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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | MBRB10150-TP | 0.5934 | ![]() | 3925 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MBRB10150 | Schottky | D2PAK | 다운로드 | 353-MBRB10150-TP | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 150 v | 900 mV @ 10 a | 500 µa @ 150 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AZ23B3V6HE3-TP | 0.4400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1.94% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23B3V6 | 300MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 353-AZ23B3V6HE3-TPTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 양극 양극 공통 | 5 µa @ 1 v | 3.6 v | 90 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
MBR10100CT-BP | 1.0100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MBR1010 | Schottky | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 100 v | 10A | 850 mV @ 5 a | 200 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C4V3L3P-TP | 0.0360 | ![]() | 7965 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 6.98% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 0402 (1006 메트릭) | BZT52C4V3 | 100MW | 2-DFN1006 | 다운로드 | 353-BZT52C4V3L3P-TP | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 ma | 3 µa @ 1 v | 4.3 v | 90 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AZ23B22HE3-TP | 0.0832 | ![]() | 5382 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23B22 | 300MW | SOT-23 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 353-AZ23B22HE3-TP | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 양극 양극 공통 | 100 na @ 15.4 v | 22 v | 55 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AZ23C16W-TP | 0.0721 | ![]() | 6331 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | - | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | AZ23C16 | 200 MW | SOT-323 | 다운로드 | 353-AZ23C16W-TP | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 양극 양극 공통 | 100 na @ 12 v | 16 v | 40 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AZ23C5V1W-TP | 0.0721 | ![]() | 8784 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | - | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | AZ23C5V1 | 200 MW | SOT-323 | 다운로드 | 353-AZ23C5V1W-TP | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 양극 양극 공통 | 100 NA @ 800 MV | 5.1 v | 60 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DZW10500-02-BP | 179.2000 | ![]() | 9774 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시 섀시 | DO-200AB, BPUK | DZW10500 | 기준 | - | 다운로드 | 1 (무제한) | 353-DZW10500-02-BP | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 짐 | 200 v | 1.01 V @ 5000 a | 5 ma @ 200 v | -40 ° C ~ 180 ° C | 10500A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX584B24HE3-TP | 0.0515 | ![]() | 6097 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-79, SOD-523 | BZX584 | 150 MW | SOD-523 | 다운로드 | 353-BZX584B24HE3-TP | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 16.8 v | 24 v | 70 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MD70A18D1-BP | 33.9620 | ![]() | 6275 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시 섀시 | 기준 기준 | MD70 | 기준 | D1 | 다운로드 | 353-MD70A18D1-BP | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 짐 | 1 연결 연결 시리즈 | 1800 v | 70A | 1.3 V @ 200 a | 5 ma @ 1800 v | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX584B5V6-TP | 0.0381 | ![]() | 9694 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1.96% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-79, SOD-523 | BZX584 | 150 MW | SOD-523 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 900 mV @ 10 ma | 1 µa @ 2 v | 5.6 v | 40 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB84 | - | ![]() | 7914 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4- 스퀘어, BR-6 | MB84 | 기준 | BR-6 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | MB84ms | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.1 v @ 4 a | 10 µa @ 400 v | 8 a | 단일 단일 | 400 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5249C-TP | 0.0488 | ![]() | 3400 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5249 | 350 MW | SOT-23 | 다운로드 | 353-MMBZ5249C-TP | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 100 ma | 100 na @ 14 v | 19 v | 23 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX51-TP | 0.1527 | ![]() | 5297 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | BCX51 | 500MW | SOT-89 | 다운로드 | 353-BCX51-TP | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 45 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50ma, 500ma | 63 @ 150ma, 2V | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK310-TPS01 | - | ![]() | 9180 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | SK310 | Schottky | DO-214AB (SMC) | - | 353-SK310-TPS01TR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 850 mV @ 3 a | 100 @ 100 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 250pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ6.8D5-TP | 0.1102 | ![]() | 9445 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 2EZ6.8 | 2 w | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 4 v | 6.8 v | 2 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSJAC11N65Y-TP | 2.8000 | ![]() | 19 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MSJAC11 | MOSFET (금속 (() | DFN5060 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 650 v | 11A (TC) | 10V | 380mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250µA | 21 NC @ 10 v | ± 30V | 901 pf @ 50 v | - | 78W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
HER303G-AP | - | ![]() | 4403 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | Do-201ad, 1 방향 | HER303 | 기준 | Do-201ad | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,200 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 950 MV @ 3 a | 50 ns | 10 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 80pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF26G-BP | 0.1008 | ![]() | 9634 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | SF26 | 기준 | DO-15 | 다운로드 | 353-SF26G-BP | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.3 V @ 2 a | 35 ns | 5 µa @ 400 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 2A | 30pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF21G-TP | 0.0592 | ![]() | 1772 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | SF21 | 기준 | DO-15 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 950 MV @ 2 a | 35 ns | 5 µa @ 50 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 2A | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC639-10-AP | - | ![]() | 5467 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | BC639 | 1 W. | To-92 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 353-BC639-10-APTB | 귀 99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 63 @ 150ma, 2V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3SMBJ5936B-TP | 0.4400 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | 3SMBJ5936 | 3 w | DO-214AA (SMB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.5 v @ 200 ma | 1 µa @ 22.8 v | 30 v | 28 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4746AP-AP | 0.0797 | ![]() | 6424 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4746 | 1 W. | DO-41 | 다운로드 | 353-1N4746AP-AP | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 13.7 v | 18 v | 20 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA933AS-S-BP | - | ![]() | 9484 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 짧은 몸 | 2SA933 | 200 MW | 92S | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 353-2SA933AS-S-BP | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 50 v | 150 MA | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 100ma, 2a | 270 @ 100MA, 2V | 120MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCAC25P10Y-TP | 1.3100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | mcac25p10y | MOSFET (금속 (() | DFN5060 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | p 채널 | 100 v | 25A | 4.5V, 10V | 56mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 20V | 2100 pf @ 50 v | - | 88W (TJ) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5361C-TP | - | ![]() | 2388 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | 1N5361 | 5 w | DO-15 | - | 353-1N5361C-TP | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 1 a | 500 NA @ 20.6 v | 27 v | 5 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SB260-AP | 0.0721 | ![]() | 9272 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | SB260 | Schottky | DO-15 | 다운로드 | 353-SB260-AP | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 700 mv @ 2 a | 500 µa @ 60 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 2A | 140pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MF200K06F4-BP | - | ![]() | 2234 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 섀시 섀시 | f4 모듈 | MF200K06 | 기준 | F4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | -1142-MF200K06F4-BP | 귀 99 | 8541.10.0080 | 12 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 양극 양극 공통 | 600 v | 100A | 1.15 V @ 100 a | 105 ns | 500 µa @ 600 v | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AZ23C24HE3-TP | 0.3900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5.83% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C24 | 300MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 353-AZ23C24HE3-TPTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 양극 양극 공통 | 100 na @ 16.8 v | 24 v | 70 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX584B12HE3-TP | 0.3400 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-79, SOD-523 | BZX584 | 150 MW | SOD-523 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 353-BZX584B12HE3-TPTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 8 v | 12 v | 25 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고