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불연속 불연속 제품 (3563)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
ZPY43 Diotec Semiconductor ZPY43 0.0986
RFQ
 ECAD 4807 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-41, 축 방향 1.3 w DO-41/DO-204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-zpy43tr 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 20 v 43 v 24 옴
BY500-600 Diotec Semiconductor by500-600 0.1290
RFQ
 ECAD 4983 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 기준 Do-201 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-by500-600tr 8541.10.0000 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 V @ 5 a 200 ns 5 µa @ 600 v -50 ° C ~ 175 ° C 5a -
KBPC3501I Diotec Semiconductor KBPC3501I 3.5642
RFQ
 ECAD 8032 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBPC 기준 4-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-KBPC3501I 8541.10.0000 240 1.1 v @ 17.5 a 10 µa @ 100 v 35 a 단일 단일 100 v
GBU4J-T Diotec Semiconductor gbu4j-t 0.3087
RFQ
 ECAD 5490 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-GBU4J-T 8541.10.0000 1,000 1 V @ 4 a 5 µa @ 600 v 2.8 a 단일 단일 600 v
RA2510 Diotec Semiconductor RA2510 0.3583
RFQ
 ECAD 7465 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 라 기준 라 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-RA2510TR 8541.10.0000 10,000 짐 1000 v 1.1 v @ 80 a 1.5 µs 5 µa @ 1000 v -50 ° C ~ 175 ° C 25A -
KYZ25K05 Diotec Semiconductor KYZ25K05 1.5769
RFQ
 ECAD 7070 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 구멍을 구멍을 DO-208AA 기준 DO-208 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-KYZ25K05 8541.10.0000 500 짐 50 v 1.1 v @ 25 a 100 µa @ 50 v -50 ° C ~ 175 ° C 25A -
BY298 Diotec Semiconductor by298 -
RFQ
 ECAD 5734 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 기준 Do-201 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-by298tr 8541.10.0000 1,700 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 3 a 500 ns 5 µa @ 400 v -50 ° C ~ 150 ° C 2A -
3EZ16 Diotec Semiconductor 3EZ16 0.0995
RFQ
 ECAD 2615 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 3 w DO15/DO204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-3EZ16TR 8541.10.0000 4,000 1 µa @ 10 v 16 v 6 옴
KBPC3504WP Diotec Semiconductor KBPC3504WP 2.5983
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, KBPC WP 기준 KBPC WP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-KBPC3504WP 8541.10.0000 160 1.1 v @ 17.5 a 10 µa @ 400 v 35 a 단일 단일 400 v
KBPC3502WP Diotec Semiconductor KBPC3502WP 2.5983
RFQ
 ECAD 640 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, KBPC WP 기준 KBPC WP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-KBPC3502WP 8541.10.0000 160 1.1 v @ 17.5 a 10 µa @ 200 v 35 a 단일 단일 200 v
3EZ20 Diotec Semiconductor 3EZ20 0.0995
RFQ
 ECAD 6778 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 3 w DO15/DO204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-3EZ20TR 8541.10.0000 4,000 1 µa @ 10 v 20 v 6 옴
DB35-14 Diotec Semiconductor DB35-14 5.0182
RFQ
 ECAD 4605 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 5 3, DB-35 기준 DB-35 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-DB35-14 8541.10.0000 50 1.05 V @ 17.5 a 10 µa @ 1400 v 35 a 3 단계 1.4kV
B500C1500A Diotec Semiconductor B500C1500A 0.9390
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-sip 기준 4-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-B500C1500A 귀 99 8541.10.0000 500 1.1 v @ 2 a 5 µa @ 1000 v 1.8 a 단일 단일 1kv
GBI40M Diotec Semiconductor GBI40M 1.6306
RFQ
 ECAD 4120 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBI 기준 GBI 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-GBI40m 8541.10.0000 500 1.1 v @ 20 a 5 µa @ 1000 v 6 a 단일 단일 1kv
KBPC2510I Diotec Semiconductor KBPC2510I 3.2932
RFQ
 ECAD 1302 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, KBPC 기준 KBPC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-KBPC2510I 8541.10.0000 240 1.2 v @ 12.5 a 10 µa @ 1000 v 25 a 단일 단일 1kv
KBPC5001FP Diotec Semiconductor KBPC5001FP 3.3157
RFQ
 ECAD 720 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 4- 스퀘어, KBPC 기준 KBPC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-KBPC5001FP 8541.10.0000 240 1.1 v @ 25 a 10 µa @ 100 v 50 a 단일 단일 100 v
ZY150 Diotec Semiconductor ZY150 0.0986
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-41, 축 방향 2 w DO-41/DO-204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-zy150tr 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 75 v 150 v 100 옴
SBCT30150 Diotec Semiconductor SBCT30150 1.0127
RFQ
 ECAD 5663 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-SBCT30150 8541.10.0000 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 15a 750 mV @ 15 a 100 µa @ 150 v -50 ° C ~ 150 ° C
ABS15Y Diotec Semiconductor abs15y 0.2379
RFQ
 ECAD 65 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 ABS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-ABS15YTR 8541.10.0000 5,000 1.3 V @ 2 a 5 µa @ 2000 v 2 a 단일 단일 2kv
KYZ25K4 Diotec Semiconductor KYZ25K4 1.7713
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 구멍을 구멍을 DO-208AA 기준 DO-208 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-KYZ25K4 8541.10.0000 500 짐 400 v 1.1 v @ 25 a 1.5 µs 100 µa @ 400 v -50 ° C ~ 175 ° C 25A -
KBPC600 Diotec Semiconductor KBPC600 1.0840
RFQ
 ECAD 9424 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, KBPC-6 기준 KBPC6 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-KBPC600 8541.10.0000 200 1.2 v @ 3 a 5 µa @ 50 v 3.8 a 단일 단일 50 v
B250C1500A Diotec Semiconductor B250C1500A 0.9390
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-sip 기준 4-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-B250C1500A 8541.10.0000 500 1.1 v @ 2 a 5 µa @ 600 v 1.8 a 단일 단일 600 v
GBI15A Diotec Semiconductor GBI15A 0.6932
RFQ
 ECAD 7137 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBI 기준 GBI 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-GBI15A 8541.10.0000 500 1.1 v @ 7.5 a 5 µa @ 50 v 3.2 a 단일 단일 50 v
GBU6G-T Diotec Semiconductor gbu6g-t 0.3371
RFQ
 ECAD 7786 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-GBU6G-T 8541.10.0000 1,000 1 V @ 6 a 5 µa @ 400 v 4.2 a 단일 단일 400 v
B80S-SLIM Diotec Semiconductor B80S-SLIM 0.3700
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 4- 딜 슬림 다운로드 적용 적용 수 할 적용 적용 수 할 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0000 1,500 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 160 v 1 a 단일 단일 160 v
S380F Diotec Semiconductor S380F 0.1938
RFQ
 ECAD 8623 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-269AA, 4- 베스 외 기준 to-269aa 9 딜 슬림 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-S380FTR 8541.10.0000 5,000 1.3 v @ 800 ma 5 µa @ 800 v 800 MA 단일 단일 800 v
FRL1B Diotec Semiconductor FRL1B 0.0374
RFQ
 ECAD 8833 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F 기준 SOD-123F (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-FRL1BTR 8541.10.0000 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 100 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
GBU12K-T Diotec Semiconductor GBU12K-T 1.5875
RFQ
 ECAD 6326 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-GBU12K-T 8541.10.0000 1,000 1 V @ 12 a 5 µa @ 800 v 8.4 a 단일 단일 800 v
GBU12B-T Diotec Semiconductor GBU12B-T 1.5875
RFQ
 ECAD 3452 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-GBU12B-T 8541.10.0000 1,000 1 V @ 12 a 5 µa @ 100 v 8.4 a 단일 단일 100 v
GBI15M Diotec Semiconductor GBI15M 0.8035
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBI 기준 GBI 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-GBI15M 8541.10.0000 500 1.1 v @ 7.5 a 5 µa @ 1000 v 3.2 a 단일 단일 1kv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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