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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
SL24B-TP	0.1020	RFQ	4482	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	SL24	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드				353-SL24B-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	40 v		550 mV @ 2 a		100 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	110pf @ 4V, 1MHz
2SC2235-y-bp	-	RFQ	2115	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 긴 몸	2SC2235		900 MW	TO-92 모드	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		353-2SC2235-y-BP	귀 99	8541.21.0075	1,000											120 v	800 MA			100NA (ICBO)			NPN	1V @ 50MA, 5A	120 @ 100MA, 5V	120MHz
3SMAJ5943B-TP	-	RFQ	6926	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	3SMAJ5943		3 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500					1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 42.6 v									56 v	86 옴
MBR3U200-TP	0.5800	RFQ	3	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	MBR3U200	Schottky		TO-277	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-MBR3U200-TPTR	귀 99	8541.10.0080	4,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	200 v	3A	850 mV @ 3 a		50 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C
1N5943bp-tp	0.0963	RFQ	4372	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5943		1.5 w	DO-41	다운로드				353-1n5943bp-tp	귀 99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 42.6 v									56 v	86 옴
BCX56-16HE3-TP	0.3900	RFQ	1	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-243AA	BCX56		500MW	SOT-89	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-BCX56-16HE3-TPTR	귀 99	8541.21.0075	1,000											80 v	1 a			100NA (ICBO)			NPN	500mv @ 50ma, 500ma	100 @ 150ma, 2v	130MHz
SS110FL-TP	0.3900	RFQ	3	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-221ac, sma 플랫 리드	SS110	Schottky		do-221ac (SMA-FL)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	100 v		850 mv @ 1 a		500 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	110pf @ 4V, 1MHz
BZX84B3V6-TP	0.0231	RFQ	8927	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84B3V6		350 MW	SOT-23	다운로드				353-BZX84B3V6-TP	귀 99	8541.10.0050	1					900 mV @ 10 ma		5 µa @ 1 v									3.6 v	90 옴
MGR1203-BP	-	RFQ	8997	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-2	MGR1203	기준		TO-220AC	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1,000		짐	200 v		1.1 v @ 12 a		5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	12a	100pf @ 4V, 1MHz
B5818WS-TP-HF	-	RFQ	9643	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	SC-76, SOD-323	B5818	Schottky		SOD-323	다운로드				353-B5818WS-TP-HF	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	30 v		550 mV @ 1 a		1 ma @ 30 v	-65 ° C ~ 125 ° C	1A	120pf @ 4V, 1MHz
1N5946bp-tp	0.0963	RFQ	9113	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5946		1.5 w	DO-41	다운로드				353-1n5946bp-tp	귀 99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 56 v									75 v	140 옴
US1JE-TP	-	RFQ	9545	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AC, SMA	US1J	기준		DO-214AC (SMAE)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	US1JE-TPMSTR	귀 99	8541.10.0080	6,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	600 v		1.7 V @ 1 a	75 ns	10 µa @ 600 v	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	17pf @ 4V, 1MHz
BD882HY-TP	0.1145	RFQ	9868	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-243AA	BD882		500MW	SOT-89	다운로드				353-BD882HY-TP	귀 99	8541.21.0095	1											70 v	3 a			1µA (ICBO)			NPN	500mv @ 200ma, 2a	160 @ 1a, 2v	50MHz
MURSB1520-TP	1.3600	RFQ	1	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MURSB1520	기준		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-MURSB1520-TPTR	귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	200 v		1.02 V @ 15 a	35 ns	10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	15a	-
DL4754A-TP	-	RFQ	1908	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	DL4754		1 W.	멜프	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 29.7 v									39 v	60 옴
MUR15120-BP	0.9526	RFQ	7999	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2	MUR15120	기준		TO-220AC	다운로드				353-MUR15120-BP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1200 v		2.4 V @ 15 a	75 ns	10 µa @ 1200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	15a	-
DL5230B-TP	-	RFQ	8334	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	DL5230		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500					1.1 v @ 200 ma		5 µa @ 2 v									4.7 v	19 옴
DL4740A-TP	-	RFQ	7746	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	DL4740		1 W.	멜프	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	DL4740A-TPMSTR	귀 99	8541.10.0050	5,000					1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 7.6 v									10 v	7 옴
BZT52B2V4S-TP	-	RFQ	5194	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2.08%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZT52B2		200 MW	SOD-323	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 µa @ 1 v									2.4 v	85 옴
SM4006PLHE3-TP	0.0853	RFQ	3655	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	마지막으로 마지막으로			표면 표면	SOD-123F	SM4006	기준		SOD-123FL	다운로드				353-SM4006PLHE3-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	800 v		1.1 v @ 1 a	3 µs	1 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
SMA2EZ51D5-TP	-	RFQ	2172	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMA2EZ51		2 w	DO-214AC (SMA)	-	Rohs3 준수			353-SMA2EZ51D5-TPTR	귀 99	8541.10.0050	7,500					1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 38.8 v									51 v	48 옴
KBP206G-BP	-	RFQ	7489	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBP	KBP206	기준		GBP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,250					1.1 v @ 2 a		10 µa @ 600 v		2 a				단일 단일	600 v
AZ23C13-TP	0.0426	RFQ	6057	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23C13		300MW	SOT-23	다운로드				353-AZ23C13-TP	귀 99	8541.10.0050	1	1 양극 양극 공통						100 na @ 10 v									13 v	25 옴
MMBT3906L3-TP	0.0360	RFQ	8688	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-	표면 표면	SC-101, SOT-883	MMBT3906			DFN1006-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-MMBT3906L3-TPTR	귀 99		10,000											40 v	200 MA			-			PNP	-	-	-
1N4755AP-TP	0.0806	RFQ	7627	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4755		1 W.	DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-1n4755ap-tptr	귀 99	8541.10.0050	5,000					1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 32.7 v									43 v	70 옴
SL110A-TP	0.4800	RFQ	4	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	SL110	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	100 v		600 mV @ 1 a		500 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
SMD24PLQ-TP	0.4700	RFQ	5	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F		Schottky		SOD-123FL	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	2,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	40 v		550 mV @ 2 a		100 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	115pf @ 4V, 1MHz
UF5400-AP	-	RFQ	8475	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	UF5400	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1,200		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	50 v		1 V @ 3 a	50 ns	10 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	75pf @ 4V, 1MHz
BZT52B24BS-TP	0.0355	RFQ	7381	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZT52B24		400MW	SOD-323	다운로드				353-BZT52B24BS-TP	귀 99	8541.10.0050	1					900 mV @ 10 ma		45 NA @ 16.8 v									24 v	65 옴
R4000F-AP	-	RFQ	8697	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	R4000	기준		DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	4000 v		6.5 V @ 200 ma	500 ns	5 µa @ 4000 v	-65 ° C ~ 150 ° C	200ma	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (10101)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²