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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
SBT1090 Diotec Semiconductor SBT1090 0.5032
RFQ
ECAD 4093 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-SBT1090 8541.10.0000 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 850 mv @ 10 a 300 µa @ 90 v -50 ° C ~ 150 ° C 10A -
RA2510 Diotec Semiconductor RA2510 0.3583
RFQ
ECAD 7465 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 기준 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-RA2510TR 8541.10.0000 10,000 1000 v 1.1 v @ 80 a 1.5 µs 5 µa @ 1000 v -50 ° C ~ 175 ° C 25A -
KYZ25K05 Diotec Semiconductor KYZ25K05 1.5769
RFQ
ECAD 7070 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 구멍을 구멍을 DO-208AA 기준 DO-208 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-KYZ25K05 8541.10.0000 500 50 v 1.1 v @ 25 a 100 µa @ 50 v -50 ° C ~ 175 ° C 25A -
BY298 Diotec Semiconductor by298 -
RFQ
ECAD 5734 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 기준 Do-201 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-by298tr 8541.10.0000 1,700 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 3 a 500 ns 5 µa @ 400 v -50 ° C ~ 150 ° C 2A -
3EZ16 Diotec Semiconductor 3EZ16 0.0995
RFQ
ECAD 2615 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 3 w DO15/DO204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-3EZ16TR 8541.10.0000 4,000 1 µa @ 10 v 16 v 6 옴
KBPC3504WP Diotec Semiconductor KBPC3504WP 2.5983
RFQ
ECAD 1 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, KBPC WP 기준 KBPC WP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-KBPC3504WP 8541.10.0000 160 1.1 v @ 17.5 a 10 µa @ 400 v 35 a 단일 단일 400 v
KBPC3502WP Diotec Semiconductor KBPC3502WP 2.5983
RFQ
ECAD 640 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, KBPC WP 기준 KBPC WP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-KBPC3502WP 8541.10.0000 160 1.1 v @ 17.5 a 10 µa @ 200 v 35 a 단일 단일 200 v
3EZ20 Diotec Semiconductor 3EZ20 0.0995
RFQ
ECAD 6778 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 3 w DO15/DO204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-3EZ20TR 8541.10.0000 4,000 1 µa @ 10 v 20 v 6 옴
DB35-14 Diotec Semiconductor DB35-14 5.0182
RFQ
ECAD 4605 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 5 3, DB-35 기준 DB-35 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-DB35-14 8541.10.0000 50 1.05 V @ 17.5 a 10 µa @ 1400 v 35 a 3 단계 1.4kV
B500C1500A Diotec Semiconductor B500C1500A 0.9390
RFQ
ECAD 500 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-sip 기준 4-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-B500C1500A 귀 99 8541.10.0000 500 1.1 v @ 2 a 5 µa @ 1000 v 1.8 a 단일 단일 1kv
GBI40M Diotec Semiconductor GBI40M 1.6306
RFQ
ECAD 4120 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBI 기준 GBI 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-GBI40m 8541.10.0000 500 1.1 v @ 20 a 5 µa @ 1000 v 6 a 단일 단일 1kv
ZPY15 Diotec Semiconductor ZPY15 0.0986
RFQ
ECAD 9821 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-41, 축 방향 1.3 w DO-41/DO-204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-ZPY15TR 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 10 v 15 v 5 옴
KBPC2510I Diotec Semiconductor KBPC2510I 3.2932
RFQ
ECAD 1302 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, KBPC 기준 KBPC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-KBPC2510I 8541.10.0000 240 1.2 v @ 12.5 a 10 µa @ 1000 v 25 a 단일 단일 1kv
KBPC5001FP Diotec Semiconductor KBPC5001FP 3.3157
RFQ
ECAD 720 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 4- 스퀘어, KBPC 기준 KBPC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-KBPC5001FP 8541.10.0000 240 1.1 v @ 25 a 10 µa @ 100 v 50 a 단일 단일 100 v
3EZ43 Diotec Semiconductor 3EZ43 0.0995
RFQ
ECAD 1481 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 3 w DO15/DO204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-3EZ43TR 8541.10.0000 4,000 1 µa @ 20 v 43 v 24 옴
ZY150 Diotec Semiconductor ZY150 0.0986
RFQ
ECAD 35 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-41, 축 방향 2 w DO-41/DO-204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-zy150tr 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 75 v 150 v 100 옴
SBCT30150 Diotec Semiconductor SBCT30150 1.0127
RFQ
ECAD 5663 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-SBCT30150 8541.10.0000 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 15a 750 mV @ 15 a 100 µa @ 150 v -50 ° C ~ 150 ° C
MMFTN3018W Diotec Semiconductor MMFTN3018W 0.0602
RFQ
ECAD 48 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-mmftn3018wtr 8541.21.0000 3,000 n 채널 30 v 100MA (TA) 2.5V, 4V 8ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 100µa ± 20V 13000 pf @ 5 v - 200MW (TA)
MM3Z22B Diotec Semiconductor MM3Z22B 0.0317
RFQ
ECAD 3823 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-mm3z22btr 8541.10.0000 3,000 100 na @ 17 v 22 v 55 옴
ABS15Y Diotec Semiconductor abs15y 0.2379
RFQ
ECAD 65 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 ABS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-ABS15YTR 8541.10.0000 5,000 1.3 V @ 2 a 5 µa @ 2000 v 2 a 단일 단일 2kv
ZMM3.9R13 Diotec Semiconductor ZMM3.9R13 -
RFQ
ECAD 2004 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW SOD-80C 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-ZMM3.9R13TR 8541.10.0000 10,000 2 µa @ 1 v 3.9 v 85 옴
KYZ25K4 Diotec Semiconductor KYZ25K4 1.7713
RFQ
ECAD 500 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 구멍을 구멍을 DO-208AA 기준 DO-208 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-KYZ25K4 8541.10.0000 500 400 v 1.1 v @ 25 a 1.5 µs 100 µa @ 400 v -50 ° C ~ 175 ° C 25A -
KBPC600 Diotec Semiconductor KBPC600 1.0840
RFQ
ECAD 9424 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, KBPC-6 기준 KBPC6 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-KBPC600 8541.10.0000 200 1.2 v @ 3 a 5 µa @ 50 v 3.8 a 단일 단일 50 v
B250C1500A Diotec Semiconductor B250C1500A 0.9390
RFQ
ECAD 8 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-sip 기준 4-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-B250C1500A 8541.10.0000 500 1.1 v @ 2 a 5 µa @ 600 v 1.8 a 단일 단일 600 v
GBI15A Diotec Semiconductor GBI15A 0.6932
RFQ
ECAD 7137 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBI 기준 GBI 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-GBI15A 8541.10.0000 500 1.1 v @ 7.5 a 5 µa @ 50 v 3.2 a 단일 단일 50 v
ZMD56 Diotec Semiconductor ZMD56 0.0802
RFQ
ECAD 6513 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 1 W. DO-213AA, 미니 마이프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-zmd56tr 8541.10.0000 2,500 500 na @ 36 v 56 v 70 옴
MMS3Z3B3 Diotec Semiconductor MMS3Z3B3 0.0333
RFQ
ECAD 2652 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-mms3z3b3tr 8541.10.0000 3,000 5 µa @ 1 v 3.3 v 95 옴
GBU6G-T Diotec Semiconductor gbu6g-t 0.3371
RFQ
ECAD 7786 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-GBU6G-T 8541.10.0000 1,000 1 V @ 6 a 5 µa @ 400 v 4.2 a 단일 단일 400 v
B80S-SLIM Diotec Semiconductor B80S-SLIM 0.3700
RFQ
ECAD 36 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 4- 딜 슬림 다운로드 적용 적용 수 할 적용 적용 수 할 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0000 1,500 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 160 v 1 a 단일 단일 160 v
S3J-AQ Diotec Semiconductor S3J-AQ 0.1623
RFQ
ECAD 6880 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 SMC (DO-214AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-S3J-AQTR 8541.10.0000 3,000 600 v 1 V @ 3 a 1.5 µs 5 µa @ 600 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고