RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

불연속 불연속 제품 (10101)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
FR3KB-TP	0.1020	RFQ	7465	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	FR3K	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드				353-FR3KB-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													800 v		1.3 v @ 3 a	500 ns	10 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	80pf @ 4V, 1MHz
SK155-TP	-	RFQ	7462	마이크로 마이크로 공동	SK	대부분	쓸모 쓸모			표면 표면	DO-214AB, SMC	SK155	Schottky		DO-214AB (HSMC)	다운로드	Rohs3 준수			353-SK155-TP	쓸모없는		1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													50 v		850 mV @ 15 a		1 ma @ 50 v	-55 ° C ~ 125 ° C	15a	500pf @ 4V, 1MHz
ER2JBFL-TP	0.0497	RFQ	4266	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-221AA, SMB 플랫 리드	ER2J	기준		SMBF	다운로드				353-er2jbfl-tp	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													600 v		1.7 V @ 2 a	35 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	12pf @ 4V, 1MHz
DL5225B-TP	-	RFQ	5848	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	DL5225		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500																	1.1 v @ 200 ma		50 µa @ 1 v							3 v	29 옴
MCQ18N03-TP	0.7600	RFQ	7804	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	MCQ18N03	MOSFET (금속 (()		8-SOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-MCQ18N03-TPTR	귀 99	8541.29.0095	4,000			n 채널	30 v	18a	4.5V, 10V	5mohm @ 18a, 10V	2.5V @ 250µA	42 NC @ 10 v	± 20V	1950 pf @ 15 v	-	2.5W
DL5234B-TP	0.3300	RFQ	6669	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	DL5234		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500																	1.1 v @ 200 ma		5 µa @ 4 v							6.2 v	7 옴
BC548A-BP	-	RFQ	2428	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모 쓸모		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	BC548		625 MW	To-92	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		353-BC548A-BP	귀 99	8541.21.0075	1,000																							30 v	100 MA	-			NPN	300mv @ 5ma, 100ma	110 @ 2MA, 5V	300MHz
MD260C12D3-BP	105.9500	RFQ	1978	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			섀시 섀시	기준 기준	MD260	기준		D3	다운로드				353-MD260C12D3-BP	귀 99	8541.10.0080	1		짐												1 연결 연결 시리즈	1200 v	260A	1.45 V @ 300 a		9 ma @ 1.2 kv	-40 ° C ~ 150 ° C
S5BL-TP	0.4800	RFQ	1	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	S5BL	기준		SMC (DO-214AB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		짐													100 v		1.2 v @ 5 a		10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	100pf @ 4V, 1MHz
RA504-BP	-	RFQ	1988	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모 쓸모			표면 표면	라	RA504	기준		라	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1		짐													400 v		1.1 v @ 50 a	3 µs	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	50a	300pf @ 4V, 1MHz
1N5243B-TP	-	RFQ	5837	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5243		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																	1.1 v @ 200 ma		500 NA @ 9.9 v							13 v	13 옴
BZT52C5V1-TP-HF	-	RFQ	4339	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5.88%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52C5V1		500MW	SOD-123	다운로드				353-BZT52C5V1-TP-HF	귀 99	8541.10.0050	1																	900 mV @ 10 ma		2 µa @ 2 v							5.1 v	60 옴
SR2010-AP	0.0614	RFQ	6832	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	SR2010	Schottky		DO-41	다운로드				353-SR2010-AP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		850 mv @ 2 a		1 ma @ 100 v	-50 ° C ~ 125 ° C	2A	170pf @ 4V, 1MHz
RL254M-TP	-	RFQ	7410	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	RL254	기준		DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	4,000		짐													400 v		1 V @ 2.5 a		5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2.5A	35pf @ 4V, 1MHz
SIC10120PTA-BP	15.3400	RFQ	1	마이크로 마이크로 공동	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-247-2	SIC10120	SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky		TO-247AD	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-SIC10120PTA-BP	귀 99	8541.10.0080	30		복구 복구 복구 없음> 500ma (io)													1200 v		1.8 V @ 10 a		2 µa @ 1200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	10A	750pf @ 0v, 1MHz
BDX33D-BP	-	RFQ	5748	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모 쓸모		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	BDX33		2 w	TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	1,000																							100 v	10 a	500µA			npn-달링턴	2.5V @ 6MA, 3A	750 @ 3a, 3v	-
2SA1774-R-TP	0.0519	RFQ	1802	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-523	2SA1774		150 MW	SOT-523	다운로드				353-2SA1774-R-TP	귀 99	8541.21.0075	1																							50 v	150 MA	100NA (ICBO)			PNP	500MV @ 5MA, 5MA	120 @ 1ma, 6V	140MHz
1N4742AP-TP	0.0806	RFQ	7205	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4742		1 W.	DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-1N4742AP-TPTR	귀 99	8541.10.0050	5,000																	1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 9.1 v							12 v	9 옴
MCMNP2065A-TP	0.4200	RFQ	6	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-vdfn d 패드	MCMNP2065	MOSFET (금속 (()	2W	DFN2020-6L	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	n 및 p 채널			20V	6A (TA), 4A (TA)		25mohm @ 5a, 4.5v, 51mohm @ 3.4a, 4.5v	1V @ 250µA	7.65NC @ 4.5V, 5.41NC @ 10V		418pf @ 10v, 880pf @ 6v	-
RL104-N-2-1-BP	-	RFQ	6478	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모 쓸모			구멍을 구멍을	축	RL104	기준		A-405	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		RL104-N-2-1-BPMS	귀 99	8541.10.0080	5,000		짐													400 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
LLSD103C-TP	-	RFQ	4009	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모			표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	LLSD103	Schottky		미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	2,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													20 v		600 mv @ 200 ma	10 ns	5 µa @ 10 v	-55 ° C ~ 150 ° C	350ma	-
Bav23she3-tp	0.2700	RFQ	5	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAV23	기준		SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-bav23she3-tptr	귀 99	8541.10.0070	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 연결 연결 시리즈	200 v	225MA (DC)	1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 250 v	-65 ° C ~ 150 ° C
FR106-TP	-	RFQ	1797	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	FR106	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													800 v		1.3 v @ 1 a	500 ns	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
SS35HE-TP	-	RFQ	4790	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모			표면 표면	SOD-123H	SS35	Schottky		SOD-123HE	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													50 v		700 mv @ 3 a		500 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
BZT52B33JSHE3-TP	0.3500	RFQ	2	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZT52B33		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		45 NA @ 23 v							33 v	75 옴
SM5819PE-TP	-	RFQ	1216	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모			표면 표면	SC-90, SOD-323F	SM5819			SOD-323HE	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		353-SM5819PE-TPTR	귀 99	8541.10.0080	4,500
RB420DS-TP	0.0488	RFQ	3530	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	RB420D	Schottky		SOT-23	다운로드				353-RB420DS-TP	귀 99	8541.10.0070	1		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도													40 v		450 mV @ 10 ma		1 µa @ 10 v	-55 ° C ~ 125 ° C	100ma	6pf @ 10V, 1MHz
SMBJ5348CHE3-TP	-	RFQ	6522	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모 쓸모	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5348		5 w	DO-214AA (SMB)	-				353-SMBJ5348CHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1																	1.2 v @ 1 a		5 µa @ 8.4 v							11 v	2.5 옴
MBR10150-BP	0.4132	RFQ	3819	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2	MBR10150	기준		TO-220AC	다운로드				353-MBR10150-BP	귀 99	8541.10.0080	1		짐													150 v				500 µa @ 150 v	150 ° C	10A	-
DZ23C3V3HE3-TP	0.3300	RFQ	6	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23C3V3		300MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-DZ23C3V3HE3-TPTR	귀 99	8541.10.0050	3,000	1 음극 음극 공통																		25 µa @ 1 v							3.3 v	95 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (10101)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²