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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
SL24B-TP Micro Commercial Co SL24B-TP 0.1020
RFQ
ECAD 4482 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB SL24 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 353-SL24B-TP 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 2 a 100 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 110pf @ 4V, 1MHz
MURS1660CT-BP Micro Commercial Co MURS1660CT-BP 0.4969
RFQ
ECAD 5792 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 MURS1660 기준 TO-220AB 다운로드 353-MURS1660CT-BP 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) - 600 v 16A 1.6 v @ 8 a 35 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRB10200CTS-TP Micro Commercial Co MBRB10200CTS-TP 1.0300
RFQ
ECAD 735 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB10200 Schottky D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 353-MBRB10200CTS-TPTR 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 10A 930 MV @ 5 a 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C
2N6045-AP Micro Commercial Co 2N6045-AP -
RFQ
ECAD 8110 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -60 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 2N6045 75 w TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 100 v 8 a 20µA (ICBO) npn-달링턴 4V @ 80MA, 8A 1000 @ 3A, 4V -
TIP47-BP Micro Commercial Co TIP47-BP -
RFQ
ECAD 6365 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 47 2 w TO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 250 v 1 a 1MA NPN 1V @ 200MA, 1A 30 @ 300ma, 10V 10MHz
SMBJ5382BHE3-TP Micro Commercial Co SMBJ5382BHE3-TP 0.2360
RFQ
ECAD 7937 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB SMBJ5382 5 w DO-214AA (SMB) 다운로드 353-SMBJ5382BHE3-TP 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 106 v 140 v 230 옴
SR802-BP Micro Commercial Co SR802-BP 0.2146
RFQ
ECAD 7472 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SR802 Schottky Do-201ad 다운로드 353-SR802-BP 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 650 mV @ 8 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 8a 500pf @ 4V, 1MHz
SF55G-TP Micro Commercial Co SF55G-TP 0.1716
RFQ
ECAD 2491 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SF55 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.27 V @ 5 a 35 ns 5 µa @ 300 v -65 ° C ~ 150 ° C 5a 30pf @ 4V, 1MHz
RL103GP-AP Micro Commercial Co RL103GP-AP 0.0389
RFQ
ECAD 6012 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 RL103 기준 A-405 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 200 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
MBR10U100H-TP Micro Commercial Co MBR10U100H-TP 0.2767
RFQ
ECAD 8959 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn MBR10 Schottky TO-277 다운로드 353-MBR10U100H-TP 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mv @ 10 a 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 10A 320pf @ 4V, 1MHz
MUR1040F-BP Micro Commercial Co MUR1040F-BP 0.3896
RFQ
ECAD 4189 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 격리 -2 탭 MUR1040 기준 ITO-220AC 다운로드 353-MUR1040F-BP 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.5 V @ 10 a 50 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
1EZ8.2D5-TP Micro Commercial Co 1ez8.2d5-tp 0.0797
RFQ
ECAD 3411 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1EZ8.2 125 MW DO-41 다운로드 353-1EZ8.2D5-TP 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 6 v 8.2 v 4.5 옴
SMB3EZ6.8D5-TP Micro Commercial Co smb3ez6.8d5-tp -
RFQ
ECAD 8977 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB SMB3EZ6.8 3 w DO-214AA (SMB) - Rohs3 준수 353-SMB3EZ6.8D5-TPTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.5 v @ 200 ma 5 µa @ 4 v 6.8 v 2 옴
60S4-TP Micro Commercial Co 60S4-TP 0.4326
RFQ
ECAD 9273 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 60S4 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,200 400 v 1 V @ 6 a 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 6A -
MBR30200CT-BP Micro Commercial Co MBR30200CT-BP 0.5422
RFQ
ECAD 4724 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR30200 Schottky TO-220AB 다운로드 353-MBR30200CT-BP 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 30A 990 MV @ 30 a 100 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
SR5200L-BP Micro Commercial Co SR5200L-BP 0.2273
RFQ
ECAD 3177 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SR5200 Schottky Do-201ad 다운로드 353-SR5200L-BP 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 800 mV @ 5 a 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
BZT52C3V6LS-TP Micro Commercial Co BZT52C3V6LS-TP 0.0355
RFQ
ECAD 5464 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 - -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZT52C3V6 200 MW SOD-323 다운로드 353-BZT52C3V6LS-TP 귀 99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1 v 3.6 v 90 옴
BAT64-06-TP Micro Commercial Co BAT64-06-TP 0.0616
RFQ
ECAD 8614 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAT64 Schottky SOT-23 다운로드 353-BAT64-06-TP 귀 99 8541.10.0070 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 40 v 250ma 500 mV @ 2 a 2 µa @ 40 v 150 ° C
BC857BM-TP Micro Commercial Co BC857BM-TP -
RFQ
ECAD 9338 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 BC857 SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 45 v 100 MA 15NA PNP 400mv @ 100ma, 5ma 220 @ 2MA, 5V 100MHz
SMBJ5380C-TP Micro Commercial Co SMBJ5380C-TP -
RFQ
ECAD 2640 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB SMBJ5380 5 w DO-214AA (SMB) - 353-SMBJ5380C-TP 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 1 ma 500 NA @ 91.2 v 120 v 170 옴
FR2504-BP Micro Commercial Co FR2504-BP -
RFQ
ECAD 6478 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 FR2504 기준 TO-220AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 25 a 250 ns 10 µa @ 400 v -50 ° C ~ 150 ° C 25A -
RL252GP-BP Micro Commercial Co RL252GP-BP 0.1425
RFQ
ECAD 8824 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 R-3, 축, RL252 기준 R-3 다운로드 353-RL252GP-BP 귀 99 8541.10.0080 1 100 v 1.1 v @ 2.5 a 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 2.5A 40pf @ 4V, 1MHz
SK320AQ-LTP Micro Commercial Co SK320AQ-LTP 0.4500
RFQ
ECAD 8116 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 1 (무제한) 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 900 mV @ 3 a 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
MMBT3906L3-TP Micro Commercial Co MMBT3906L3-TP 0.0360
RFQ
ECAD 8688 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 SC-101, SOT-883 MMBT3906 DFN1006-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 353-MMBT3906L3-TPTR 귀 99 10,000 40 v 200 MA - PNP - - -
SMB3EZ30D5-TP Micro Commercial Co SMB3EZ30D5-TP -
RFQ
ECAD 8919 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB SMB3EZ30 3 w DO-214AA (SMB) - Rohs3 준수 353-SMB3EZ30D5-TPTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.5 v @ 200 ma 500 NA @ 22.5 v 30 v 16 옴
SF25G-TP Micro Commercial Co SF25G-TP 0.0592
RFQ
ECAD 4183 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 SF25 기준 DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.3 V @ 2 a 35 ns 5 µa @ 300 v -65 ° C ~ 150 ° C 2A 30pf @ 4V, 1MHz
MMBZ5225B-TP Micro Commercial Co MMBZ5225B-TP 0.1700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5225 350 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 100 ma 50 µa @ 1 v 3 v 29 옴
MSJPF20N65-BP Micro Commercial Co MSJPF20N65-BP 5.6100
RFQ
ECAD 7594 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MSJPF20 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 20A (TC) 10V 380mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 30V 901 pf @ 50 v - 31.3W (TC)
1EZ5.6D5-TP Micro Commercial Co 1EZ5.6D5-TP 0.0797
RFQ
ECAD 6731 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1EZ5.6 1 W. DO-41 다운로드 353-1EZ5.6D5-TP 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 2 v 5.6 v 5 옴
BAV70HE3-TP Micro Commercial Co BAV70HE3-TP 0.2700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 bav70 기준 SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 215MA 1.25 V @ 100 ma 4 ns 1 µa @ 75 v -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고