SIC
close

불연속 불연속 제품 (10101)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BZX784C30-TP Micro Commercial Co BZX784C30-TP -
RFQ
 ECAD 7761 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 6.67% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-723 BZX784C30 150 MW SOD-723 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 8,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 21 v 30 v 80 옴
TIP102-BP Micro Commercial Co TIP102-BP -
RFQ
 ECAD 5344 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 TIP102 80 W. TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 TIP102BP 귀 99 8541.29.0095 5,000 100 v 8 a 50µA npn-달링턴 2.5V @ 80MA, 8A 1000 @ 3A, 4V -
MMSS8550W-L-TP Micro Commercial Co MMSS8550W-L-TP 0.0386
RFQ
 ECAD 1326 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MMSS8550 200 MW SOT-323 다운로드 353-MMSS8550W-L-TP 귀 99 8541.21.0075 1 25 v 1.5 a 100NA PNP 500mv @ 80ma, 800ma 120 @ 100MA, 1V 100MHz
MB156W-BP Micro Commercial Co MB156W-BP -
RFQ
 ECAD 2282 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, MB-35W MB156 기준 MB-35W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 400 1.2 v @ 7.5 a 10 µa @ 600 v 15 a 단일 단일 600 v
DB104 Micro Commercial Co DB104 -
RFQ
 ECAD 1938 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 에이프 (0.321 ", 8.15mm) DB104 기준 DB-1 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DB104ms 귀 99 8541.10.0080 1 1.1 v @ 1 a 10 µa @ 400 v 1 a 단일 단일 400 v
SDB207-TP Micro Commercial Co SDB207-TP 0.4200
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 SDB207 기준 SDB-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 1.2 v @ 2 a 10 µa @ 1000 v 2 a 단일 단일 1kv
MB86 Micro Commercial Co MB86 -
RFQ
 ECAD 3431 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, BR-6 MB86 기준 BR-6 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MB86MS 귀 99 8541.10.0080 1 1.1 v @ 4 a 10 µa @ 600 v 8 a 단일 단일 600 v
2SD880-Q-BP Micro Commercial Co 2SD880-Q-BP -
RFQ
 ECAD 4659 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 2SD880 1.5 w TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 60 v 3 a 100µA (ICBO) NPN 1V @ 300MA, 3A 60 @ 500ma, 5V 3MHz
RA255GP-BP Micro Commercial Co RA255GP-BP -
RFQ
 ECAD 7986 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 쓸모없는 표면 표면 라 RA255 기준 라 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 짐 600 v 1.1 v @ 25 a 3 µs 5 µa @ 600 v -50 ° C ~ 150 ° C 25A 300pf @ 4V, 1MHz
MCU20N10-TP Micro Commercial Co MCU20N10-TP 0.8700
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MCU20 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 20A 4.5V, 10V 48mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 53 NC @ 10 v ± 20V 2014 PF @ 50 v - 47W
B5819XP-TP Micro Commercial Co B5819XP-TP -
RFQ
 ECAD 9572 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 0603 (1608 메트릭) B5819 Schottky FBP-02L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 700 mA 15 ns 50 µa @ 40 v 125 ° C (°) 1A 50pf @ 1v, 1MHz
MCQ20N03HE3-TP Micro Commercial Co MCQ20N03HE3-TP 0.2306
RFQ
 ECAD 5366 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MCQ20 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 353-MCQ20N03HE3-TP 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 20A (TA) 4.5V, 10V 6.3mohm @ 18a, 10V 2.5V @ 250µA 46.3 NC @ 10 v ± 20V 2191 pf @ 15 v - 3W
2SD1781-R-TP Micro Commercial Co 2SD1781-R-TP -
RFQ
 ECAD 9922 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SD1781 200 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 353-2SD1781-R-TPTR 3,000 32 v 800 MA 500NA (ICBO) 400mv @ 50ma, 500ma 180 @ 100MA, 3V 100MHz
MB356W Micro Commercial Co MB356W -
RFQ
 ECAD 2714 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, MB-35W MB356 기준 MB-35W 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MB356WMS 귀 99 8541.10.0080 1 1.2 v @ 17.5 a 10 µa @ 600 v 35 a 단일 단일 600 v
MB2505W Micro Commercial Co MB2505W -
RFQ
 ECAD 4712 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, MB-35W MB2505 기준 MB-35W 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MB2505WMS 귀 99 8541.10.0080 1 1.2 v @ 12.5 a 10 µa @ 50 v 25 a 단일 단일 50 v
MBR10U100HHE3-TP Micro Commercial Co MBR10U100HHE3-TP 1.3600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn MBR10 Schottky TO-277 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 353-MBR10U100HHE3-TPTR 귀 99 8541.10.0080 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mv @ 10 a 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 10A 320pf @ 4V, 1MHz
DTA143ZE-TP Micro Commercial Co DTA143ZE-TP 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-523 DTA143 150 MW SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
BZX784C9V1-TP Micro Commercial Co BZX784C9V1-TP -
RFQ
 ECAD 9724 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 6.04% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-723 BZX784C9V1 150 MW SOD-723 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 8,000 900 mV @ 10 ma 500 na @ 6 v 9.1 v 15 옴
BC556C-AP Micro Commercial Co BC556C-AP -
RFQ
 ECAD 4592 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BC556 625 MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 2,000 65 v 100 MA 100NA PNP 650MV @ 5MA, 100MA 120 @ 2MA, 5V 150MHz
MBRX120-TP Micro Commercial Co MBRX120-TP -
RFQ
 ECAD 3510 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOD-123 MBRX120 Schottky SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 1 a 300 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A 30pf @ 4V, 1MHz
MMBZ5260C-TP Micro Commercial Co MMBZ5260C-TP 0.0488
RFQ
 ECAD 6433 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5260 350 MW SOT-23 다운로드 353-MMBZ5260C-TP 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 100 ma 100 na @ 33 v 43 v 93 옴
MMBZ5241BW-TP Micro Commercial Co MMBZ5241BW-TP 0.0363
RFQ
 ECAD 3393 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MMBZ5241 200 MW SOT-323 다운로드 353-MMBZ5241BW-TP 귀 99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 8.4 v 11 v 22 옴
MP156W-BP Micro Commercial Co MP156W-BP 2.0592
RFQ
 ECAD 9659 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, MP-50W MP156 기준 MP-50W 다운로드 영향을받지 영향을받지 353-MP156W-BP 귀 99 8541.10.0080 1 1.1 v @ 7.5 a 5 µa @ 600 v 15 a 단일 단일 600 v
MP506W Micro Commercial Co MP506W -
RFQ
 ECAD 8501 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 쓸모없는 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, MP-50W MP506 기준 MP-50W 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 1.2 v @ 25 a 10 µa @ 600 v 50 a 단일 단일 600 v
2SC1959-GR-AP Micro Commercial Co 2SC1959-GR-AP -
RFQ
 ECAD 3899 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 2SC1959 500MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1,000 30 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 10ma, 100ma 200 @ 100ma, 1v 300MHz
BSS138BKDW-TP Micro Commercial Co BSS138BKDW-TP 0.4500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BSS138 MOSFET (금속 (() 350MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 353-BSS138BKDW-TPTR 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 50V 220MA 1.5ohm @ 500ma, 10V 1.45V @ 250µA - 22.8pf @ 25V -
BZT52B14JS-TP Micro Commercial Co BZT52B14JS-TP -
RFQ
 ECAD 4910 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZT52B14 200 MW SOD-323 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 10.5 v 14 v 25 옴
1N5274B-TP Micro Commercial Co 1N5274B-TP -
RFQ
 ECAD 6877 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5274 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 99 v 130 v 1100 옴
BZT52C2V4T-TP Micro Commercial Co BZT52C2V4T-TP 0.1500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZT52C2 100MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 900 mV @ 10 ma 50 µa @ 1 v 2.4 v 100 옴
MB82-BP Micro Commercial Co MB82-BP -
RFQ
 ECAD 7344 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, BR-6 MB82 기준 BR-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MB82-BPMS 귀 99 8541.10.0080 200 1.1 v @ 4 a 10 µa @ 200 v 8 a 단일 단일 200 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다