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불연속 불연속 제품 (10101)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
1H6G-TP	-	RFQ	2404	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	R-1, 방향 축	1H6G	기준		R-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									800 v		1.7 V @ 1 a	75 ns	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
SS14-LTP-HF	0.0572	RFQ	3123	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	SS14	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드				353-SS14-LTP-HF	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									40 v		500 mV @ 1 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	52pf @ 4V, 1MHz
1N5821-TP	0.3900	RFQ	361	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	1N5821	Schottky		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,200		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									30 v		500 mV @ 3 a		500 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	200pf @ 4V, 1MHz
B0540W-TP	0.3500	RFQ	2	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	SOD-123	B0540	Schottky		SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									40 v		550MV @ 500 MA		80 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	500ma	30pf @ 4V, 1MHz
1F5-TP	-	RFQ	8893	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	R-1, 방향 축	1f5	기준		R-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									600 v		1.3 v @ 1 a	250 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	12pf @ 4V, 1MHz
2SD1898-Q-TP	0.1997	RFQ	5994	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-243AA	2SD1898		500MW	SOT-89	다운로드				353-2SD1898-Q-TP	귀 99	8541.21.0075	1																			80 v	1 a	1µA (ICBO)			NPN	400mv @ 20ma, 500ma	82 @ 500ma, 3v	100MHz
SMD315PL-TP	0.0890	RFQ	4920	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	SOD-123F	SMD315	Schottky		SOD-123FL	다운로드				353-SMD315PL-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									100 v		900 mV @ 3 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	65pf @ 4V, 1MHz
MPSA43-AP	-	RFQ	2326	마이크로 마이크로 공동	-	컷 컷 (CT)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드	MPSA43		625 MW	To-92	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	2,000																			200 v	300 MA	100NA (ICBO)			NPN	400mv @ 2ma, 20ma	80 @ 10ma, 10V	50MHz
MMXZ5236C-TP	0.0488	RFQ	2219	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	MMXZ5236		200 MW	SOD-323	다운로드				353-MMXZ5236C-TP	귀 99	8541.10.0050	1													900 mv @ 100 ma		3 µa @ 6 v							7.5 v	6 옴
smaz30he3-tp	0.1150	RFQ	7063	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	smaz30		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드				353-SMAZ30HE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1													1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 22.8 v							30 v	15 옴
MBRL20120CT-BP	0.5515	RFQ	5669	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBRL20120	Schottky		TO-220AB	다운로드				353-MBRL20120CT-BP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	120 v	20A	850 mv @ 10 a		100 µa @ 120 v	-55 ° C ~ 150 ° C
MURSB1640CTA-TP	0.6445	RFQ	1814	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MURSB1640	기준		D2PAK	다운로드				353-MURSB1640CTA-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	400 v	16A	1.25 V @ 8 a	35 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C
FR1006-TP	-	RFQ	2405	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	R-6, 축,	FR1006	기준		R-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									800 v		1.3 V @ 10 a	500 ns	10 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	-
SK36B-LTP	0.4300	RFQ	259	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	SK36	Schottky		DO-214AA, HSMB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									60 v		750 mV @ 3 a		500 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	250pf @ 1v, 1MHz
2N7002KDWA-TP	-	RFQ	9902	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	2N7002	MOSFET (금속 (()	150MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.21.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		60V	340ma	5ohm @ 500ma, 10V	2.5V @ 1mA	-	40pf @ 10V	-
BC807-40W-TP	0.0438	RFQ	9369	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	BC807		200 MW	SOT-323	다운로드				353-BC807-40W-TP	귀 99	8541.21.0095	1																			45 v	500 MA	200na			PNP	700mv @ 50ma, 500ma	250 @ 100MA, 1V	80MHz
SMLJ60S6-TP	0.9500	RFQ	13	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	SMLJ60S6	기준		SMC (DO-214AB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		짐									600 v		1 V @ 6 a		5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	6A	150pf @ 4V, 1MHz
FSM14PL-TP	0.3300	RFQ	2	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F	FSM14	기준		SOD-123FL	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									400 v		1.3 v @ 1 a	250 ns	5 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
SMBJ5361C-TP	-	RFQ	5361	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5361		5 w	DO-214AA (SMB)	-				353-SMBJ5361C-TP	귀 99	8541.10.0050	1													1.2 v @ 1 ma		500 NA @ 20.6 v							27 v	5 옴
SF35G-AP	0.1119	RFQ	8538	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SF35	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,200		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									300 v		1.27 V @ 3 a	35 ns	5 µa @ 300 v	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	30pf @ 4V, 1MHz
MD120C16D1-BP	42.7600	RFQ	5	마이크로 마이크로 공동	-	쟁반	활동적인			섀시 섀시	D1	MD120	기준		D1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10		짐								1 연결 연결 시리즈	1600 v	120a	1.35 V @ 300 a		6 ma @ 1600 v	-40 ° C ~ 150 ° C
2A06-AP	-	RFQ	3359	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	2A06	기준		DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000		짐									800 v		1 V @ 2 a		5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	20pf @ 4V, 1MHz
MMBT3906T-TP	0.1800	RFQ	4	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-523	MMBT3906		150 MW	SOT-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																			40 v	200 MA	50NA (ICBO)			PNP	400mv @ 5ma, 50ma	100 @ 10ma, 1v	250MHz
MMSZ5237C-TP	0.0218	RFQ	4844	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ5237		500MW	SOD-123	다운로드				353-MMSZ5237C-TP	귀 99	8541.10.0050	1													900 mV @ 10 ma		3 µa @ 6 v							8.2 v	8 옴
SMAJ4755A-TP	0.0705	RFQ	7311	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMAJ4755		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500															5 µa @ 32.7 v							43 v	70 옴
1N4745A-TP	-	RFQ	4746	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4745		1 W.	DO-41G	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000													1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 12.2 v							16 v	16 옴
RB751V-40-TP	0.4200	RFQ	15	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-76, SOD-323	RB751	Schottky		SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도									30 v		370 mV @ 1 ma		500 NA @ 30 v	125 ° C (°)	30ma	2pf @ 1v, 1MHz
HER306G-TP	0.1483	RFQ	4568	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	HER306	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,200		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									600 v		1.7 V @ 3 a	75 ns	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	50pf @ 4V, 1MHz
1N4001GP-TP	0.0408	RFQ	8169	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4001	기준		DO-41	다운로드				353-1N4001GP-TP	귀 99	8541.10.0080	1		짐									50 v		1.1 v @ 1 a	2 µs	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
SF28G-TP	0.0592	RFQ	5334	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	SF28	기준		DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	4,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									600 v		1.7 V @ 2 a	35 ns	5 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	30pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (10101)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²