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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 25 ° C. 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 짐 레귤레이터 레귤레이터 (전류) 전압- 최대 (제한)
Z1SMA82 Diotec Semiconductor Z1SMA82 0.0919
RFQ
 ECAD 2223 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-Z1SMA82TR 8541.10.0000 7,500 1 v @ 200 ma 1 µa @ 62 v 82 v 100 옴
MM1Z4702 Diotec Semiconductor MM1Z4702 0.0404
RFQ
 ECAD 6088 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-mm1z4702tr 8541.10.0000 24,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 11.4 v 15 v
ZMD10B Diotec Semiconductor ZMD10B 0.1011
RFQ
 ECAD 9504 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 1 W. DO-213AA, 미니 마이프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-zmd10btr 8541.10.0000 2,500 500 na @ 7 v 10 v 5.2 옴
SK36SMB Diotec Semiconductor SK36SMB 0.1458
RFQ
 ECAD 3015 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB SK36 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-SK36SMBTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 3 a 200 µa @ 60 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A -
ZMM62 Diotec Semiconductor ZMM62 0.0385
RFQ
 ECAD 9124 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW SOD-80C 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-zmm62tr 8541.10.0000 2,500 100 na @ 47 v 62 v 150 옴
Z3SMC43 Diotec Semiconductor Z3SMC43 0.2393
RFQ
 ECAD 7351 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 3 w SMC (DO-214AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-Z3SMC43TR 8541.10.0000 3,000 1 µa @ 20 v 43 v 24 옴
KBPC10/15/2514FP Diotec Semiconductor KBPC10/15/2514FP 2.6569
RFQ
 ECAD 9832 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 4- 스퀘어, KBPC FP 기준 KBPC FP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-KBPC10/15/2514FP 8541.10.0000 240 1.2 v @ 12.5 a 10 µa @ 1400 v 25 a 단일 단일 1.4kV
KBPC10/15/2516WP Diotec Semiconductor KBPC10/15/2516WP 2.6534
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, KBPC WP 기준 KBPC WP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-KBPC10/15/2516WP 8541.10.0000 160 1.2 v @ 12.5 a 10 µa @ 1600 v 25 a 단일 단일 1.6kV
SI-E8000-4 Diotec Semiconductor SI-E8000-4 200.0300
RFQ
 ECAD 9345 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 섀시 섀시 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-SI-E8000-4 8541.10.0000 1 짐 24000 v 12 V @ 4 a 1.5 µs 5 µa @ 24000 v -50 ° C ~ 150 ° C 4a -
KBPC3516FP Diotec Semiconductor KBPC3516FP 3.4485
RFQ
 ECAD 3785 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 4- 스퀘어, KBPC35 기준 KBPC35 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-KBPC3516FP 8541.10.0000 240 1.1 v @ 17.5 a 10 µa @ 1600 v 35 a 단일 단일 1.6kV
KYZ35A2 Diotec Semiconductor KYZ35A2 1.8521
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 구멍을 구멍을 DO-208AA 기준 DO-208 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-KyZ35A2 8541.10.0000 500 짐 200 v 1.1 v @ 35 a 1.5 µs 100 µa @ 200 v -50 ° C ~ 175 ° C 35a -
GBS4B Diotec Semiconductor GBS4B 0.9390
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-sip 기준 4-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-GBS4B 8541.10.0000 500 1.05 V @ 2 a 5 µa @ 100 v 2.3 a 단일 단일 100 v
GBU6D-T Diotec Semiconductor gbu6d-t 0.3371
RFQ
 ECAD 3825 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-GBU6D-T 8541.10.0000 1,000 1 V @ 6 a 5 µa @ 200 v 4.2 a 단일 단일 200 v
Z2SMB18 Diotec Semiconductor Z2SMB18 0.6415
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 2 w SMB (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 2721-Z2SMB18 30 1 µa @ 10 v 18 v 6 옴
BZX84C39 Diotec Semiconductor BZX84C39 0.3538
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 2721-BZX84C39 30 50 NA @ 27.3 v 39 v 130 옴
B80C1500A Diotec Semiconductor B80C1500A 3.2110
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-sip 기준 4-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-B80C1500A 8541.10.0000 500 1.1 v @ 2 a 5 µa @ 160 v 1.8 a 단일 단일 160 v
B250C1500B Diotec Semiconductor B250C1500B 3.2110
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-sip 기준 4-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-B250C1500B 8541.10.0000 500 1.1 v @ 2 a 5 µa @ 600 v 1.8 a 단일 단일 600 v
B80C1500B Diotec Semiconductor B80C1500B 3.2110
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-sip 기준 4-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-B80C1500B 8541.10.0000 500 1.1 v @ 2 a 5 µa @ 160 v 1.8 a 단일 단일 160 v
KBPC3500WP Diotec Semiconductor KBPC3500WP 2.0900
RFQ
 ECAD 7097 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, KBPC KBPC3500 기준 KBPC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-KBPC3500WP 귀 99 1 1.1 v @ 17.5 a 10 µa @ 50 v 35 a 단일 단일 50 v
BC549CBK Diotec Semiconductor BC549CBK 0.2012
RFQ
 ECAD 5905 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 2721-BC549CBK 30 30 v 100 MA 15NA NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 300MHz
CL40M45-AQ Diotec Semiconductor CL40M45-AQ 0.7592
RFQ
 ECAD 7630 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 배터리 배터리, LED 충전기 표면 표면 DO-214AA, SMB CL40 1W SMB (DO-214AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 8541.10.0000 3,000 90V 46MA 3V
BZT52C51-AQ Diotec Semiconductor BZT52C51-AQ 0.4251
RFQ
 ECAD 9295 0.00000000 diotec 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F 500MW SOD-123F 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-BZT52C51-AQTR 8541.10.0000 3,000 1 µa @ 39 v 51 v 180 옴
ABS4 Diotec Semiconductor ABS4 0.2755
RFQ
 ECAD 1880 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 ABS 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 요청시 요청시 도달하십시오 2721-ABS4TR 8541.10.0000 1,250 1.1 v @ 800 ma 5 µa @ 400 v 800 MA 단일 단일 400 v
2BZX84C5V6-AQ Diotec Semiconductor 2BZX84C5V6-AQ 0.0431
RFQ
 ECAD 9295 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 표면 표면 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-2BZX84C5V6-AQTR 8541.10.0000 3,000 5.6 v 40
DI025N06PT Diotec Semiconductor di025n06pt 0.1919
RFQ
 ECAD 4858 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerQFN 3x3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-di025n06pttr 8541.29.0000 5,000 n 채널 25A 25W
ZPD15B Diotec Semiconductor ZPD15B 0.0225
RFQ
 ECAD 7395 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 2% 구멍을 구멍을 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 공급 공급 정의되지 업체는 2796-ZPD15BTB 8541.10.0000 10,000 15 v 11 옴
DI049N06PTK Diotec Semiconductor di049n06ptk 0.8306
RFQ
 ECAD 2955 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerQFN 3x3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-di049n06ptktr 8541.29.0000 5,000 n 채널 49a 25W
MMSZ5250B-AQ Diotec Semiconductor MMSZ5250B-AQ 0.0407
RFQ
 ECAD 3325 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 표면 표면 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-MMSZ5250B-AQTR 8541.10.0000 3,000 20 v 25 옴
DI100N04D1-AQ Diotec Semiconductor DI100N04D1-AQ 1.3268
RFQ
 ECAD 7609 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-DI100N04D1-AQTR 8541.29.0000 2,500 n 채널 100A 69W
DI028N10PQ2-AQ Diotec Semiconductor di028n10pq2-aq 1.6588
RFQ
 ECAD 6387 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerQFN 5x6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-di028n10pq2-aqtr 8541.29.0000 5,000 n 채널 28a 28W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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