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불연속 불연속 제품 (10101)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
SMBJ5944B-TP Micro Commercial Co SMBJ5944B-TP 0.0890
RFQ
 ECAD 2544 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB SMBJ5944 1.5 w DO-214AA (SMB) 다운로드 353-SMBJ5944B-TP 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 47.1 v 62 v 100 옴
SMAJ4761AHE3-TP Micro Commercial Co SMAJ4761EA3-TP 0.1150
RFQ
 ECAD 8921 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA SMAJ4761 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 353-SMAJ4761EA3-TP 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 100 ma 5 µa @ 56 v 75 v 175 옴
SMBJ5386B-TP Micro Commercial Co SMBJ5386B-TP 0.4500
RFQ
 ECAD 169 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMBJ5386 5 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 137 v 180 v 430 옴
BZT52B7V5T-TP Micro Commercial Co BZT52B7V5T-TP 0.0371
RFQ
 ECAD 9433 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZT52B7 200 MW SOD-523 다운로드 353-BZT52B7V5T-TP 귀 99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 5 v 7.5 v 15 옴
3SMBJ5941B-TP Micro Commercial Co 3SMBJ5941B-TP 0.4400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB 3SMBJ5941 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 35.8 v 47 v 67 옴
MBRD20100-TP Micro Commercial Co MBRD20100-TP 0.4800
RFQ
 ECAD 5321 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 마지막으로 마지막으로 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MBRD20100 Schottky D-PAK 다운로드 353-MBRD20100-TP 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 760 mV @ 20 a 50 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 20A -
DTC144EUA-TP Micro Commercial Co DTC144EUA-TP 0.2400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTC144 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms 47 Kohms
UF4002GP-AP Micro Commercial Co UF4002GP-AP 0.0408
RFQ
 ECAD 1277 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 UF4002 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
MSJP11N80A-BP Micro Commercial Co MSJP11N80A-BP 3.6700
RFQ
 ECAD 3456 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB (H) - Rohs3 준수 1 (무제한) 353-MSJP11N80A-BP 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 800 v 11A (TC) 10V 470mohm @ 7.1a, 10V 4.5V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 20V 918 pf @ 400 v - 250W (TJ)
GS1AHE3-LTP Micro Commercial Co GS1AHE3-LTP 0.0577
RFQ
 ECAD 1524 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA GS1A 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 353-GS1E3-LTP 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1 V @ 1 a 2 µs 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
PXT8550-D-TP Micro Commercial Co PXT8550-D-TP 0.1155
RFQ
 ECAD 4164 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 - 표면 표면 TO-243AA PXT8550 500MW SOT-89 다운로드 353-PXT8550-D-TP 귀 99 8541.21.0075 1 25 v 1.5 a 100NA PNP 500mv @ 80ma, 800ma 85 @ 100MA, 1V 100MHz
SK33B-TP Micro Commercial Co SK33B-TP -
RFQ
 ECAD 5039 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB SK33 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 500 mV @ 3 a 500 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
PN2222-H-AP Micro Commercial Co PN2222-H-AP -
RFQ
 ECAD 7058 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 PN2222 625 MW To-92 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1,000 30 v 600 MA 100NA NPN 1V @ 50MA, 500MA 200 @ 1ma, 10V 300MHz
TIP101-BP Micro Commercial Co TIP101-BP -
RFQ
 ECAD 7713 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 팁 101 80 W. TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 tip101bp 귀 99 8541.29.0095 5,000 80 v 8 a 50µA npn-달링턴 2.5V @ 80MA, 8A 1000 @ 3A, 4V -
S9015-C-AP Micro Commercial Co S9015-C-AP -
RFQ
 ECAD 2887 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 S9015 450 MW To-92 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 353-S9015-C-APTB 귀 99 8541.21.0075 2,000 45 v 100 MA 50NA (ICBO) PNP 300mv @ 10ma, 100ma 200 @ 1ma, 5V 150MHz
TIP30C-BP Micro Commercial Co tip30c-bp -
RFQ
 ECAD 2736 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 팁 30 30 w TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 353-TIP30C-BP 귀 99 8541.29.0095 5,000 100 v 1 a 300µA PNP 700mv @ 125ma, 1a 40 @ 200ma, 4v 3MHz
S9012-H-AP Micro Commercial Co S9012-H-AP -
RFQ
 ECAD 8456 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 S9012 625 MW To-92 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 353-S9012-H-APTB 귀 99 8541.21.0075 2,000 25 v 500 MA 200na PNP 600mv @ 50ma, 500ma 144 @ 1ma, 4v 150MHz
2SC4548-E-TP Micro Commercial Co 2SC4548-E-TP -
RFQ
 ECAD 1318 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SC4548 500MW SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 1,000 400 v 200 MA 100NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 50ma 100 @ 50MA, 10V 70MHz
MCQ4435-TP Micro Commercial Co MCQ4435-TP 0.8600
RFQ
 ECAD 89 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MCQ4435 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 30 v 9.1A (TJ) 10V 24mohm @ 9.1a, 10V 3V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 1350 pf @ 15 v - 1.4W (TJ)
MUR8120F-BP Micro Commercial Co MUR8120F-BP 0.5003
RFQ
 ECAD 3550 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 격리 -2 탭 MUR8120 기준 ITO-220AC 다운로드 영향을받지 영향을받지 353-MUR8120F-BP 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 2.3 v @ 8 a 65 ns 10 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
S2B Micro Commercial Co S2B -
RFQ
 ECAD 7694 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AA, SMB S2B 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 100 v 1.15 V @ 2 a 2 µs 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
3GBJ3516-BP Micro Commercial Co 3GBJ3516-BP 5.7000
RFQ
 ECAD 428 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 5-SIP, TSB-5 3GBJ3516 기준 TSB-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3GBJ3516-BPMS 귀 99 8541.10.0080 960 1.1 v @ 17.5 a 10 µa @ 1600 v 35 a 3 단계 1.6kV
DL4733A-TP Micro Commercial Co DL4733A-TP -
RFQ
 ECAD 5171 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF DL4733 1 W. 멜프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 5.1 v 7 옴
BZT52B8V2JS-TP Micro Commercial Co BZT52B8V2JS-TP 0.0592
RFQ
 ECAD 2179 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1.95% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZT52B8 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 700 na @ 5 v 8.2 v 15 옴
SL34BFL-TP Micro Commercial Co SL34BFL-TP 0.2089
RFQ
 ECAD 2266 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 표면 표면 DO-221AA, SMB 플랫 리드 SL34 Schottky SMBF 다운로드 353-SL34BFL-TP 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 450 mV @ 3 a 200 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 250pf @ 4V, 1MHz
UMH11N-TP Micro Commercial Co UMH11N-TP 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMH11 150MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 50ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 250MHz 10kohms 10kohms
2KBP06-BP Micro Commercial Co 2KBP06-BP -
RFQ
 ECAD 7602 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBPL 2KBP06 기준 KBPL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 1.2 v @ 2 a 10 µa @ 600 v 2 a 단일 단일 600 v
1N5275B-TP Micro Commercial Co 1N5275B-TP -
RFQ
 ECAD 4494 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5275 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 106 v 140 v 1300 옴
1N5945B3P-TP Micro Commercial Co 1N5945B3P-TP 0.1102
RFQ
 ECAD 5328 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5945 3 w DO-41 다운로드 353-1N5945B3P-TP 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 51.7 v 68 v 120 옴
1N4007-TP-HF Micro Commercial Co 1N4007-TP-HF 0.0330
RFQ
 ECAD 5810 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4007 기준 DO-41 다운로드 353-1N4007-TP-HF 귀 99 8541.10.0080 1 짐 1000 v 1 V @ 1 a 2 µs 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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