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불연속 불연속 제품 (10101)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
GBJ50005-BP	0.8915	RFQ	2399	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBJ	GBJ50005	기준		GBJ	다운로드	353-GBJ50005-BP	귀 99	8541.10.0080	1														1 V @ 25 a	10 µa @ 50 v		50 a		단일 단일	50 v
GBJ5001-BP	0.8915	RFQ	4347	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBJ	GBJ5001	기준		GBJ	다운로드	353-GBJ5001-BP	귀 99	8541.10.0080	1														1 V @ 25 a	10 µa @ 100 v		50 a		단일 단일	100 v
SMAJ5930BHE3-TP	0.1215	RFQ	2971	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMAJ5930		1.5 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	353-SMAJ5930BHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1														1.5 v @ 200 ma	1 µa @ 12.2 v						16 v	10 옴
GBJ610-BP	0.3296	RFQ	7699	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	4-SIP, GBJ	GBJ610	기준		GBJ	다운로드	353-GBJ610-BP	귀 99	8541.10.0080	1														1 V @ 3 a	5 µa @ 1000 v		6 a		단일 단일	1kv
SR506L-TP	0.1793	RFQ	3197	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SR506	Schottky		Do-201ad	다운로드	353-SR506L-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												60 v	490 mV @ 5 a	100 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	250pf @ 4V, 1MHz
MBL6S-TP	0.0886	RFQ	4329	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	MBL6	기준		MBLS-1	다운로드	353-MBL6S-TP	귀 99	8541.10.0080	1														1 V @ 400 mA	10 µa @ 600 v		500 MA		단일 단일	600 v
PB2506-BP	1.0820	RFQ	7621	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 에시, pb	PB2506	기준		PB	다운로드	353-PB2506-BP	귀 99	8541.10.0080	1														1 V @ 12.5 a	5 µa @ 600 v		25 a		단일 단일	600 v
BZT52B36T-TP	0.0371	RFQ	5044	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZT52B36		200 MW	SOD-523	다운로드	353-BZT52B36T-TP	귀 99	8541.10.0050	1														900 mV @ 10 ma	100 na @ 25.2 v						36 v	90 옴
GBJ25L06-BP	1.8789	RFQ	8597	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	4-SIP, GBJ	GBJ25L06	기준		GBJ	다운로드	353-GBJ25L06-BP	귀 99	8541.10.0080	1														920 MV @ 12.5 a	5 µa @ 600 v		25 a		단일 단일	600 v
UD3KB60-BP	0.1652	RFQ	4252	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-sip	UD3K	기준		D3K	다운로드	353-UD3KB60-BP	귀 99	8541.10.0080	1														1 V @ 1.5 a	10 µa @ 600 v		3 a		단일 단일	600 v
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SB230-TP	0.0762	RFQ	4487	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	SB230	기준		DO-15	다운로드	353-SB230-TP	귀 99	8541.10.0080	1	짐												30 v	500 mV @ 2 a	500 µa @ 30 v	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	170pf @ 4V, 1MHz
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SDB202L-TP	0.1164	RFQ	6941	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	SDB202	기준		SDBL-1	다운로드	353-SDB202L-TP	귀 99	8541.10.0080	1														1.1 v @ 2 a	5 µa @ 100 v		2 a		단일 단일	100 v
BZT52C6V2SHE3-TP	0.0488	RFQ	5514	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZT52C6V2		300MW	SOD-323	다운로드	353-BZT52C6V2SHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1														900 mV @ 10 ma	3 µa @ 4 v						6.2 v	10 옴
MMXZ5261C-TP	0.0488	RFQ	2413	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	MMXZ5261		200 MW	SOD-323	다운로드	353-MMXZ5261C-TP	귀 99	8541.10.0050	1														900 mv @ 100 ma	100 na @ 36 v						47 v	105 옴
SDB104L-TP	0.1145	RFQ	1339	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	SDB104	기준		SDBL-1	다운로드	353-SDB104L-TP	귀 99	8541.10.0080	1														1.1 v @ 1 a	10 µa @ 400 v		1 a		단일 단일	400 v
SDB153L-TP	0.1446	RFQ	6795	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	SDB153	기준		SDBL-1	다운로드	353-SDB153L-TP	귀 99	8541.10.0080	1														1.1 v @ 1.5 a	10 µa @ 200 v		1.5 a		단일 단일	200 v
SMAJ5955B-TP	0.0980	RFQ	9517	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMAJ5955		1.5 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	353-SMAJ5955B-TP	귀 99	8541.10.0050	1														1.5 v @ 200 ma	1 µa @ 136.8 v						180 v	900 옴
GBJ808-BP	0.3863	RFQ	8771	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	4-SIP, GBJ	GBJ808	기준		GBJ	다운로드	353-GBJ808-BP	귀 99	8541.10.0080	1														1 V @ 4 a	5 µa @ 800 v		8 a		단일 단일	800 v
TBL4005-TP	0.2544	RFQ	9682	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	4-SMD,, 날개	TBL4005	기준		TBL	다운로드	353-TBL4005-TP	귀 99	8541.10.0080	1														950 MV @ 2 a	5 µa @ 50 v		4 a		단일 단일	50 v
GBPC1502-BP	1.9418	RFQ	4536	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	QC 터미널	4- 스퀘어, GBPC	GBPC1502	기준		GBPC	다운로드	353-GBPC1502-BP	귀 99	8541.10.0080	1														1.1 v @ 7.5 a	5 µa @ 200 v		15 a		단일 단일	200 v
GBPC1501-BP	1.9418	RFQ	9829	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	QC 터미널	4- 스퀘어, GBPC	GBPC1501	기준		GBPC	다운로드	353-GBPC1501-BP	귀 99	8541.10.0080	1														1.1 v @ 7.5 a	5 µa @ 100 v		15 a		단일 단일	100 v
GBPC3501W-BP	2.0202	RFQ	8442	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	마지막으로 마지막으로		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 스퀘어, GBPC-W	GBPC3501	기준		GBPC-W	다운로드	353-GBPC3501W-BP	귀 99	8541.10.0080	1														1.1 v @ 17.5 a	5 µa @ 100 v		35 a		단일 단일	100 v
MT5008A-BP	7.2080	RFQ	8489	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	5 3, MT-35A	MT5008	기준		MT-35A	다운로드	353-MT5008A-BP	귀 99	8541.10.0080	1														1.2 v @ 25 a	10 µa @ 800 v		50 a		3 단계	800 v
SDB204L-TP	0.1164	RFQ	8031	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	SDB204	기준		SDBL-1	다운로드	353-SDB204L-TP	귀 99	8541.10.0080	1														1.1 v @ 2 a	5 µa @ 400 v		2 a		단일 단일	400 v
LMB205S-TP	0.1086	RFQ	4785	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	LMB205	기준		LMBS-1	다운로드	353-LMB205S-TP	귀 99	8541.10.0080	1														950 MV @ 1 a	5 µa @ 600 v		2 a		단일 단일	600 v
SI3420A-TP-HF	-	RFQ	3103	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SI3420	MOSFET (금속 (()		SOT-23	다운로드	353-SI3420A-TP-HF	귀 99	8541.29.0095	1		n 채널	20 v	6A	2.5V, 4.5V	28mohm @ 5a, 4.5v	1V @ 250µA	12 nc @ 10 v	± 10V	515 pf @ 10 v	-	1.25W
LMB210SL-TP	-	RFQ	4408	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	LMB210	Schottky		LMBS-1	-	353-LMB210SL-TPTR	귀 99	8541.10.0080	1														650 mV @ 1 a	100 @ 100 v		2 a		단일 단일	100 v
GBU4M-BPS01	-	RFQ	8530	마이크로 마이크로 공동	-	튜브	마지막으로 마지막으로		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBU	GBU4	기준		GBU	-	353-GBU4M-BPS01	귀 99	8541.10.0080	1														1 V @ 2 a	5 µa @ 1000 v		4 a		단일 단일	1kv

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (10101)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²