전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FR303-TP | - | ![]() | 5565 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | Do-201ad, 1 방향 | FR303 | 기준 | Do-201ad | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,200 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 1.3 v @ 3 a | 150 ns | 10 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 65pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRD6100CT-TP | 0.6700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MBRD6100 | Schottky | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 100 v | 6A | 740 mV @ 3 a | 10 µa @ 100 v | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV99BRW-TP | 0.4000 | ![]() | 4286 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | bav99 | 기준 | SOT-363 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 2 연결 연결 시리즈 | 75 v | 150ma | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 2.5 µa @ 75 v | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC327-16-AP | - | ![]() | 1066 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | BC327 | 625 MW | To-92 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | BC327-16-APMSTB | 귀 99 | 8541.21.0075 | 20,000 | 45 v | 800 MA | 200na | PNP | 700mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 100ma, 1v | 260MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4122-TP | - | ![]() | 4621 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N4122 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 v @ 200 ma | 10 NA @ 27.38 v | 36 v | 200 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FR206-TP | - | ![]() | 2295 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | FR206 | 기준 | DO-15 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 800 v | 1.3 V @ 2 a | 500 ns | 5 µa @ 800 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 40pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF11-TP | - | ![]() | 5993 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | SF11 | 기준 | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 950 MV @ 1 a | 35 ns | 5 µa @ 50 v | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | 40pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS2DFL-TP | 0.0560 | ![]() | 2198 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | do-221ac, sma 플랫 리드 | FS2D | 기준 | do-221ac (SMA-FL) | 다운로드 | 353-FS2DFL-TP | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 1.3 V @ 2 a | 150 ns | 5 µa @ 200 v | -50 ° C ~ 150 ° C | 2A | 50pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK42L-TP | 0.4700 | ![]() | 4298 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | SK42 | Schottky | SMC (DO-214AB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 20 v | 450 mV @ 4 a | 500 µa @ 20 v | -55 ° C ~ 125 ° C | 4a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF26GS-BP | 0.1008 | ![]() | 9673 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | SF26 | 기준 | DO-15 | 다운로드 | 353-SF26GS-BP | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.3 V @ 2 a | 35 ns | 5 µa @ 400 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 2A | 30pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S8050-C-AP | - | ![]() | 4527 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | S8050 | 625 MW | To-92 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 353-S8050-C-APTB | 귀 99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 25 v | 500 MA | 100NA | NPN | 600mv @ 50ma, 500ma | 120 @ 50MA, 1V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4933GP-AP | - | ![]() | 9658 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4933 | 기준 | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 1.2 v @ 1 a | 200 ns | 5 µa @ 50 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC856BM3-TP | 0.0340 | ![]() | 5860 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOT-723 | BC856 | 265 MW | SOT-723 | 다운로드 | 353-BC856BM3-TP | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | 65 v | 100 MA | 1MA | PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 200 @ 2mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSJB06N80A-TP | 1.0276 | ![]() | 6038 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MSJB06 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 353-MSJB06N80A-TP | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 800 v | 6A | 10V | 1.2ohm @ 2.5a, 10V | 4.5V @ 250µA | 10.6 NC @ 10 v | ± 30V | 349 pf @ 100 v | - | 35W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
SF65-AP | - | ![]() | 5952 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | Do-201ad, 1 방향 | SF65 | 기준 | Do-201ad | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,200 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 300 v | 1.3 V @ 6 a | 35 ns | 5 µa @ 300 v | -65 ° C ~ 125 ° C | 6A | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54LP-TP | - | ![]() | 8010 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | SOD-882 | Bat54 | Schottky | SOD-882 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 30 v | 1 v @ 100 ma | 5 ns | 2 µa @ 25 v | 125 ° C | 200ma | 10pf @ 1v, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SICAC0860P-TP | 1.8075 | ![]() | 4443 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | 8-powertdfn | SICAC0860 | SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky | DFN5060 | 다운로드 | 353-SICAC0860P-TP | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) | 650 v | 1.6 v @ 8 a | 0 ns | 36 µa @ 650 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 8a | 346pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT1616A-L-TP | 0.1474 | ![]() | 6607 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT1616 | 350 MW | SOT-23 | 다운로드 | 353-MMBT1616A-L-TP | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | 60 v | 1 a | 100NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 50ma, 1a | 135 @ 100MA, 2V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV21W-TP | 0.1400 | ![]() | 23 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-123 | BAV21 | 기준 | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 200 v | 1.25 V @ 200 ma | 50 ns | 100 na @ 200 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 200ma | 1.5pf @ 0v, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC856BS-TPQ2 | 0.0721 | ![]() | 1451 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BC856 | 200MW | SOT-363 | 다운로드 | 353-BC856BS-TPQ2 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | 65V | 100ma | 15NA (ICBO) | 2 PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 200 @ 2mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX584B4V3-TP | 0.0381 | ![]() | 1213 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2.09% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-79, SOD-523 | BZX584 | 150 MW | SOD-523 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 900 mV @ 10 ma | 3 µa @ 1 v | 4.3 v | 90 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EGP10B-TP | - | ![]() | 4824 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | EGP10B | 기준 | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR10U45L-TP | 0.8600 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | MBR10 | Schottky | TO-277-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 45 v | 470 mV @ 10 a | 500 µa @ 45 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | D882-y-TP | - | ![]() | 1362 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | D882 | 1.25 w | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 353-D882-Y-TPTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 30 v | 3 a | 10µA | NPN | 500mv @ 200ma, 2a | 160 @ 1a, 2v | 90MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR20100PS-TP | - | ![]() | 6225 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | MBR20100 | Schottky | TO-277A | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 850 mv @ 20 a | 150 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 125 ° C | 20A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AZ23C4V7W-TP | 0.0721 | ![]() | 3003 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | - | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | AZ23C4V7 | 200 MW | SOT-323 | 다운로드 | 353-AZ23C4V7W-TP | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 양극 양극 공통 | 4.7 v | 78 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
FR1004GP-AP | - | ![]() | 1846 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | R-6, 축, | FR1004 | 기준 | R-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 450 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.3 V @ 10 a | 150 ns | 5 µa @ 400 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5254B-TP | 0.1800 | ![]() | 58 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ5254 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 21 v | 27 v | 41 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA933AS-Q-AP | - | ![]() | 7334 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 짧은 몸 (형성 된 리드 리드) | 2SA933 | 200 MW | 92S | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 50 v | 150 MA | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 100ma, 2a | 120 @ 100MA, 2V | 120MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4401-AP | 0.4400 | ![]() | 19 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | 2N4401 | 600MW | To-92 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 40 v | - | NPN | 750mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 150ma, 1V | 250MHz |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고