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불연속 불연속 제품 (10101)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
MMXZ5245C-TP	0.0488	RFQ	7750	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	MMXZ5245		200 MW	SOD-323	다운로드				353-MMXZ5245C-TP	귀 99	8541.10.0050	1																900 mv @ 100 ma		100 na @ 11 v						15 v	16 옴
UG2030FCTH-BP	0.7500	RFQ	3160	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3 3 된 탭	UG2030	기준		ITO-220AB	다운로드				353-ug2030fcth-bp	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	300 v	20A	1.25 V @ 10 a	25 ns	10 µa @ 300 v	-55 ° C ~ 175 ° C
DZW7100-04-BP	163.8400	RFQ	5074	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			섀시 섀시	DO-200AB, BPUK	DZW7100	기준		-	다운로드		1 (무제한)		353-DZW7100-04-BP	귀 99	8541.10.0080	1	짐													400 v		1.05 V @ 5000 a		15 ma @ 400 v	-40 ° C ~ 170 ° C	7100A	-
MBRL2045CT-BP	0.3471	RFQ	6926	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBRL2045	Schottky		TO-220AB	다운로드				353-MBRL2045CT-BP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	45 v	20A	520 MV @ 10 a		200 µa @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C
SK54AQ-LTP	0.4400	RFQ	3751	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA		Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													40 v		600 mV @ 5 a		100 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	265pf @ 4V, 1MHz
MBR3060FCT-BP	0.5700	RFQ	1493	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3 3 된 탭	MBR3060	Schottky		ITO-220AB	다운로드				353-MBR3060FCT-BP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	60 v	30A			500 µa @ 60 v	-65 ° C ~ 150 ° C
SF26G-TP	0.0618	RFQ	7315	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	SF26	기준		DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	4,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													400 v		1.3 V @ 2 a	35 ns	5 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	30pf @ 4V, 1MHz
MUR1560HS-BP	0.6743	RFQ	3928	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2	MUR1560	기준		TO-220AC	다운로드				353-MUR1560HS-BP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													600 v		1.5 v @ 15 a	50 ns	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 175 ° C	15a	-
MMXZ5226B-TP	0.2100	RFQ	1	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	MMXZ5226		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																1.2 v @ 100 ma		25 µa @ 1 v						3.3 v	28 옴
SR806-BPC01	-	RFQ	2472	마이크로 마이크로 공동	-	튜브	마지막으로 마지막으로			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SR806	Schottky		Do-201ad	-				353-SR806-BPC01	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													60 v		700 mv @ 8 a		100 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 125 ° C	8a	380pf @ 4V, 1MHz
1N4934GP-AP	-	RFQ	5657	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4934	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		1.2 v @ 1 a	200 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
1N5407GP-AP	-	RFQ	2275	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	1N5407	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,200	짐													800 v		1.1 v @ 3 a		5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	40pf @ 4V, 1MHz
SMBJ5372CHE3-TP	-	RFQ	4452	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5372		5 w	DO-214AA (SMB)	-				353-SMBJ5372CHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1																1.2 v @ 1 a		500 NA @ 47.1 v						62 v	42 옴
BZX584C6V8-TP	0.0381	RFQ	1192	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5.88%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZX584		150 MW	SOD-523	다운로드				353-BZX584C6V8-TP	귀 99	8541.10.0050	1																900 mV @ 10 ma		2 µa @ 4 v						6.8 v	15 옴
1N5348C-TP	-	RFQ	5046	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	1N5348		5 w	DO-15	-				353-1n5348c-tp	귀 99	8541.10.0050	1																1.2 v @ 1 a		5 µa @ 8.4 v						11 v	2.5 옴
GBJA2004-BP	0.5012	RFQ	2288	마이크로 마이크로 공동	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	4-SIP, JA	GBJA2004	기준		자	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500																1.1 v @ 10 a		10 µa @ 400 v		20 a		단일 단일	400 v
1N5952B3P-TP	0.1102	RFQ	6694	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5952		3 w	DO-41	다운로드				353-1N5952B3P-TP	귀 99	8541.10.0050	1																1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 98.8 v						130 v	450 옴
SMAJ4757EHE3-TP	0.1150	RFQ	3237	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMAJ4757		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드				353-SMAJ4757EHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1																1.2 v @ 100 ma		5 µa @ 38.8 v						51 v	95 옴
BZT52C3V9L3P-TP	0.0360	RFQ	7126	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5.13%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	0402 (1006 메트릭)	BZT52C3V9		100MW	2-DFN1006	다운로드				353-BZT52C3V9L3P-TP	귀 99	8541.10.0050	1																900 mV @ 10 ma		3 µa @ 1 v						3.9 v	90 옴
1N5943B3P-TP	0.1102	RFQ	9870	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5943		3 w	DO-41	다운로드				353-1N5943B3P-TP	귀 99	8541.10.0050	1																1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 42.6 v						56 v	86 옴
MBR5U60SQ-TP	1.0600	RFQ	9004	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn		Schottky		TO-277	다운로드		1 (무제한)					4,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													60 v		640 mV @ 5 a		100 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	415pf @ 4V, 1MHz
TBSL40A-TP	-	RFQ	5616	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	4-SMD,, 리드	TBSL40	기준		TBSL	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1																1 V @ 4 a		5 µa @ 50 v		4 a		단일 단일	50 v
MBR20100FCTS-BP	0.4869	RFQ	5622	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3 3 된 탭	MBR20100	Schottky		ITO-220AB	다운로드				353-MBR20100FCTS-BP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	100 v	20A	910 MV @ 20 a		10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C
1N5818-AP	0.0464	RFQ	4545	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5818	Schottky		DO-41	다운로드				353-1N5818-AP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													30 v		550 mV @ 1 a	10 ns	1 ma @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	110pf @ 4V, 1MHz
DAN222-TP	0.0659	RFQ	5692	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	SOT-523	DAN222	기준		SOT-523	다운로드				353-DAN222-TP	귀 99	8541.10.0070	1	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도												1 음극 음극 공통	80 v	100ma	1.2 v @ 1 ma	4 ns	100 na @ 10 v	-55 ° C ~ 150 ° C
GBU10J-BP	0.3750	RFQ	1103	마이크로 마이크로 공동	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBU	GBU10	기준		GBU	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,000																1.1 v @ 5 a		5 µa @ 600 v		10 a		단일 단일	600 v
3EZ5.1D5-TP	0.1798	RFQ	4753	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	3EZ5.1		3 w	DO-15	다운로드				353-3EZ5.1D5-TP	귀 99	8541.10.0050	1																1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 1 v						5.1 v	3.5 옴
MBRL20U100CT-BP	0.6626	RFQ	3077	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBRL20	Schottky		TO-220AB	다운로드				353-MBRL20U100CT-BP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	100 v	20A	650 mV @ 10 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C
MCU20N15-TP	-	RFQ	1040	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	MCU20	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	150 v	20A (TC)	10V	65mohm @ 10a, 10V	4.5V @ 250µA	12 nc @ 10 v	± 20V	600 pf @ 75 v	-	68W
MUR15120F-BP	0.8850	RFQ	3409	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2 격리 -2 탭	MUR15120	기준		ITO-220AC	다운로드				353-MUR15120F-BP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													1200 v		2.7 V @ 15 a	65 ns	10 µa @ 1200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	15a	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (10101)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²