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불연속 불연속 제품 (3563)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
ZMD13 Diotec Semiconductor ZMD13 0.0802
RFQ
 ECAD 2167 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 1 W. DO-213AA, 미니 마이프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-zmd13tr 8541.10.0000 2,500 500 na @ 9 v 13 v 9 옴
SM4003 Diotec Semiconductor SM4003 0.0523
RFQ
 ECAD 4151 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AB, MELF 기준 Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2721-SM4003TR2 8541.10.0000 5,000 짐 200 v 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 5 µa @ 200 v -50 ° C ~ 175 ° C 1A -
BC857B-AQ Diotec Semiconductor BC857B-AQ 0.0236
RFQ
 ECAD 7305 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC857 250 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BC857B-AQTR 8541.21.0000 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 100MHz
ZMM3.0 Diotec Semiconductor ZMM3.0 0.0230
RFQ
 ECAD 187 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW SOD-80C 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-zmm3.0tr 8541.10.0000 2,500 4 µa @ 1 v 3 v 85 옴
MM3Z2V4 Diotec Semiconductor MM3Z2V4 0.0355
RFQ
 ECAD 9015 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-mm3z2v4tr 8541.10.0000 3,000 1 V @ 10 ma 120 µa @ 1 v 2.4 v 85 옴
SZ3C27 Diotec Semiconductor SZ3C27 0.1133
RFQ
 ECAD 1934 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF 3 w Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-SZ3C27TR 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 14 v 27 v 7 옴
SMZ7.5 Diotec Semiconductor SMZ7.5 0.1133
RFQ
 ECAD 4909 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF 2 w Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-SMZ7.5TR 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 2 v 7.5 v 1 옴
30CTQ040S Diotec Semiconductor 30ctq040s 1.2835
RFQ
 ECAD 4622 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 30CTQ Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-30ctq040s 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 15a 620 MV @ 15 a 50 µa @ 40 v -50 ° C ~ 175 ° C
USL1G Diotec Semiconductor USL1G 0.0992
RFQ
 ECAD 8537 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F 기준 SOD-123F (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-USL1GTR 8541.10.0000 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.4 V @ 1 a 50 ns 1 µa @ 400 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
KYZ25K4 Diotec Semiconductor KYZ25K4 1.7713
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 구멍을 구멍을 DO-208AA 기준 DO-208 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-KYZ25K4 8541.10.0000 500 짐 400 v 1.1 v @ 25 a 1.5 µs 100 µa @ 400 v -50 ° C ~ 175 ° C 25A -
KBPC600 Diotec Semiconductor KBPC600 1.0840
RFQ
 ECAD 9424 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, KBPC-6 기준 KBPC6 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-KBPC600 8541.10.0000 200 1.2 v @ 3 a 5 µa @ 50 v 3.8 a 단일 단일 50 v
B250C1500A Diotec Semiconductor B250C1500A 0.9390
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-sip 기준 4-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-B250C1500A 8541.10.0000 500 1.1 v @ 2 a 5 µa @ 600 v 1.8 a 단일 단일 600 v
GBI15A Diotec Semiconductor GBI15A 0.6932
RFQ
 ECAD 7137 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBI 기준 GBI 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-GBI15A 8541.10.0000 500 1.1 v @ 7.5 a 5 µa @ 50 v 3.2 a 단일 단일 50 v
MYS380 Diotec Semiconductor MyS380 0.1710
RFQ
 ECAD 7073 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-269AA, 4- 베스 외 기준 4- SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-mys380tr 8541.10.0000 4,000 1.2 v @ 500 ma 5 µa @ 800 v 500 MA 단일 단일 800 v
S3KSMB Diotec Semiconductor S3KSMB 0.0539
RFQ
 ECAD 9636 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-S3KSMBTR 8541.10.0000 3,000 짐 800 v 1.1 v @ 3 a 1.5 µs 5 µa @ 800 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A -
B380S-SLIM Diotec Semiconductor B380S-SLIM 0.1228
RFQ
 ECAD 360 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-269AA, 4- 베스 외 기준 4- SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-B380S-SLIMTR 8541.10.0000 1,500 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 800 v 1 a 단일 단일 800 v
ER1A Diotec Semiconductor er1a 0.0661
RFQ
 ECAD 52 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC, SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-er1atr 8541.10.0000 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1 V @ 1 a 35 ns 5 µa @ 50 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
BZT52C2V7 Diotec Semiconductor BZT52C2V7 0.0304
RFQ
 ECAD 474 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BZT52C2V7TR 8541.10.0000 3,000 120 µa @ 1 v 2.7 v 110 옴
Z3SMC9.1 Diotec Semiconductor Z3SMC9.1 0.2393
RFQ
 ECAD 1950 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 3 w SMC (DO-214AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-Z3SMC9.1TR 8541.10.0000 3,000 1 µa @ 3.5 v 9.1 v 2 옴
B125S-SLIM Diotec Semiconductor B125S-SLIM 0.1228
RFQ
 ECAD 172 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-269AA, 4- 베스 외 기준 4- SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-B125S-SLIMTR 8541.10.0000 1,500 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 250 v 1 a 단일 단일 250 v
MM3Z27-AQ Diotec Semiconductor MM3Z27-AQ 0.0363
RFQ
 ECAD 5386 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-MM3Z27-AQTR 8541.10.0000 3,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 21 v 27 v 80 옴
BC817-25 Diotec Semiconductor BC817-25 0.0220
RFQ
 ECAD 9072 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 310 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BC817-25TR 8541.21.0000 3,000 45 v 800 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz
ZMM5.6 Diotec Semiconductor ZMM5.6 0.0230
RFQ
 ECAD 157 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW SOD-80C 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-zmm5.6tr 8541.10.0000 2,500 100 na @ 1 v 5.6 v 25 옴
ZMM5B6 Diotec Semiconductor ZMM5B6 0.0312
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW SOD-80C 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-zmm5b6tr 8541.10.0000 2,500 100 na @ 1 v 5 v 25 옴
Z3SMC51 Diotec Semiconductor Z3SMC51 0.2393
RFQ
 ECAD 6023 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 3 w SMC (DO-214AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-Z3SMC51TR 8541.10.0000 3,000 1 µa @ 24 v 51 v 25 옴
RAL1D Diotec Semiconductor ral1d 0.0675
RFQ
 ECAD 2825 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AA 기준 DO-213AA, 미니 마이프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-ral1dtr 8541.10.0000 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 3 µa @ 200 v -50 ° C ~ 175 ° C 1A -
S3GSMB Diotec Semiconductor S3GSMB 0.0539
RFQ
 ECAD 9086 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-S3GSMBTR 8541.10.0000 3,000 짐 400 v 1.1 v @ 3 a 1.5 µs 5 µa @ 400 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A -
FRL1J Diotec Semiconductor frl1j 0.0374
RFQ
 ECAD 354 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F 기준 SOD-123F (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-FRL1JTR 8541.10.0000 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 1 a 250 ns 5 µa @ 600 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
BZT52C43 Diotec Semiconductor BZT52C43 0.0304
RFQ
 ECAD 7020 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BZT52C43TR 8541.10.0000 3,000 2 µa @ 33 v 43 v 130 옴
MMSZ5258B Diotec Semiconductor MMSZ5258B 0.0304
RFQ
 ECAD 5678 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-MMSZ5258BTR 8541.10.0000 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 27 v 36 v 70 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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