SMC (DO-214AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-sk86tr 8541.10.0000 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 8 a 200 µa @ 60 v -50 ° C ~ 150 ° C 8a -
SA158 Diotec Semiconductor SA158 0.0678
RFQ
 ECAD 8568 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AB, MELF 기준 Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-SA158tr 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 1 a 300 ns 5 µa @ 600 v -50 ° C ~ 175 ° C 1A -
ZMC2.7 Diotec Semiconductor ZMC2.7 0.0442
RFQ
 ECAD 8083 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 2-SMD,, 없음 500MW 마이크로 마이크로 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-zmc2.7tr 8541.10.0000 2,500 10 µa @ 1 v 2.7 v 85 옴
BC859C-AQ Diotec Semiconductor BC859C-AQ 0.0236
RFQ
 ECAD 3181 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BC859C-AQTR 8541.21.0000 3,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 420 @ 2MA, 5V 100MHz
2BZX84C5V6 Diotec Semiconductor 2BZX84C5V6 0.0363
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-2BZX84C5V6TR 8541.10.0000 3,000 1 양극 양극 공통 1 µa @ 2 v 5.6 v 40
UF4007 Diotec Semiconductor UF4007 0.3500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 diotec 반도체 - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-41, 축 방향 UF400 기준 DO-41/DO-204AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 1000 v -50 ° C ~ 175 ° C 1A -
ZMY5B1G Diotec Semiconductor zmy5b1g 0.1171
RFQ
 ECAD 1106 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF 1 W. Melf do-213ab 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-ZMY5B1GTR 8541.10.0000 5,000 10 µa @ 700 mV 5.1 v 2 옴
MM3Z13B-AQ Diotec Semiconductor MM3Z13B-AQ 0.0374
RFQ
 ECAD 2731 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-MM3Z13B-AQ 8541.10.0000 3,000 100 na @ 10 v 13 v 35 옴
ZMD13 Diotec Semiconductor ZMD13 0.0802
RFQ
 ECAD 2167 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 1 W. DO-213AA, 미니 마이프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-zmd13tr 8541.10.0000 2,500 500 na @ 9 v 13 v 9 옴
MM3Z6V8-AQ Diotec Semiconductor MM3Z6V8-AQ 0.0363
RFQ
 ECAD 6063 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-MM3Z6V8-AQTR 8541.10.0000 3,000 1 V @ 10 ma 500 NA @ 3.5 v 6.8 v 15 옴
DD1600 Diotec Semiconductor DD1600 0.6200
RFQ
 ECAD 180 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 축 기준 축 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-dd1600tr 8541.10.0000 5,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 16000 v 40 v @ 10 ma 150 ns 5 µa @ 16000 v -50 ° C ~ 150 ° C 20MA -
SK310SMB-AQ Diotec Semiconductor SK310SMB-AQ 0.2016
RFQ
 ECAD 9571 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB Schottky SMB/DO-214AA 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 2796-SK310SMB-AQTR 8541.10.0000 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mV @ 3 a 100 @ 100 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A -
MMBT5401 Diotec Semiconductor MMBT5401 0.0230
RFQ
 ECAD 396 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-MMBT5401TR 8541.21.0000 3,000 150 v 600 MA 50NA (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50ma 60 @ 10ma, 1v 300MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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