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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 HTSUS 표준 표준 속도 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
KBPC5010FP Diotec Semiconductor KBPC5010FP 3.9536
RFQ
ECAD 1 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 4- 스퀘어, KBPC35 기준 KBPC35 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-KBPC5010FP 8541.10.0000 240 1.1 v @ 25 a 10 µa @ 1000 v 50 a 단일 단일 1kv
PPS1545-3G Diotec Semiconductor PPS1545-3G 0.3995
RFQ
ECAD 2178 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn Schottky TO-277-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-PPS1545-3GTR 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 550 mV @ 15 a 500 µa @ 45 v -50 ° C ~ 150 ° C 15a -
ZPY24 Diotec Semiconductor ZPY24 0.0986
RFQ
ECAD 5423 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-41, 축 방향 1.3 w DO-41/DO-204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-Zpy24tr 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 12 v 24 v 7 옴
ZMM22B Diotec Semiconductor ZMM22B 0.0358
RFQ
ECAD 8421 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW SOD-80C 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-zmm22btr 8541.10.0000 2,500 100 na @ 16 v 22 v 55 옴
MM3Z3V6 Diotec Semiconductor MM3Z3V6 0.0304
RFQ
ECAD 9631 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-mm3z3v6tr 8541.10.0000 3,000 1 V @ 10 ma 10 µa @ 1 v 3.6 v 85 옴
P600K-CT Diotec Semiconductor P600K-CT 1.0634
RFQ
ECAD 330 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 구멍을 구멍을 p600, 축, P600K 기준 P600 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-P600K-CT 8541.10.0000 12 800 v 1.1 v @ 6 a 1.5 µs 10 µa @ 800 v -50 ° C ~ 150 ° C 6A -
ZMC22 Diotec Semiconductor ZMC22 0.0442
RFQ
ECAD 2395 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW SOD-80C 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-ZMC22TR 8541.10.0000 2,500 100 na @ 16 v 22 v 55 옴
BC327-16 Diotec Semiconductor BC327-16 0.0328
RFQ
ECAD 5077 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F 625 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2796-BC327-16TR 8541.21.0000 4,000 45 v 800 MA 100NA PNP 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1v 100MHz
MM3Z3V9 Diotec Semiconductor MM3Z3V9 -
RFQ
ECAD 8434 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-mm3z3v9tr 8541.10.0000 3,000 1 V @ 10 ma 5 µa @ 1 v 3.9 v 85 옴
SK34SMB Diotec Semiconductor SK34SMB 0.1382
RFQ
ECAD 117 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB SK34 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-SK34SMBTR 8541.10.0000 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 3 a 200 µa @ 40 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A -
MMSZ5240B-AQ Diotec Semiconductor MMSZ5240B-AQ 0.0407
RFQ
ECAD 4164 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 표면 표면 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-MMSZ5240B-AQTR 8541.10.0000 3,000 10 v 17 옴
SMS1100 Diotec Semiconductor SMS1100 0.1263
RFQ
ECAD 6104 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AB, MELF Schottky Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-sms1100tr 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 790 MV @ 1 a 500 µa @ 100 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
Z3SMC68 Diotec Semiconductor Z3SMC68 0.2393
RFQ
ECAD 1281 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 3 w SMC (DO-214AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-Z3SMC68TR 8541.10.0000 3,000 1 µa @ 34 v 68 v 25 옴
BZT52B27 Diotec Semiconductor BZT52B27 0.0355
RFQ
ECAD 4094 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BZT52B27TR 8541.10.0000 12,000 100 na @ 19 v 27 v 150 옴
MM5Z30 Diotec Semiconductor MM5Z30 0.0333
RFQ
ECAD 1246 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 200 MW SOD-523 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-mm5z30tr 8541.10.0000 4,000 50 na @ 21 v 30 v 80 옴
ZMY120B Diotec Semiconductor ZMY120B 0.0913
RFQ
ECAD 7691 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF 1.3 w Melf do-213ab 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-ZMY120BTR 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 60 v 120 v 80 옴
MM3Z10-AQ Diotec Semiconductor MM3Z10-AQ 0.0363
RFQ
ECAD 4260 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-MM3Z10-AQTR 8541.10.0000 3,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 7 v 10 v 20 옴
BZX84C13-AQ Diotec Semiconductor BZX84C13-AQ 0.0333
RFQ
ECAD 2206 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BZX84C13-AQTR 8541.10.0000 3,000 100 na @ 8 v 13 v 30 옴
S3ASMB Diotec Semiconductor S3ASMB 0.0482
RFQ
ECAD 8611 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB 기준 SMB (DO-214AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-S3ASMBTR 8541.10.0000 3,000 50 v 1.1 v @ 3 a 1.5 µs 5 µa @ 50 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZX84B5V6-AQ Diotec Semiconductor BZX84B5V6-AQ 0.0415
RFQ
ECAD 5010 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-BZX84B5V6-AQTR 8541.10.0000 3,000 1 µa @ 2 v 5.6 v 40
BY880-1000 Diotec Semiconductor by880-1000 0.3038
RFQ
ECAD 3 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 기준 Do-201 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-by880-1000tr 8541.10.0000 1,250 1000 v 1.1 v @ 8 a 1.5 µs 5 µa @ 1000 v -50 ° C ~ 175 ° C 8a -
MM3Z5V1GW Diotec Semiconductor MM3Z5V1GW 0.0271
RFQ
ECAD 5827 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 300MW SOD-323 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-MM3Z5V1GWTR 8541.10.0000 3,000 2 µa @ 2 v 5.1 v 60 옴
MMSZ5261B Diotec Semiconductor MMSZ5261B 0.0304
RFQ
ECAD 2710 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-MMSZ5261BTR 8541.10.0000 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 36 v 47 v 105 옴
BCP55-16-AQ Diotec Semiconductor BCP55-16-AQ 0.1499
RFQ
ECAD 4116 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-BCP55-16-AQTR 8541.29.0000 4,000 60 v 1 a NPN 500V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 2v 100MHz
ZMD13B Diotec Semiconductor ZMD13B 0.1011
RFQ
ECAD 2 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 1 W. DO-213AA, 미니 마이프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-ZMD13BTR 8541.10.0000 2,500 500 na @ 9 v 13 v 9 옴
ZMM62R13 Diotec Semiconductor ZMM62R13 0.0415
RFQ
ECAD 150 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW SOD-80C 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-ZMM62R13TR 8541.10.0000 10,000 100 na @ 47 v 62 v 150 옴
Z2SMB30 Diotec Semiconductor Z2SMB30 0.2149
RFQ
ECAD 5940 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 2 w SMB (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-Z2SMB30tr 8541.10.0000 3,000 1 µa @ 14 v 30 v 8 옴
KBPC3514WP Diotec Semiconductor KBPC3514WP 3.0992
RFQ
ECAD 9 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, KBPC WP 기준 KBPC WP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-KBPC3514WP 8541.10.0000 160 1.1 v @ 17.5 a 10 µa @ 1400 v 35 a 단일 단일 1.4kV
Z1SMA13 Diotec Semiconductor Z1SMA13 0.0919
RFQ
ECAD 22 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-Z1SMA13TR 8541.10.0000 7,500 1 v @ 200 ma 1 µa @ 7 v 13 v 9 옴
P1000S Diotec Semiconductor P1000 0.6474
RFQ
ECAD 7 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 p600, 축, 기준 P600 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-P1000STR 8541.10.0000 1,000 1200 v 1.05 V @ 10 a 1.5 µs 10 µa @ 1200 v -50 ° C ~ 175 ° C 10A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고