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불연속 불연속 제품 (10101)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
1N5925B3P-TP	0.1102	RFQ	1584	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5925		3 w	DO-41	다운로드				353-1N5925B3P-TP	귀 99	8541.10.0050	1																	1.5 v @ 200 ma		5 µa @ 8 v							10 v	4.5 옴
1N4749AW-TP	-	RFQ	7865	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	1N4749		1 W.	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	3,000																	1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 18.2 v							24 v	25 옴
MPSW01A-BP	-	RFQ	8192	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	MPSW01		625 MW	To-92	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		353-MPSW01A-BP	귀 99	8541.21.0095	1,000																							40 v	1 a	100NA (ICBO)			NPN	500mv @ 100ma, 1a	60 @ 100MA, 1V	50MHz
MMBTA94-TP	0.1568	RFQ	2240	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBTA94		350 MW	SOT-23	다운로드				353-MMBTA94-TP	귀 99	8541.21.0095	1																							400 v	100 MA	100NA (ICBO)			PNP	300mv @ 5ma, 50ma	80 @ 10ma, 5V	50MHz
MCMN2012-TP	-	RFQ	3483	마이크로 마이크로 공동	-	컷 컷 (CT)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-wdfn n 패드	MCMN2012	MOSFET (금속 (()		DFN2020-6J	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	30,000			n 채널	20 v	12A (TA)	1.2V, 4.5V	11mohm @ 9.7a, 4.5v	1V @ 250µA	32 NC @ 5 v	± 10V	1800 pf @ 4 v	-	-
BD438-BP	-	RFQ	5666	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-225AA, TO-126-3	BD438		1.25 w	TO-126	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	1,000																							45 v	4 a	100µA			PNP	600mv @ 200ma, 2a	40 @ 2a, 1v	3MHz
BZT52B17S-TP	-	RFQ	3492	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZT52B17		200 MW	SOD-323	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		100 na @ 13 v							17 v	40
SK320Q-TP	0.5500	RFQ	7147	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC		Schottky		DO-214AB (SMC)	다운로드		1 (무제한)					3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													200 v		900 mV @ 3 a		5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
2SC2983-O-TP	-	RFQ	6098	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	2SC2983		1 W.	D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0075	1,000																							160 v	1.5 a	1µA (ICBO)			NPN	1.5V @ 50MA, 500MA	70 @ 100MA, 5V	100MHz
MMBZ5227BW-TP	0.2000	RFQ	3	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-70, SOT-323	MMBZ5227		200 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		15 µa @ 1 v							3.6 v	24 옴
BC848CW-TP	0.0355	RFQ	7638	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	BC848		150 MW	SOT-323	다운로드				353-BC848CW-TP	귀 99	8541.21.0075	1																							30 v	100 MA	15NA (ICBO)			NPN	600mv @ 5ma, 100ma	420 @ 2MA, 5V	100MHz
SK310AFL-TP	0.4800	RFQ	5	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-221ac, sma 플랫 리드	SK310	Schottky		do-221ac (SMA-FL)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		850 mV @ 3 a		500 µa @ 100 v	-50 ° C ~ 125 ° C	3A	110pf @ 4V, 1MHz
BZV55C4V3-TP	-	RFQ	8396	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 7%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	BZV55C4V3		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500																	1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 1 v							4.3 v	75 옴
1N5239B-TP	-	RFQ	4089	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5239		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																	1.1 v @ 200 ma		3 µa @ 7 v							9.1 v	10 옴
1N4681-TP	-	RFQ	4857	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N4681		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	10,000																	1.5 v @ 100 ma		2 µa @ 1 v							2.4 v
BC548C-AP	-	RFQ	6750	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드	BC548		625 MW	To-92	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		353-BC548C-APTB	귀 99	8541.21.0075	2,000																							30 v	100 MA	-			NPN	300mv @ 5ma, 100ma	420 @ 2MA, 5V	300MHz
1N4934-TP	-	RFQ	6961	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4934	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		1.3 v @ 1 a	200 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
DZ23C20-TP	0.0474	RFQ	5831	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23C20		300MW	SOT-23	다운로드				353-DZ23C20-TP	귀 99	8541.10.0050	1	1 음극 음극 공통																		100 na @ 15 v							20 v	50 옴
SMAJ4742A-TP	0.4200	RFQ	18	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMAJ4742		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500																	1.2 v @ 100 ma		5 µa @ 9.1 v							12 v	9 옴
S3D	-	RFQ	1343	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AB, SMC	S3D	기준		SMC (DO-214AB)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		짐													200 v		1.2 v @ 3 a		10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
1N4747AP-TP	0.0806	RFQ	2904	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4747		1 W.	DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-1n4747ap-tptr	귀 99	8541.10.0050	5,000																	1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 15.2 v							20 v	22 옴
BAS40DW-04-TP	0.4700	RFQ	49	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BAS40	Schottky		SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도												2 연결 연결 시리즈	40 v	200ma	1 v @ 40 ma	5 ns	200 na @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C
SS35HT-TP	-	RFQ	4216	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123T	SS35	Schottky		SOD-123HT	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													50 v		700 mv @ 3 a		200 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	160pf @ 4V, 1MHz
SRA352GP-TP	-	RFQ	6003	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SRA	SRA352	기준		SRA	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1		짐													100 v		1 V @ 35 a		10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	35a	300pf @ 4V, 1MHz
BZT52B3V0BS-TP	0.0355	RFQ	3212	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZT52B3		400MW	SOD-323	다운로드				353-BZT52B3V0BS-TP	귀 99	8541.10.0050	1																	900 mV @ 10 ma		9 µa @ 1 v							3 v	89 옴
BZT52C11LP-TP	-	RFQ	6869	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5.45%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-882	BZT52C11		100MW	SOD-882	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	10,000																	900 mV @ 10 ma		100 na @ 8 v							11 v	20 옴
2SB1116-U-TP	-	RFQ	1399	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2SB1116		350 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.21.0095	1,000																							50 v	1 a	100NA (ICBO)			PNP	300mv @ 50ma, 1a	300 @ 100MA, 2V	70MHz
MMSZ5246B-TP	0.2000	RFQ	61	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	MMSZ5246		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		100 na @ 12 v							16 v	17 옴
BF422-AP	-	RFQ	7221	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드	BF422		830 MW	To-92	다운로드	Rohs3 준수			353-BF422-AP	귀 99	8541.21.0095	1																							250 v	100 MA	10NA (ICBO)			NPN	600mv @ 5ma, 30ma	50 @ 25MA, 20V	60MHz
MBR2080CT-BP	0.4034	RFQ	3275	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBR2080	Schottky		TO-220AB	다운로드				353-MBR2080CT-BP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	80 v	20A			150 µa @ 80 v	-55 ° C ~ 150 ° C

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (10101)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²