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불연속 불연속 제품 (3563)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 25 ° C. 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1)
ZY200 Diotec Semiconductor ZY200 0.0986
RFQ
 ECAD 7609 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-41, 축 방향 2 w DO-41/DO-204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-zy200tr 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 90 v 200 v 150 옴
BYW27-200 Diotec Semiconductor BYW27-200 0.1108
RFQ
 ECAD 5027 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-41, 축 방향 기준 DO-41/DO-204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-BYW27-200TR 8541.10.0000 5,000 짐 200 v 1.3 v @ 1 a 1.5 µs 200 na @ 200 v -50 ° C ~ 175 ° C 1A -
MMBTRC113SS Diotec Semiconductor MMBTRC113SS 0.0298
RFQ
 ECAD 1750 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTRC113 200 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-MMBTRC113SSTR 8541.21.0000 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 120 @ 1ma, 5V 250MHz 22 KOHMS
MM3Z4V7-AQ Diotec Semiconductor MM3Z4V7-AQ 0.0363
RFQ
 ECAD 8030 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-MM3Z4V7-AQTR 8541.10.0000 3,000 1 V @ 10 ma 2 µa @ 1 v 4.7 v 80 옴
BAT54AW Diotec Semiconductor Bat54aw 0.3718
RFQ
 ECAD 7610 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 Bat54 Schottky SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 요청시 요청시 도달하십시오 2721-BAT54AWTR 8541.10.0000 750 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 양극 양극 공통 30 v 200ma 1 v @ 100 ma 5 ns 3 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
ES2C Diotec Semiconductor ES2C 0.1680
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-es2ctr 8541.10.0000 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 900 mV @ 2 a 20 ns 5 µa @ 150 v -50 ° C ~ 150 ° C 2A -
UST1A Diotec Semiconductor UST1A 0.0331
RFQ
 ECAD 8493 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC, SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-ust1atr 8541.10.0000 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 50 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
BC337-40 Diotec Semiconductor BC337-40 0.0328
RFQ
 ECAD 9655 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2796-BC337-40TR 귀 99 8541.21.0000 4,000 45 v 800 MA 100NA NPN 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 100MHz
BY255 Diotec Semiconductor by255 0.0808
RFQ
 ECAD 586 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 기준 Do-201 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-by25tr 8541.10.0000 1,700 짐 1300 v 1.1 v @ 3 a 1.5 µs 5 µa @ 1300 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A -
DI008N09SQ Diotec Semiconductor DI008N09SQ 0.5290
RFQ
 ECAD 3511 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-DI008N09SQTR 8541.21.0000 4,000 n 채널 8a 2W
S2G-AQ-CT Diotec Semiconductor S2G-AQ-CT 0.4570
RFQ
 ECAD 4105 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB S2G 기준 SMB (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-S2G-AQ-CT 8541.10.0000 15 짐 400 v 1.15 V @ 2 a 1.5 µs 5 µa @ 400 v -50 ° C ~ 150 ° C 2A -
BZT52C3V3 Diotec Semiconductor BZT52C3V3 0.0304
RFQ
 ECAD 102 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BZT52C3V3TR 8541.10.0000 3,000 20 µa @ 1 v 3.3 v 130 옴
ZMC39 Diotec Semiconductor ZMC39 0.0442
RFQ
 ECAD 3443 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW SOD-80C 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-zmc39tr 8541.10.0000 2,500 100 na @ 30 v 39 v 90 옴
BAW56W Diotec Semiconductor baw56w 0.0477
RFQ
 ECAD 6688 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 baw56 기준 SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 8541.10.0000 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 양극 양극 공통 75 v 150ma 1.25 V @ 150 mA 4 ns 1 µa @ 75 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZT52C6V8GW Diotec Semiconductor BZT52C6V8GW 0.0244
RFQ
 ECAD 7098 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 표면 표면 350 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-BZT52C6V8GWTR 8541.10.0000 3,000 6.8 v 15 옴
PPL1550 Diotec Semiconductor PPL1550 0.5661
RFQ
 ECAD 1055 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn Schottky TO-277-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-ppl1550tr 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 520 MV @ 15 a 150 µa @ 50 v -50 ° C ~ 150 ° C 15a -
Z3SMC110 Diotec Semiconductor Z3SMC110 0.2393
RFQ
 ECAD 7394 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 3 w SMC (DO-214AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-Z3SMC110TR 8541.10.0000 3,000 1 µa @ 50 v 110 v 80 옴
1N5356B Diotec Semiconductor 1N5356B 0.2073
RFQ
 ECAD 9585 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 5 w Do-201 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2796-1n5356Btr 8541.10.0000 1,700 500 NA @ 14.4 v 19 v 3 옴
UST1B Diotec Semiconductor UST1B 0.0331
RFQ
 ECAD 5199 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC, SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-ust1btr 8541.10.0000 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 100 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
SK38SMA Diotec Semiconductor SK38SMA 0.1138
RFQ
 ECAD 9069 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA Schottky DO-214AC, SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-SK38SMATR 8541.10.0000 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 80 v 850 mV @ 3 a 100 µa @ 80 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A -
BAV199 Diotec Semiconductor BAV199 0.0304
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAV199 기준 SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 8541.10.0000 3,000 짐 1 연결 연결 시리즈 75 v 215MA 1.25 V @ 150 mA 3 µs 5 na @ 75 v -55 ° C ~ 150 ° C
MM3Z10B-AQ Diotec Semiconductor MM3Z10B-AQ 0.0401
RFQ
 ECAD 5794 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F 300MW SOD-323 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-MM3Z10B-AQTR 8541.10.0000 3,000 100 na @ 7 v 10 v 30 옴
SK24 Diotec Semiconductor SK24 0.0648
RFQ
 ECAD 252 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB SK24 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-sk24tr 8541.10.0000 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 2 a 500 µa @ 40 v -50 ° C ~ 150 ° C 2A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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