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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
1N4936GP-AP	-	RFQ	2799	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4936	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.2 v @ 1 a	200 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
SB12100-AP	0.4076	RFQ	7274	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SB12100	Schottky		Do-201ad	다운로드				353-SB12100-AP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		850 mV @ 12 a		500 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 150 ° C	12a	500pf @ 4V, 1MHz
BC338-25-AP	-	RFQ	8804	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드	BC338		625 MW	To-92	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.21.0075	2,000											25 v	800 MA	200na			NPN	700mv @ 50ma, 500ma	160 @ 300ma, 1V	210MHz
1N4749AP-TP	0.0806	RFQ	2193	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4749		1 W.	DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-1n4749ap-tptr	귀 99	8541.10.0050	5,000					1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 18.2 v							24 v	25 옴
MBR20100CTB-BP	0.5250	RFQ	1583	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBR20100	Schottky		TO-220AB	다운로드				353-MBR20100CTB-BP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	100 v	20A	950 MV @ 20 a		10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C
BZT52B51-TP	0.0341	RFQ	7659	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52B51		410 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 38 v							51 v	100 옴
GS1BE-TPS05	-	RFQ	3209	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AC, SMA	GS1B	기준		smae	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-GS1BE-TPS05TR	귀 99	8541.10.0080	6,000	짐		100 v		1.1 v @ 1 a		10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
1N4001-N-2-3-AP	-	RFQ	3571	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4001	기준		DO-41	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		1N4001-N-2-3-APMS	귀 99	8541.10.0080	5,000	짐		50 v		1 V @ 1 a		5 µa @ 50 v	-	1A	-
MMXZ5221B-TP	-	RFQ	3078	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	MMXZ5221		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					1.2 v @ 100 ma		100 µa @ 1 v							2.4 v	30 옴
SF68G-BP	0.1948	RFQ	4144	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SF68	기준		Do-201ad	다운로드				353-SF68G-BP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.7 V @ 6 a	35 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	6A	90pf @ 4V, 1MHz
FS2B-TP	-	RFQ	1127	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AC, SMA	FS2B	기준		DO-214AC (HSMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v			150 ns	5 µa @ 100 v	-50 ° C ~ 150 ° C	2A	50pf @ 4V, 1MHz
SK26HE3-LTP	0.4400	RFQ	1	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	SK26	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		700 mv @ 2 a		100 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 125 ° C	2A	230pf @ 4V, 1MHz
ES1DFL-TP	0.0360	RFQ	2055	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	do-221ac, sma 플랫 리드	ES1D	기준		do-221ac (SMA-FL)	다운로드				353-ES1DFL-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1.7 V @ 1 a	35 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
2SC4115S-R-AP	-	RFQ	1336	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 짧은 몸 (형성 된 리드 리드)	2SC4115		300MW	92S	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.21.0075	1,000											20 v	3 a	100NA (ICBO)			NPN	500mv @ 100ma, 2a	180 @ 100MA, 2V	200MHz
MPS2907A-L-AP	-	RFQ	6697	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드	MPS2907		625 MW	To-92	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.21.0075	2,000											60 v	600 MA	50NA			PNP	600mv @ 50ma, 500ma	100 @ 150ma, 10V	200MHz
MMSZ5251BHE3-TP	0.3200	RFQ	6	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ5251		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 17 v							22 v	29 옴
1N4112-TP	-	RFQ	1168	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N4112		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	10,000					1.1 v @ 200 ma		50 NA @ 13.67 v							18 v	100 옴
FRA804G-BP	-	RFQ	1722	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-2	FRA804	기준		TO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 V @ 8 a	150 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	60pf @ 4V, 1MHz
BD772-Y-TP	0.1596	RFQ	1737	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-243AA	BD772		500MW	SOT-89	다운로드				353-BD772-Y-TP	귀 99	8541.21.0095	1											30 v	3 a	10µA			PNP	500mv @ 200ma, 2a	60 @ 1a, 2v	80MHz
S2MHE3-LTP	0.4200	RFQ	3	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	S2M	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-S2MHE3-LTPTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		1000 v		1.15 V @ 2 a		5 µa @ 1000 v	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	20pf @ 4V, 1MHz
MURD560C-TP	0.2745	RFQ	8770	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	MURD560	기준		DPAK (TO-252)	다운로드				353-MURD560C-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.4 v @ 5 a	35 ns	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	-
SL54AFL-TP	0.4200	RFQ	4	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-221ac, sma 플랫 리드	SL54	Schottky		do-221ac (SMA-FL)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		450 mV @ 5 a		100 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	-
3SMAJ5946BHE3-TP	0.1333	RFQ	1611	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	3SMAJ5946		3 w	DO-214AC (SMA)	다운로드			영향을받지 영향을받지	353-3SMAJ5946BHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 56 v							75 v	140 옴
SRA252GP-TP	-	RFQ	2655	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SRA	SRA252	기준		SRA	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1	짐		100 v		1.1 v @ 25 a		25 µa @ 100 v	-	25A	300pf @ 4V, 1MHz
SMB2EZ43D5HE3-TP	0.1501	RFQ	5097	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMB2EZ10		2 w	DO-214AA (SMB)	다운로드				353-SMB2EZ43D5HE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 32.7 v							43 v	35 옴
HER601-TP	-	RFQ	7730	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	R-6, 축,	HER601	기준		R-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		1.1 v @ 6 a	50 ns	10 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 150 ° C	6A	-
UF5404GP-AP	0.1268	RFQ	8720	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	UF5404	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,200	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 v @ 3 a	50 ns	10 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	75pf @ 4V, 1MHz
FR602-AP	-	RFQ	9375	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	R-6, 축,	FR602	기준		R-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	450	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		1.3 V @ 6 a	150 ns	10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	6A	150pf @ 4V, 1MHz
SMB2EZ13D5-TP	-	RFQ	7982	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMB2EZ13		2 w	DO-214AA (SMB)	-	Rohs3 준수			353-SMB2EZ13D5-TPTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 9.9 v							13 v	5 옴
MMBZ5250B-TP	0.2100	RFQ	14	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5250		350 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 100 ma		100 na @ 15 v							20 v	25 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (10101)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²