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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
UG1FPL-TP	0.0674	RFQ	4429	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	SOD-123F	UG1F	기준		SOD-123FL	다운로드				353-ug1fpl-tp	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													300 v		1.7 V @ 1 a	35 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
1N5934B3P-TP	0.1102	RFQ	5007	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5934		3 w	DO-41	다운로드				353-1N5934B3P-TP	귀 99	8541.10.0050	1																1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 18.2 v									24 v	19 옴
SMBJ5382C-TP	-	RFQ	6480	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5382		5 w	DO-214AA (SMB)	-				353-SMBJ5382C-TP	귀 99	8541.10.0050	1																1.2 v @ 1 ma		500 NA @ 106 v									140 v	230 옴
BZT52B8V2-TP	0.0341	RFQ	2036	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52B8		410 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																900 mV @ 10 ma		100 na @ 6 v									8.2 v	7 옴
DB205-BP	0.1091	RFQ	9907	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 에이프 (0.321 ", 8.15mm)	DB205	기준		DB-1	다운로드			영향을받지 영향을받지	353-DB205-BP	귀 99	8541.10.0080	1																1.1 v @ 2 a		10 µa @ 600 v		2 a				단일 단일	600 v
1EZ15D5-TP	0.0797	RFQ	9947	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1EZ15		350 MW	DO-41	다운로드				353-1EZ15D5-TP	귀 99	8541.10.0050	1																1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 11.4 v									15 v	14 옴
HER605-TP	-	RFQ	1244	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	R-6, 축,	HER605	기준		R-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													400 v		1.3 V @ 6 a	50 ns	10 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	6A	100pf @ 4V, 1MHz
SB12100-TP	0.4076	RFQ	5855	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SB12100	Schottky		Do-201ad	다운로드				353-SB12100-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		850 mV @ 12 a		500 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 150 ° C	12a	500pf @ 4V, 1MHz
10A04GP-TP	0.2751	RFQ	1705	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	R-6, 축,	10A04	기준		R-6	다운로드				353-10A04GP-TP	귀 99	8541.10.0080	1	짐													400 v		1.2 v @ 10 a		10 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	150pf @ 4V, 1MHz
BZX784C11-TP	-	RFQ	4553	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5.45%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-723	BZX784C11		150 MW	SOD-723	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	8,000																900 mV @ 10 ma		100 na @ 8 v									11 v	20 옴
MCAC50P03A-TP	-	RFQ	7238	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	MCAC50	MOSFET (금속 (()		DFN5060	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		353-mcac50p03a-tptr			5,000		p 채널	30 v	50a	4.5V, 10V	4.6mohm @ 20a, 10V	2V @ 250µA	160 nc @ 10 v	± 20V	9570 pf @ 15 v	-	35W
UF1J-TP	0.1037	RFQ	7731	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	UF1J	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드				353-UF1J-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													600 v		1.7 V @ 1 a	100 ns	10 µa @ 600 v	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	17pf @ 4V, 1MHz
SK835L-TP	0.1916	RFQ	7880	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	마지막으로 마지막으로			표면 표면	DO-214AB, SMC	SK835	Schottky		SMC (DO-214AB)	다운로드				353-SK835L-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													35 v		650 mV @ 8 a		1 ma @ 35 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	400pf @ 4V, 1MHz
BC639-10-BP	-	RFQ	1547	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	BC639		1 W.	To-92	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		353-BC639-10-BP	귀 99	8541.29.0075	1,000																						80 v	1 a			100NA (ICBO)			NPN	500mv @ 50ma, 500ma	63 @ 150ma, 2V	100MHz
1N4004-AP	0.0330	RFQ	7967	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4004	기준		DO-41	다운로드				353-1N4004-AP	귀 99	8541.10.0080	1	짐													400 v		1 V @ 1 a	2 µs	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
1N4751AP-AP	0.0797	RFQ	7018	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4751		1 W.	DO-41	다운로드				353-1N4751AP-AP	귀 99	8541.10.0050	1																1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 22.8 v									30 v	40
DL4734A-TP	-	RFQ	5461	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	DL4734		1 W.	멜프	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	DL4734A-TPMSTR	귀 99	8541.10.0050	5,000																1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 2 v									5.6 v	5 옴
MBR30200CTH-BP	0.6731	RFQ	7691	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBR30200	Schottky		TO-220AB	다운로드				353-MBR30200CTH-BP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	200 v	30A	1 V @ 30 a		10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C
BZX84C4V3W-TP	0.0426	RFQ	1680	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 7%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	BZX84C4V3		200 MW	SOT-323	다운로드				353-BZX84C4V3W-TP	귀 99	8541.10.0050	1																1.2 v @ 100 ma		3 µa @ 1 v									4.3 v	90 옴
MBR1550F-BP	-	RFQ	4896	마이크로 마이크로 공동	-	튜브	마지막으로 마지막으로			구멍을 구멍을	TO-220-2 격리 -2 탭	MBR1550	Schottky		ITO-220AC	-				353-MBR1550F-BP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													50 v		750 mV @ 15 a		100 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 125 ° C	15a	-
SB230-AP	0.0752	RFQ	3622	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	SB230	기준		DO-15	다운로드				353-SB230-AP	귀 99	8541.10.0080	1	짐													30 v		500 mV @ 2 a		500 µa @ 30 v	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	170pf @ 4V, 1MHz
1N5376C-TP	-	RFQ	4247	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	1N5376		5 w	DO-15	-				353-1N5376C-TP	귀 99	8541.10.0050	1																1.2 v @ 1 a		500 NA @ 66 v									87 v	75 옴
SMBJ5355C-TP	-	RFQ	9763	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5355		5 w	DO-214AA (SMB)	-				353-SMBJ5355C-TP	귀 99	8541.10.0050	1																1.2 v @ 1 ma		500 NA @ 13.7 v									18 v	2.5 옴
SMA2EZ27D5HE3-TP	0.1404	RFQ	6443	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMA2EZ27		2 w	DO-214AC (SMA)	다운로드				353-SMA2EZ27D5HE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1																1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 20.6 v									27 v	18 옴
SMBJ5350CHE3-TP	-	RFQ	2160	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5350		5 w	DO-214AA (SMB)	-				353-SMBJ5350CHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1																1.2 v @ 1 a		1 µa @ 9.9 v									13 v	2.5 옴
SS220FL-TP	0.0577	RFQ	2557	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	do-221ac, sma 플랫 리드	SS220	Schottky		do-221ac (SMA-FL)	다운로드				353-SS220FL-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													200 v		900 mV @ 2 a		2 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
MURS2DBFL-TP	0.1062	RFQ	9769	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-221AA, SMB 플랫 리드	murs2	기준		SMBF	다운로드				353-MURS2DBFL-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													200 v		920 MV @ 2 a	25 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	25pf @ 4V, 1MHz
BZX84B16-TP	0.0231	RFQ	7913	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84B16		350 MW	SOT-23	다운로드				353-BZX84B16-TP	귀 99	8541.10.0050	1																900 mV @ 10 ma		100 na @ 11.2 v									16 v	40
10A03-BP	0.1623	RFQ	6897	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	새로운 새로운 아닙니다			구멍을 구멍을	R-6, 축,	10A03	기준		R-6	다운로드				353-10A03-BP	귀 99	8541.10.0080	1	짐													200 v		1 V @ 10 a		10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	150pf @ 4V, 1MHz
SK53B-LTP	0.1020	RFQ	9635	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	SK53	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드				353-SK53B-LTP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													30 v		550 mV @ 5 a		100 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	200pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (10101)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²