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불연속 불연속 제품 (3563)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 짐 레귤레이터 레귤레이터 (전류) 전압- 최대 (제한)
GBU6D-T Diotec Semiconductor gbu6d-t 0.3371
RFQ
 ECAD 3825 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-GBU6D-T 8541.10.0000 1,000 1 V @ 6 a 5 µa @ 200 v 4.2 a 단일 단일 200 v
Z2SMB18 Diotec Semiconductor Z2SMB18 0.6415
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 2 w SMB (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 2721-Z2SMB18 30 1 µa @ 10 v 18 v 6 옴
BZX84C39 Diotec Semiconductor BZX84C39 0.3538
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 2721-BZX84C39 30 50 NA @ 27.3 v 39 v 130 옴
B80C1500A Diotec Semiconductor B80C1500A 3.2110
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-sip 기준 4-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-B80C1500A 8541.10.0000 500 1.1 v @ 2 a 5 µa @ 160 v 1.8 a 단일 단일 160 v
B250C1500B Diotec Semiconductor B250C1500B 3.2110
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-sip 기준 4-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-B250C1500B 8541.10.0000 500 1.1 v @ 2 a 5 µa @ 600 v 1.8 a 단일 단일 600 v
B80C1500B Diotec Semiconductor B80C1500B 3.2110
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-sip 기준 4-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-B80C1500B 8541.10.0000 500 1.1 v @ 2 a 5 µa @ 160 v 1.8 a 단일 단일 160 v
KBPC3500WP Diotec Semiconductor KBPC3500WP 2.0900
RFQ
 ECAD 7097 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, KBPC KBPC3500 기준 KBPC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-KBPC3500WP 귀 99 1 1.1 v @ 17.5 a 10 µa @ 50 v 35 a 단일 단일 50 v
BC549CBK Diotec Semiconductor BC549CBK 0.2012
RFQ
 ECAD 5905 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 2721-BC549CBK 30 30 v 100 MA 15NA NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 300MHz
CL40M45-AQ Diotec Semiconductor CL40M45-AQ 0.7592
RFQ
 ECAD 7630 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 배터리 배터리, LED 충전기 표면 표면 DO-214AA, SMB CL40 1W SMB (DO-214AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 8541.10.0000 3,000 90V 46MA 3V
BZT52C51-AQ Diotec Semiconductor BZT52C51-AQ 0.4251
RFQ
 ECAD 9295 0.00000000 diotec 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F 500MW SOD-123F 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-BZT52C51-AQTR 8541.10.0000 3,000 1 µa @ 39 v 51 v 180 옴
ABS4 Diotec Semiconductor ABS4 0.2755
RFQ
 ECAD 1880 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 ABS 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 요청시 요청시 도달하십시오 2721-ABS4TR 8541.10.0000 1,250 1.1 v @ 800 ma 5 µa @ 400 v 800 MA 단일 단일 400 v
2BZX84C5V6-AQ Diotec Semiconductor 2BZX84C5V6-AQ 0.0431
RFQ
 ECAD 9295 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 표면 표면 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-2BZX84C5V6-AQTR 8541.10.0000 3,000 5.6 v 40
DI025N06PT Diotec Semiconductor di025n06pt 0.1919
RFQ
 ECAD 4858 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerQFN 3x3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-di025n06pttr 8541.29.0000 5,000 n 채널 25A 25W
DI049N06PTK Diotec Semiconductor di049n06ptk 0.8306
RFQ
 ECAD 2955 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerQFN 3x3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-di049n06ptktr 8541.29.0000 5,000 n 채널 49a 25W
MMSZ5250B-AQ Diotec Semiconductor MMSZ5250B-AQ 0.0407
RFQ
 ECAD 3325 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 표면 표면 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-MMSZ5250B-AQTR 8541.10.0000 3,000 20 v 25 옴
DI100N04D1-AQ Diotec Semiconductor DI100N04D1-AQ 1.3268
RFQ
 ECAD 7609 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-DI100N04D1-AQTR 8541.29.0000 2,500 n 채널 100A 69W
DI028N10PQ2-AQ Diotec Semiconductor di028n10pq2-aq 1.6588
RFQ
 ECAD 6387 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerQFN 5x6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-di028n10pq2-aqtr 8541.29.0000 5,000 n 채널 28a 28W
DI064P04D1-AQ Diotec Semiconductor DI064P04D1-AQ 1.3932
RFQ
 ECAD 6605 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-DI064P04D1-AQTR 8541.29.0000 2,500 p 채널 64A 48.3W
ZMC9B1 Diotec Semiconductor ZMC9B1 0.0688
RFQ
 ECAD 9620 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW Quadro Micromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-zmc9b1tr 8541.10.0000 2,500 9.1 v 10 옴
BZT52B3V0 Diotec Semiconductor BZT52B3V0 0.0355
RFQ
 ECAD 5383 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F 500MW SOD-123F 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-BZT52B3V0TR 8541.10.0000 12,000 120 µa @ 1 v 3 v 120 옴
SM4000 Diotec Semiconductor sm4000 0.3390
RFQ
 ECAD 7584 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AB, MELF 기준 Melf do-213ab (플라스틱) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-SM4000TR 8541.10.0000 5,000 짐 4000 v 2.5 V @ 1 a 1.5 µs 5 µa @ 4 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
ZMY33B Diotec Semiconductor ZMY33B 0.0913
RFQ
 ECAD 3829 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF 1.3 w Melf do-213ab 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-ZMY33BTR 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 17 v 33 v 8 옴
GBV15G Diotec Semiconductor GBV15G 0.4580
RFQ
 ECAD 9907 0.00000000 diotec 반도체 - 대부분 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU 기준 GBU 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 공급 공급 정의되지 업체는 2796-GBV15G 8541.10.0000 1,000 1.1 v @ 7.5 a 5 µa @ 400 v 10.5 a 단일 단일 400 v
DI110N04PQ Diotec Semiconductor DI110N04PQ 0.7238
RFQ
 ECAD 4184 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DI110N04 MOSFET (금속 (() 8-QFN (5x6) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-di110n04pqtr 8541.21.0000 5,000 n 채널 40 v 110A (TC) 4.5V, 10V 2.5mohm @ 23a, 10V 2.5V @ 250µA 48 NC @ 10 v ± 20V 2980 pf @ 25 v - 45W (TC)
MM5Z4V3B Diotec Semiconductor MM5Z4V3B 0.0409
RFQ
 ECAD 2358 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 200 MW SOD-523 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-mm5z4v3btr 8541.10.0000 4,000 5 µa @ 1 v 4.3 v 100 옴
ABS20G Diotec Semiconductor abs20g 0.0930
RFQ
 ECAD 6834 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 abs20 기준 ABS 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-ABS20GTR 8541.10.0000 5,000 1.1 v @ 2 a 5 µa @ 400 v 2 a 단일 단일 400 v
PPH10100-AQ Diotec Semiconductor PPH10100-AQ 0.4648
RFQ
 ECAD 4201 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn Schottky TO-277 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-PPH10100-AQTR 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 680 mV @ 10 a 150 µa @ 100 v -50 ° C ~ 175 ° C 10A -
DI048N04PQ2-AQ Diotec Semiconductor DI048N04PQ2-AQ 0.7707
RFQ
 ECAD 7183 0.00000000 diotec 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DI048N04 MOSFET (금속 (() 27W (TC) PG-TDSON-8-4 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-DI048N04PQ2-AQTR 8541.21.0000 5,000 2 n 채널 (채널) 40V 48A (TC) 9.6mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 250µA 48NC @ 10V 2270pf @ 20V -
ZMY130B Diotec Semiconductor ZMY130B 0.0913
RFQ
 ECAD 5219 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF 1.3 w Melf do-213ab 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-ZMY130BTR 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 60 v 130 v 90 옴
ZMY160B Diotec Semiconductor ZMY160B 0.0913
RFQ
 ECAD 9388 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF 1.3 w Melf do-213ab 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-ZMY160BTR 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 75 v 160 v 110 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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