전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | KBPC3512FP | 3.0805 | ![]() | 8158 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 상자 | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 4- 스퀘어, KBPC35 | 기준 | KBPC35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 2721-KBPC3512FP | 8541.10.0000 | 240 | 1.1 v @ 17.5 a | 10 µa @ 1200 v | 35 a | 단일 단일 | 1.2kV | |||||||||||||||||||
![]() | KBPC5004FP | 3.5710 | ![]() | 1 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 상자 | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 4- 스퀘어, KBPC35 | 기준 | KBPC35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 2721-KBPC5004FP | 8541.10.0000 | 240 | 1.1 v @ 25 a | 10 µa @ 400 v | 50 a | 단일 단일 | 400 v | |||||||||||||||||||
![]() | 1N5408KR | 0.0995 | ![]() | 2501 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | 기준 | DO-15 (DO-204AC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 2796-1N5408KRTR | 8541.10.0000 | 4,000 | 짐 | 1000 v | 1.1 v @ 3 a | 1.5 µs | 5 µa @ 1000 v | -50 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||
![]() | S3A | 0.0705 | ![]() | 45 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | 기준 | SMC (DO-214AB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2796-s3atr | 8541.10.0000 | 3,000 | 짐 | 50 v | 1.15 V @ 3 a | 1.5 µs | 5 µa @ 50 v | -50 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||
![]() | ES1A | 0.1317 | ![]() | 5327 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | 기준 | DO-214AC, SMA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2796-es1atr | 8541.10.0000 | 7,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 920 MV @ 1 a | 15 ns | 5 µa @ 50 v | -50 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||
![]() | MM1Z4756A | 0.1033 | ![]() | 3279 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123F | 1 W. | SOD-123F (SMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2796-MM1Z4756AT | 8541.10.0000 | 3,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 35 v | 47 v | 80 옴 | |||||||||||||||||||
![]() | KBPC3510WP | 2.5983 | ![]() | 12 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 상자 | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4- 스퀘어, KBPC WP | 기준 | KBPC WP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 2721-KBPC3510WP | 8541.10.0000 | 160 | 1.1 v @ 17.5 a | 10 µa @ 1000 v | 35 a | 단일 단일 | 1kv | |||||||||||||||||||
![]() | BC856B-AQ | 0.3399 | ![]() | 4649 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 조각 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC856 | 250 MW | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2721-BC856B-AQ | 30 | 65 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 220 @ 2MA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||
![]() | DI13001 | 0.1160 | ![]() | 6818 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 800MW | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2796-di13001tr | 8541.21.0000 | 3,000 | 450 v | 250 MA | 10µA | NPN | 600mv @ 20ma, 100ma | 10 @ 50MA, 5V | - | |||||||||||||||||
![]() | GBU6D | 0.3371 | ![]() | 17 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 상자 | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBU | 기준 | GBU | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 2796-GBU6D | 8541.10.0000 | 1,000 | 1 V @ 6 a | 5 µa @ 200 v | 4.2 a | 단일 단일 | 200 v | ||||||||||||||||||
![]() | P2500D-CT | 2.5758 | ![]() | 1689 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 조각 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | p600, 축, | P2500 | 기준 | P600 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 요청시 요청시 도달하십시오 | 2721-P2500D-CT | 8541.10.0000 | 12 | 짐 | 200 v | 1.1 v @ 25 a | 1.5 µs | 10 µa @ 200 v | -50 ° C ~ 175 ° C | 25A | - | |||||||||||||||
![]() | SB12100 | 0.6642 | ![]() | 2410 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | 축 | Schottky | 축 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 2796-SB12100tr | 8541.10.0000 | 1,250 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 830 mv @ 12 a | 500 µa @ 100 v | -50 ° C ~ 150 ° C | 12a | - | ||||||||||||||||||
![]() | RGL34G | 0.0602 | ![]() | 3472 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-213AA | 기준 | DO-213AA, 미니 마이프 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2796-RGL34GTR | 8541.10.0000 | 2,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.3 v @ 500 ma | 150 ns | 5 µa @ 400 v | -50 ° C ~ 175 ° C | 500ma | - | |||||||||||||||||
![]() | ZPD4B3 | 0.0241 | ![]() | 9603 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | rohs 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받습니다 | 2796-zpd4b3tr | 8541.10.0000 | 10,000 | 43 v | 70 옴 | ||||||||||||||||||||
![]() | SMZ110 | 0.0772 | ![]() | 9147 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | 2 w | Melf do-213ab | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2796-SMZ110tr | 8541.10.0000 | 5,000 | 1 µa @ 50 v | 110 v | 80 옴 | ||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C51 | 0.4060 | ![]() | 1423 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 조각 | 활동적인 | ± 5% | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123F | 500MW | SOD-123F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2721-BZT52C51 | 30 | 1 µa @ 39 v | 51 v | 180 옴 | ||||||||||||||||||||||
![]() | abs6 | 0.0480 | ![]() | 30 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 날개 | 기준 | ABS | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2796-ABS6TR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1.1 v @ 800 ma | 5 µa @ 600 v | 800 MA | 단일 단일 | 600 v | |||||||||||||||||||
![]() | KBPC5010WP | 3.3889 | ![]() | 5221 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 상자 | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4- 스퀘어, KBPC WP | 기준 | KBPC WP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 2721-KBPC5010WP | 8541.10.0000 | 160 | 1.1 v @ 25 a | 10 µa @ 1000 v | 50 a | 단일 단일 | 1kv | |||||||||||||||||||
![]() | gbu8m | 0.4087 | ![]() | 10 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 상자 | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBU | 기준 | GBU | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 2796-GBU8M | 8541.10.0000 | 1,000 | 1 V @ 8 a | 5 µa @ 1000 v | 5.6 a | 단일 단일 | 1kv | ||||||||||||||||||
![]() | S500 | 0.1528 | ![]() | 2 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-269AA, 4- 베스 외 | 기준 | to-269aa 9 딜 슬림 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2796-S500tr | 8541.10.0000 | 5,000 | 1.1 v @ 800 ma | 5 µa @ 1000 v | 800 MA | 단일 단일 | 1kv | ||||||||||||||||||
![]() | MM5Z13-AQ | 0.0371 | ![]() | 7099 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-79, SOD-523 | 200 MW | SOD-523 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2796-MM5Z13-AQTR | 8541.10.0000 | 4,000 | 100 na @ 10 v | 13.25 v | 30 옴 | |||||||||||||||||||
![]() | 1N5382B | 0.2073 | ![]() | 4878 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | DO-201AA, DO-27, 축 방향 | 5 w | Do-201 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 2796-1N5382BTR | 8541.10.0000 | 1,700 | 500 NA @ 106 v | 140 v | 230 옴 | |||||||||||||||||||
![]() | SA159 | 0.0686 | ![]() | 10 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | 기준 | Melf do-213ab | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2796-SA159tr | 8541.10.0000 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 800 v | 1.3 v @ 1 a | 300 ns | 5 µa @ 800 v | -50 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||
![]() | ZMC27 | 0.0442 | ![]() | 5792 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500MW | SOD-80C | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2796-zmc27tr | 8541.10.0000 | 2,500 | 100 na @ 20 v | 27 v | 80 옴 | ||||||||||||||||||||
![]() | KYW25K05 | 1.7596 | ![]() | 6717 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 상자 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | DO-208AA | 기준 | DO-208 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 2796-KYW25K05 | 8541.10.0000 | 500 | 짐 | 50 v | 1.1 v @ 25 a | 100 µa @ 50 v | -50 ° C ~ 175 ° C | 25A | - | ||||||||||||||||||
![]() | ES1D-AQ | 0.1718 | ![]() | 3184 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2796-es1d-aqtr | 8541.10.0000 | 7,500 | 200 v | 1A | ||||||||||||||||||||||||
![]() | ZY33 | 0.0986 | ![]() | 20 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-41, 축 방향 | 2 w | DO-41/DO-204AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 2796-zy33tr | 8541.10.0000 | 5,000 | 1 µa @ 17 v | 33 v | 8 옴 | ||||||||||||||||||||
![]() | S250F | 0.1938 | ![]() | 9871 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-269AA, 4- 베스 외 | 기준 | to-269aa 9 딜 슬림 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2796-S250FTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1.3 v @ 800 ma | 5 µa @ 600 v | 800 MA | 단일 단일 | 600 v | |||||||||||||||||||
![]() | GL34M-CT | 0.3965 | ![]() | 5826 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 조각 | 활동적인 | 표면 표면 | DO-213AA | GL34M | 기준 | DO-213AA, 미니 마이프 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 요청시 요청시 도달하십시오 | 2721-GL34M-CT | 8541.10.0000 | 30 | 짐 | 1000 v | 1.3 v @ 500 ma | 1.5 µs | 5 µa @ 1 v | -50 ° C ~ 175 ° C | 500ma | - | |||||||||||||||
![]() | GBS4G | 0.9390 | ![]() | 1 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 상자 | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-sip | 기준 | 4-sip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 2721-GBS4G | 8541.10.0000 | 500 | 1.05 V @ 2 a | 5 µa @ 400 v | 2.3 a | 단일 단일 | 400 v |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고