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불연속 불연속 제품 (10101)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
BZT52B18JSHE3-TP Micro Commercial Co BZT52B18JSHE3-TP 0.3600
RFQ
 ECAD 6531 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZT52B18 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 12.6 v 18 v 45 옴
MMBZ5235C-TP Micro Commercial Co MMBZ5235C-TP 0.0488
RFQ
 ECAD 3240 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 ± 2.06% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5235 350 MW SOT-23 다운로드 353-MMBZ5235C-TP 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 100 ma 3 µa @ 5 v 6.8 v 5 옴
3SMBJ5954B-TP Micro Commercial Co 3SMBJ5954B-TP 0.1437
RFQ
 ECAD 1916 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 3SMBJ5954 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 353-3SMBJ5954B-TPTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 121.6 v 160 v 700 옴
BZT52B3V9LS-TP Micro Commercial Co BZT52B3V9LS-TP 0.0355
RFQ
 ECAD 9739 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 ± 2.05% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZT52B3 200 MW SOD-323FL 다운로드 353-BZT52B3V9LS-TP 귀 99 8541.10.0050 1 5 µa @ 1 v 3.9 v 100 옴
MMSZ5246BHE3-TP Micro Commercial Co MMSZ5246BHE3-TP 0.3200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 MMSZ5246 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 12 v 16 v 17 옴
1N4942-TP Micro Commercial Co 1N4942-TP -
RFQ
 ECAD 4523 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4942 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
SIC0860PL8-TP Micro Commercial Co SIC0860PL8-TP 4.6400
RFQ
 ECAD 1056 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 4-powervsfn SIC0860 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky DFN8080A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 353-SIC0860PL8-TPTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.6 v @ 8 a 0 ns 36 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 8a 346pf @ 0V, 1MHz
MMXZ5239B-TP Micro Commercial Co MMXZ5239B-TP 0.2700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 MMXZ5239 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 100 ma 3 µa @ 7 v 9.1 v 10 옴
MMBZ5229B-TP Micro Commercial Co MMBZ5229B-TP 0.0306
RFQ
 ECAD 2837 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5229 350 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 100 ma 5 µa @ 1 v 4.3 v 22 옴
SMBJ5931B-TP Micro Commercial Co SMBJ5931B-TP 0.0890
RFQ
 ECAD 1990 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB SMBJ5931 1.5 w DO-214AA (SMB) 다운로드 353-SMBJ5931B-TP 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 13.7 v 18 v 12 옴
SMAJ5933B-TP Micro Commercial Co SMAJ5933B-TP 0.3900
RFQ
 ECAD 69 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SMAJ5933 1.5 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.5 v @ 200 ma 500 NA @ 16.7 v 22 v 17.5 옴
SMB2EZ11D5-TP Micro Commercial Co SMB2EZ11D5-TP -
RFQ
 ECAD 7035 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB smb2ez11 2 w DO-214AA (SMB) - Rohs3 준수 353-SMB2EZ11D5-TPTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 8.4 v 11 v 4 옴
SK3200B-LTP Micro Commercial Co SK3200B-LTP 0.7000
RFQ
 ECAD 58 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB SK3200 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 860 MV @ 3 a 500 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZX84B6V8HE3-TP Micro Commercial Co BZX84B6V8HE3-TP 0.2700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84B6 350 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 353-BZX84B6V8HE3-TPTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 4 v 6.8 v 15 옴
HER202G-TP Micro Commercial Co HER202G-TP 0.0618
RFQ
 ECAD 7095 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 HER202 기준 DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 2 a 50 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 50pf @ 4V, 1MHz
AZ23C11-TP Micro Commercial Co AZ23C11-TP 0.0426
RFQ
 ECAD 4963 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 ± 5.45% - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C11 300MW SOT-23 다운로드 353-AZ23C11-TP 귀 99 8541.10.0050 1 1 양극 양극 공통 100 na @ 8.5 v 11 v 20 옴
ES1C-TP Micro Commercial Co ES1C-TP -
RFQ
 ECAD 3237 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA ES1C 기준 DO-214AC (HSMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 50 ns 5 µa @ 150 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A 45pf @ 4V, 1MHz
1N5944BP-TP Micro Commercial Co 1N5944bp-tp 0.0963
RFQ
 ECAD 9590 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5944 1.5 w DO-41 다운로드 353-1n5944bp-tp 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 47.1 v 62 v 100 옴
MCAC90N06Y-TP Micro Commercial Co MCAC90N06Y-TP -
RFQ
 ECAD 6629 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MCAC90N06 MOSFET (금속 (() DFN5060 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 353-MCAC90N06Y-TPTR 5,000 n 채널 60 v 90A 6V, 10V 3.2MOHM @ 20A, 10V 4V @ 250µA 80 nc @ 10 v ± 20V 4692 pf @ 30 v - 35W
3SMBJ5945B-TP Micro Commercial Co 3SMBJ5945B-TP 0.1437
RFQ
 ECAD 1888 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 3SMBJ5945 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 353-3SMBJ5945B-TPTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 51.7 v 68 v 120 옴
S2BHE3-LTP Micro Commercial Co S2BHE3-LTP 0.0783
RFQ
 ECAD 1138 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 마지막으로 마지막으로 표면 표면 DO-214AA, SMB S2B 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 353-S2BHE3-LTP 귀 99 8541.10.0080 1 짐 100 v 1.15 V @ 2 a 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 2A 20pf @ 4V, 1MHz
3SMAJ5952B-TP Micro Commercial Co 3SMAJ5952B-TP 0.4000
RFQ
 ECAD 193 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA 3SMAJ5952 3 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 98.8 v 130 v 450 옴
SMAJ5922B-TP Micro Commercial Co SMAJ5922B-TP 0.3700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SMAJ5922 1.5 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.5 v @ 200 ma 2.5 µa @ 6 v 7.5 v 3 옴
FR3BB-TP Micro Commercial Co FR3BB-TP 0.1020
RFQ
 ECAD 2731 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB FR3B 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 353-FR3BB-TP 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.3 v @ 3 a 150 ns 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 80pf @ 4V, 1MHz
MMSZ4703-TP Micro Commercial Co MMSZ4703-TP 0.1200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 MMSZ4703 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MMSZ4703-TPMSTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 11.4 v 16 v
1N4758A-TP Micro Commercial Co 1N4758A-TP -
RFQ
 ECAD 5598 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4758 1 W. DO-41G 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 42.6 v 56 v 110 옴
1N5363B-TP Micro Commercial Co 1N5363B-TP 0.4100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 1N5363 5 w DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 22.8 v 30 v 8 옴
RL102-BP Micro Commercial Co RL102-BP 0.0397
RFQ
 ECAD 2665 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 축 RL102 기준 A-405 다운로드 353-RL102-BP 귀 99 8541.10.0080 1 짐 100 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
8550SS-C-AP Micro Commercial Co 8550SS-C-AP -
RFQ
 ECAD 5783 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 8050 년대 1 W. To-92 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 353-8550SS-C-APTB 귀 99 8541.29.0075 2,000 25 v 1.5 a 100NA PNP 500mv @ 80ma, 800ma 120 @ 100MA, 1V 100MHz
1N5952B3P-AP Micro Commercial Co 1N5952B3P-AP 0.1094
RFQ
 ECAD 5121 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5952 3 w DO-41 다운로드 353-1N5952B3P-AP 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 98.8 v 130 v 450 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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