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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
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2SB861-B-BP | - | ![]() | 6490 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 2SB861 | 1.8 w | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 150 v | 2 a | 1µA (ICBO) | PNP | 3V @ 50MA, 500MA | 60 @ 50MA, 4V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | SK5200LHE3-TP | 0.5600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | SK5200 | Schottky | SMC (DO-214AB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 900 mV @ 5 a | 10 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 5a | 100pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | US1A-TP | 0.3500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | US1A | 기준 | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 10 µa @ 50 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | HER102G-AP | 0.0406 | ![]() | 9046 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | HER102 | 기준 | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | 20pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | FR157-TP | - | ![]() | 7286 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | FR157 | 기준 | DO-15 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1000 v | 1.3 V @ 1.5 a | 500 ns | 5 µa @ 1000 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5A | 20pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SICB20120Y-TP | 9.4800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SICB20120 | SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 353-SICB20120Y-TPTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) | 1200 v | 1.55 V @ 20 a | 0 ns | 25 µa @ 1200 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 20A | 1552pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC124ECA-TP | 0.0667 | ![]() | 6010 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DTC124 | 200 MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | npn-사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 56 @ 5MA, 5V | 250MHz | 22 KOHMS | 22 KOHMS | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC857BHE3-TP | 0.2000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC857 | 310 MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 100 MA | 15NA | PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 220 @ 2MA, 5V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DL4729A-TP | - | ![]() | 2642 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | DL4729 | 1 W. | 멜프 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 100 µa @ 1 v | 3.6 v | 10 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | BAS70TW-TP-HF | - | ![]() | 2358 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BAS70 | Schottky | SOT-363 | 다운로드 | 353-BAS70TW-TP-HF | 귀 99 | 8541.10.0070 | 1 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 3 독립 | 70 v | 70ma | 1 V @ 15 ma | 5 ns | 100 na @ 50 v | -55 ° C ~ 125 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C16W-TP | 0.0426 | ![]() | 1366 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BZX84C16 | 200 MW | SOT-323 | 다운로드 | 353-BZX84C16W-TP | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 100 ma | 100 na @ 11.2 v | 16 v | 40 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMB3EZ130D5-TP | - | ![]() | 1734 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SMB3EZ130 | 3 w | DO-214AA (SMB) | - | Rohs3 준수 | 353-SMB3EZ130D5-TPTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.5 v @ 200 ma | 500 NA @ 98.8 v | 130 v | 375 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMAJ5921B-TP | 0.3900 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | SMAJ5921 | 1.5 w | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.5 v @ 200 ma | 2.5 µa @ 5.2 v | 6.8 v | 2.5 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고