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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
BZT52B4V7-TP	0.0341	RFQ	4130	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52B4		410 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000														900 mV @ 10 ma		5 µa @ 2 v						4.7 v	78 옴
PB25005-BP	1.0820	RFQ	3500	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 에시, pb	PB25005	기준		PB	다운로드				353-PB25005-BP	귀 99	8541.10.0080	1														1 V @ 12.5 a		5 µa @ 50 v		25 a		단일 단일	50 v
SMBJ5354BHE3-TP	0.2360	RFQ	9237	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5354		5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드				353-SMBJ5354BHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1														1.2 v @ 1 a		500 NA @ 12.9 v						17 v	2.5 옴
smb2ez6.2d5-tp	-	RFQ	2947	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMB2EZ6.2		2 w	DO-214AA (SMB)	-	Rohs3 준수			353-SMB2EZ6.2D5-TPTR	귀 99	8541.10.0050	3,000														1.5 v @ 200 ma		5 µa @ 3 v						6.2 v	1.5 옴
1N5929B3P-TP	0.1102	RFQ	5311	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5929		3 w	DO-41	다운로드				353-1N5929B3P-TP	귀 99	8541.10.0050	1														1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 11.4 v						15 v	9 옴
DL5257B-TP	-	RFQ	7134	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	DL5257		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500														1.1 v @ 200 ma		100 na @ 25 v						33 v	58 옴
BZT52C20LS-TP	0.0355	RFQ	8651	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	-	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZT52C20		200 MW	SOD-323	다운로드				353-BZT52C20LS-TP	귀 99	8541.10.0050	1														900 mV @ 10 ma		100 na @ 14 v						20 v	55 옴
DFLZ8V2-TP	0.3300	RFQ	2	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123F	DFLZ8V2		1 W.	SOD-123FL	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500														1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 3 v						8.2 v	2 옴
SMBJ5384BHE3-TP	0.2360	RFQ	4960	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5384		5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드				353-SMBJ5384BHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1														1.2 v @ 1 a		500 NA @ 122 v						160 v	350 옴
MP502-BP	2.3628	RFQ	3915	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	QC 터미널	4- 스퀘어, MP-50	MP502	기준		MP-50	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	400														1.2 v @ 25 a		10 µa @ 200 v		50 a		단일 단일	200 v
KBP306-BP	-	RFQ	8791	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	4-SIP, KBPR	KBP306	기준		KBPR	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000														1.1 v @ 1 a		10 µa @ 600 v		3 a		단일 단일	600 v
UD4KB80-BPC01	0.1958	RFQ	8044	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-sip	UD4K	기준		D3K	다운로드				353-UD4KB80-BPC01	귀 99	8541.10.0080	1														1 V @ 2 a		10 µa @ 800 v		4 a		단일 단일	800 v
W08m-bp	-	RFQ	3683	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4 원, WOM	W08	기준		WOM	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000														1 V @ 1.5 a		5 µa @ 800 v		1.5 a		단일 단일	800 v
GBJ2010-BP	1.7600	RFQ	1	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBJ	GBJ2010	기준		GBJ	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	GBJ2010-BPMS	귀 99	8541.10.0080	1,500														1.05 V @ 10 a		10 µa @ 1000 v		20 a		단일 단일	1kv
RS403GL-BP	0.9700	RFQ	4388	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, RS-4L	RS403	기준		RS-4L	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,000														1.1 v @ 4 a		5 µa @ 200 v		4 a		단일 단일	200 v
SMBJ5943BHE3-TP	0.1549	RFQ	2504	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5943		1.5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드				353-SMBJ5943BHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1														1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 42.6 v						56 v	86 옴
BZT52C2LS-TP	0.0355	RFQ	1447	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	-	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZT52C22		200 MW	SOD-323	다운로드				353-BZT52C2LS-TP	귀 99	8541.10.0050	1														900 mV @ 10 ma		100 na @ 15.4 v						22 v	55 옴
MCB118N085Y-TP	2.4200	RFQ	1	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MCB118	MOSFET (금속 (()		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	85 v	118A (TC)	6V, 10V	6MOHM @ 59A, 10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 v	± 20V	4400 pf @ 25 v	-	156w
MCQ4459-TP	-	RFQ	5588	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	MCQ4459	MOSFET (금속 (()		8-SOP	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,000		p 채널	30 v	6.5A (TA)	10V	72mohm @ 5a, 10V	2.4V @ 250µA	11 NC @ 10 v	± 20V	625 pf @ 15 v	-	1.4W (TA)
BZT52B4V7LS-TP-HF	-	RFQ	6559	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 1.91%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-90, SOD-323F	BZT52B4		200 MW	SOD-323FL	다운로드				353-BZT52B4V7LS-TP-HF	귀 99	8541.10.0050	1																2 µa @ 1 v						4.7 v	100 옴
smb3ez6.8d5-tp	-	RFQ	8977	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMB3EZ6.8		3 w	DO-214AA (SMB)	-	Rohs3 준수			353-SMB3EZ6.8D5-TPTR	귀 99	8541.10.0050	3,000														1.5 v @ 200 ma		5 µa @ 4 v						6.8 v	2 옴
SR5200L-BP	0.2273	RFQ	3177	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SR5200	Schottky		Do-201ad	다운로드				353-SR5200L-BP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												200 v	800 mV @ 5 a		10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	-
HER506GP-TP	0.1520	RFQ	7448	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	506	기준		Do-201ad	다운로드				353-Her506GP-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												600 v	1.7 V @ 5 a	75 ns	5 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 150 ° C	5a	65pf @ 4V, 1MHz
SK84LHE3-TP	0.7000	RFQ	2	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	SK84	Schottky		SMC (DO-214AB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												40 v	650 mV @ 8 a		100 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	400pf @ 4V, 1MHz
3SMAJ5953BHE3-TP	0.1405	RFQ	9859	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	3SMAJ5953		3 w	DO-214AC (SMA)	다운로드				353-3SMAJ5953BHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1														1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 114 v						150 v	600 옴
ER5D-TP	0.1972	RFQ	8412	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	er5d	기준		SMC (DO-214AB)	다운로드				353-ER5D-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												200 v	1 V @ 5 a	35 ns	10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	100pf @ 4V, 1MHz
SMB2EZ13D5HE3-TP	0.1501	RFQ	9397	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMB2EZ10		2 w	DO-214AA (SMB)	다운로드				353-SMB2EZ13D5HE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1														1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 9.9 v						13 v	5 옴
1N5385C-TP	-	RFQ	8950	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	1N5385		5 w	DO-15	-				353-1N5385C-TP	귀 99	8541.10.0050	1														1.2 v @ 1 a		500 NA @ 129 v						170 v	380 옴
GBJ804-BP	0.3863	RFQ	7966	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	4-SIP, GBJ	GBJ804	기준		GBJ	다운로드				353-GBJ804-BP	귀 99	8541.10.0080	1														1 V @ 4 a		5 µa @ 400 v		8 a		단일 단일	400 v
MUR1610F-BP	-	RFQ	8972	마이크로 마이크로 공동	-	튜브	마지막으로 마지막으로			구멍을 구멍을	TO-220-2 격리 -2 탭	MUR1610	기준		ITO-220AC	-				353-MUR1610F-BP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												100 v	975 MV @ 16 a	35 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	16A	65pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (10101)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²