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불연속 불연속 제품 (10101)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
MMBZ5228B-TP	0.0306	RFQ	8799	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5228		350 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000															1.2 v @ 100 ma		10 µa @ 1 v				3.9 v	23 옴
SK84LQ-TP	0.7600	RFQ	6636	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC		Schottky		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												40 v		550 mV @ 8 a		100 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	480pf @ 4V, 1MHz
MBRB30200CTH-TP	0.9667	RFQ	1738	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB30200	Schottky		D2PAK	다운로드				353-MBRB30200CTH-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	200 v	30A	900 mV @ 15 a		10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C
es1jfl-tp	0.0360	RFQ	8752	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	do-221ac, sma 플랫 리드	ES1J	기준		do-221ac (SMA-FL)	다운로드				353-ES1JFL-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												600 v		1.7 V @ 1 a	35 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
1N4148W-TP-HF	-	RFQ	2748	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	SOD-123	1N4148	기준		SOD-123	다운로드				353-1N4148W-TP-HF	귀 99	8541.10.0070	1	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도												100 v		1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µa @ 75 v	-65 ° C ~ 150 ° C	150ma	2pf @ 0V, 1MHz
SMB2EZ16D5-TP	-	RFQ	7448	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMB2EZ16		2 w	DO-214AA (SMB)	-	Rohs3 준수			353-SMB2EZ16D5-TPTR	귀 99	8541.10.0050	3,000															1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 12.2 v				16 v	8 옴
SL26A-TP	0.0911	RFQ	5516	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	SL26	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드				353-SL26A-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												60 v		470 mV @ 2 a		100 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	90pf @ 4V, 1MHz
1N5391GP-BP	0.0950	RFQ	8111	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	1N5391	기준		DO-15	다운로드				353-1N5391GP-BP	귀 99	8541.10.0080	1	짐												50 v		1.4 V @ 1.5 a		5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	15pf @ 4V, 1MHz
SK220Q-LTP	0.3600	RFQ	3518	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB		Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드		1 (무제한)					3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												200 v		900 mV @ 2 a		5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	40pf @ 4V, 1MHz
SF58-TP	-	RFQ	9998	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SF58	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1,200	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												600 v		1.7 V @ 5 a	35 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	45pf @ 4V, 1MHz
SK1150-LTP	0.0890	RFQ	3703	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	SK1150	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SK1150-LTPMSTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												150 v		900 mV @ 1 a		50 µa @ 150 v	-50 ° C ~ 125 ° C	1A	110pf @ 4V, 1MHz
MBRL10100CT-BP	0.4470	RFQ	4887	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBRL10100	Schottky		TO-220AB	다운로드				353-MBRL10100CT-BP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	100 v	10A			100 @ 100 v	-50 ° C ~ 150 ° C
BZT52B11HE3-TP	0.0488	RFQ	7396	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52B11		410 MW	SOD-123	다운로드				353-BZT52B11HE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1															900 mV @ 10 ma		100 na @ 8.5 v				11 v	20 옴
BAV74-TP	0.1800	RFQ	666	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	bav74	기준		SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도											1 음극 음극 공통	50 v	200ma	1 v @ 100 ma	4 ns	100 na @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C
SM4004PLHE3-TP	0.0853	RFQ	3184	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	SOD-123F	SM4004	기준		SOD-123FL	다운로드				353-SM4004PLHE3-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												400 v		1.1 v @ 1 a	3 µs	1 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
ER3GBFL-TP	0.0625	RFQ	4837	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-221AA, SMB 플랫 리드	er3g	기준		SMBF	다운로드				353-ER3GBFL-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												400 v		1.3 v @ 3 a	35 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	35pf @ 4V, 1MHz
2N7002KWHE3-TP	0.3400	RFQ	2	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	2N7002	MOSFET (금속 (()		SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	60 v	340ma	4.5V, 10V	2.5ohm @ 300ma, 10V	2V @ 1mA	± 20V	40 pf @ 10 v	-	200MW
SMB2EZ47D5HE3-TP	0.1501	RFQ	3968	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMB2EZ10		2 w	DO-214AA (SMB)	다운로드				353-SMB2EZ47D5HE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1															1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 35.8 v				47 v	40
MD100A12D1-BP	23.7560	RFQ	4618	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			섀시 섀시	기준 기준	MD100	기준		D1	다운로드				353-MD100A12D1-BP	귀 99	8541.10.0080	1	짐											1 양극 양극 공통	1200 v	100A	1.4 V @ 300 a		5 ma @ 1200 v	-40 ° C ~ 150 ° C
BZT52C4V7S-TPS01	0.0592	RFQ	6723	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZT52C4V7		200 MW	SOD-323	다운로드				353-BZT52C4V7S-TPS01	귀 99	8541.10.0050	1															900 mV @ 10 ma		3 µa @ 2 v				4.7 v	80 옴
1N5356C-TP	-	RFQ	6276	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	1N5356		5 w	DO-15	-				353-1N5356C-TP	귀 99	8541.10.0050	1															1.2 v @ 1 a		500 NA @ 14.4 v				19 v	3 옴
SK32AFL-TP	0.0822	RFQ	7044	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	do-221ac, sma 플랫 리드	SK32	Schottky		do-221ac (SMA-FL)	다운로드				353-SK32AFL-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												20 v		500 mV @ 3 a		500 µa @ 20 v	-50 ° C ~ 125 ° C	3A	180pf @ 4V, 1MHz
SM5393PL-TP	0.0426	RFQ	8398	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	SOD-123F	sm5393	기준		SOD-123FL	다운로드				353-SM5393PL-TP	귀 99	8541.10.0080	1	짐												200 v		1.1 v @ 1.5 a	4 µs	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	11pf @ 4V, 1MHz
MURS3060F-BP	0.8014	RFQ	1727	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2 격리 -2 탭	MURS3060	기준		ITO-220AC	다운로드				353-MURS3060F-BP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												600 v		2 V @ 30 a	45 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 175 ° C	30A	200pf @ 4V, 1MHz
SB230L-TP	0.0853	RFQ	8675	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	SB230	Schottky		DO-15	다운로드				353-SB230L-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												30 v		450 mV @ 2 a		100 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C	2A	180pf @ 4V, 1MHz
15SQ045-TP	0.6323	RFQ	7828	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	R-6, 축,	15SQ045	Schottky		R-6	다운로드				353-15SQ045-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												45 v		480 mV @ 15 a		100 µa @ 45 v	-55 ° C ~ 200 ° C	15a	-
MBR20150CT-BP	0.5637	RFQ	7985	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBR20150	Schottky		TO-220AB	다운로드				353-MBR20150CT-BP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	150 v	20A			25 µa @ 150 v	175 ° C
1N5398-BP	0.0691	RFQ	7292	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	새로운 새로운 아닙니다			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	1N5398	기준		DO-15	다운로드				353-1n5398-bp	귀 99	8541.10.0080	1	짐												800 v		1.1 v @ 1.5 a		5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	20pf @ 4V, 1MHz
SK345A-LTP	0.1016	RFQ	6700	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	SK345	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드				353-SK345A-LTP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												45 v		500 mV @ 3 a		100 µa @ 45 v	-50 ° C ~ 125 ° C	3A	250pf @ 4V, 1MHz
BAS28-TP	0.0964	RFQ	4061	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	TO-253-4, TO-253AA	BAS28	기준		SOT-143	다운로드				353-BAS28-TP	귀 99	8541.10.0070	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											2 독립	85 v	215MA	1 V @ 50 ma	4 ns	1 µa @ 75 v	-55 ° C ~ 150 ° C

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (10101)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²