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불연속 불연속 제품 (3563)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
MYS80 Diotec Semiconductor Mys80 0.1352
RFQ
 ECAD 4489 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-269AA, 4- 베스 외 기준 4- SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-mys80tr 8541.10.0000 4,000 1.2 v @ 500 ma 5 µa @ 160 v 500 MA 단일 단일 160 v
PT800G-CT Diotec Semiconductor PT800G-CT 1.2563
RFQ
 ECAD 2353 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 PT800G 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-PT800G-CT 8541.10.0000 50 짐 400 v 1.1 v @ 8 a 5 µa @ 400 v -50 ° C ~ 150 ° C 8a -
BZX84B15-AQ Diotec Semiconductor BZX84B15-AQ 0.0390
RFQ
 ECAD 6810 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 표면 표면 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-BZX84B15-AQTR 8541.10.0000 3,000 15 v 30 옴
DI020P06PT Diotec Semiconductor di020p06pt 0.9379
RFQ
 ECAD 8871 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerQFN 3x3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-di020p06pttr 8541.29.0000 5,000 p 채널 20A 29.7W
SK510SMA-AQ Diotec Semiconductor SK510SMA-AQ 0.2856
RFQ
 ECAD 8443 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-SK510SMA-AQTR 8541.10.0000 7,500 100 v 5a
ZMC24B Diotec Semiconductor ZMC24B 0.0688
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 ECAD 8548 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW Quadro Micromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-zmc24btr 8541.10.0000 2,500 24 v 80 옴
DI038N04PQ2 Diotec Semiconductor di038n04pq2 0.7965
RFQ
 ECAD 5470 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DI038N04 MOSFET (금속 (() 31W (TC) PG-TDSON-8-4 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-DI038N04PQ2TR 8541.21.0000 5,000 2 n 채널 (채널) 45V 38A (TC) 12MOHM @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 14NC @ 10V 830pf @ 30v -
BC857S-AQ Diotec Semiconductor BC857S-AQ 0.0553
RFQ
 ECAD 5718 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BC857 250MW SOT-363 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-BC857S-AQTR 8541.21.0000 3,000 45V 100ma 15NA (ICBO) 2 PNP (() 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 100MHz
SK1080D2R Diotec Semiconductor SK1080D2R 0.5862
RFQ
 ECAD 3108 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB Schottky TO-263AB (D2PAK) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 8541.10.0000 4,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 80 v 830 mv @ 10 a 200 µa @ 80 v -50 ° C ~ 150 ° C 10A -
S8D Diotec Semiconductor S8D 0.2843
RFQ
 ECAD 1896 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 SMC (DO-214AB) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-S8DTR 8541.10.0000 3,000 짐 200 v 980 MV @ 8 a 1.5 µs 10 µa @ 200 v -50 ° C ~ 150 ° C 8a -
DI040P04PT-AQ Diotec Semiconductor di040p04pt-aq 0.6813
RFQ
 ECAD 8932 0.00000000 diotec 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn DI040P04 MOSFET (금속 (() 8-QFN (3x3) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-di040p04pt-aqtr 8541.21.0000 5,000 p 채널 40 v 40A (TC) 4.5V, 10V 15mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 59 NC @ 10 v ± 20V 3538 pf @ 20 v - 22.7W (TC)
ZMY62B Diotec Semiconductor ZMY62B 0.0913
RFQ
 ECAD 8454 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF 1.3 w Melf do-213ab 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-zmy62btr 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 28 v 62 v 25 옴
ZMY6B8G Diotec Semiconductor zmy6b8g 0.1171
RFQ
 ECAD 9412 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF 1 W. Melf do-213ab 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-ZMY6B8GTR 8541.10.0000 5,000 500 na @ 2 v 6.8 v 1 옴
ABS20M Diotec Semiconductor abs20m 0.0930
RFQ
 ECAD 8716 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 abs20 기준 ABS 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-ABS20MTR 8541.10.0000 5,000 1.1 v @ 2 a 5 µa @ 1000 v 2 a 단일 단일 1kv
ZMY5B1G Diotec Semiconductor zmy5b1g 0.1171
RFQ
 ECAD 1106 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF 1 W. Melf do-213ab 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-ZMY5B1GTR 8541.10.0000 5,000 10 µa @ 700 mV 5.1 v 2 옴
DIT085N10 Diotec Semiconductor DIT085N10 1.9211
RFQ
 ECAD 4840 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 DIT085N MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 공급 공급 정의되지 업체는 2796-DIT085N10 8541.21.0000 1,000 n 채널 100 v 85A (TC) 4.5V, 10V 4.8mohm @ 50a, 10V 2.4V @ 250µA 75 NC @ 10 v ± 20V 3742 pf @ 50 v - 62.5W (TC)
DI006P02PW Diotec Semiconductor di006p02pw 0.2415
RFQ
 ECAD 6341 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerudfn di006p02 MOSFET (금속 (() 8-QFN (2x2) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-di006p02pwtr 8541.21.0000 4,000 p 채널 20 v 6A (TC) 2.5V, 4.5V 25mohm @ 6a, 4.5v 1V @ 250µA 13 nc @ 4.5 v ± 12V 1242 pf @ 10 v - 2W (TC)
ZPD12B Diotec Semiconductor ZPD12B 0.0225
RFQ
 ECAD 5013 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 공급 공급 정의되지 업체는 2796-ZPD12BTB 8541.10.0000 10,000 1 v @ 100 ma 100 na @ 9 v 12 v 7 옴
ES3DSMB Diotec Semiconductor es3dsmb 0.3534
RFQ
 ECAD 8704 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB 기준 SMB (DO-214AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 8541.10.0000 48,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 900 mV @ 3 µA 25 ns 5 a @ 200 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A -
DB35-12 Diotec Semiconductor DB35-12 35.0070
RFQ
 ECAD 4220 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 5 3, DB-35 기준 DB-35 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 요청시 요청시 도달하십시오 2721-DB35-12 8541.10.0000 30 1.05 V @ 17.5 a 10 µa @ 1200 v 35 a 3 단계 1.2kV
GBI25D Diotec Semiconductor GBI25D 3.4136
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBI 기준 GBI 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 요청시 요청시 도달하십시오 2721-GBI25D 8541.10.0000 30 1.1 v @ 12.5 a 5 µa @ 200 v 4.2 a 단일 단일 200 v
GBI25A Diotec Semiconductor GBI25A 3.5919
RFQ
 ECAD 9641 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBI 기준 GBI 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 요청시 요청시 도달하십시오 2721-GBI25A 8541.10.0000 30 1.1 v @ 12.5 a 5 µa @ 50 v 4.2 a 단일 단일 50 v
B500C1500A Diotec Semiconductor B500C1500A 0.9390
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-sip 기준 4-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-B500C1500A 귀 99 8541.10.0000 500 1.1 v @ 2 a 5 µa @ 1000 v 1.8 a 단일 단일 1kv
2CL71 Diotec Semiconductor 2CL71 0.2515
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 축 기준 축 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-2CL71TR 8541.10.0000 5,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 8000 v 36 V @ 10 ma 80 ns 2 µa @ 8000 v -40 ° C ~ 120 ° C 5MA -
GBI40M Diotec Semiconductor GBI40M 1.6306
RFQ
 ECAD 4120 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBI 기준 GBI 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-GBI40m 8541.10.0000 500 1.1 v @ 20 a 5 µa @ 1000 v 6 a 단일 단일 1kv
ZPY15 Diotec Semiconductor ZPY15 0.0986
RFQ
 ECAD 9821 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-41, 축 방향 1.3 w DO-41/DO-204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-ZPY15TR 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 10 v 15 v 5 옴
KBPC2510I Diotec Semiconductor KBPC2510I 3.2932
RFQ
 ECAD 1302 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, KBPC 기준 KBPC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-KBPC2510I 8541.10.0000 240 1.2 v @ 12.5 a 10 µa @ 1000 v 25 a 단일 단일 1kv
KBPC5001FP Diotec Semiconductor KBPC5001FP 3.3157
RFQ
 ECAD 720 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 4- 스퀘어, KBPC 기준 KBPC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-KBPC5001FP 8541.10.0000 240 1.1 v @ 25 a 10 µa @ 100 v 50 a 단일 단일 100 v
3EZ43 Diotec Semiconductor 3EZ43 0.0995
RFQ
 ECAD 1481 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 3 w DO15/DO204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-3EZ43TR 8541.10.0000 4,000 1 µa @ 20 v 43 v 24 옴
ZY150 Diotec Semiconductor ZY150 0.0986
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-41, 축 방향 2 w DO-41/DO-204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-zy150tr 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 75 v 150 v 100 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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