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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
SK5200LHE3-TP	0.5600	RFQ	2	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	SK5200	Schottky		SMC (DO-214AB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		900 mV @ 5 a		10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	100pf @ 4V, 1MHz
MMXZ5242C-TP	0.0488	RFQ	4410	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	MMXZ5242		200 MW	SOD-323	다운로드				353-MMXZ5242C-TP	귀 99	8541.10.0050	1					900 mv @ 100 ma		1 µa @ 9.1 v									12 v	30 옴
2SB857-D-BP	-	RFQ	7383	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	2SB857		2 w	TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	1,000											50 v	4 a			1µA (ICBO)			PNP	1V @ 2MA, 200MA	160 @ 1a, 4v	15MHz
BAV23A-TP	0.1300	RFQ	1	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAV23	기준		SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	bav23a-tpmstr	귀 99	8541.10.0070	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 양극 양극 공통	200 v	225MA (DC)	1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 250 v	-65 ° C ~ 150 ° C
MBR0560-TP	0.2700	RFQ	1	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123	MBR0560	Schottky		SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		700 mV @ 500 mA		200 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	500ma	30pf @ 4V, 1MHz
BZV55C16-TP	-	RFQ	3980	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 6%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	BZV55C16		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500					1.5 v @ 200 ma		100 na @ 12 v									16 v	40
DL5253B-TP	-	RFQ	9034	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	DL5253		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500					1.1 v @ 200 ma		100 na @ 19 v									25 v	35 옴
2SB861-B-BP	-	RFQ	6490	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	2SB861		1.8 w	TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	1,000											150 v	2 a			1µA (ICBO)			PNP	3V @ 50MA, 500MA	60 @ 50MA, 4V	-
1N4752AW-TP	-	RFQ	4836	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	1N4752		1 W.	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	3,000					1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 25.1 v									33 v	45 옴
MBR1080F-BP	0.3750	RFQ	1889	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2 격리 -2 탭	MBR108	Schottky		ITO-220AC	다운로드				353-MBR1080F-BP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		80 v		850 mv @ 10 a		500 µa @ 80 v	-50 ° C ~ 150 ° C	10A	-
MMBZ5250C-TP	0.0488	RFQ	6231	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5250		350 MW	SOT-23	다운로드				353-MMBZ5250C-TP	귀 99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 100 ma		100 na @ 15 v									20 v	25 옴
SMBJ5921B-TP	0.1326	RFQ	1560	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5921		1.5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드				353-SMBJ5921B-TP	귀 99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 200 ma		5 µa @ 5.2 v									6.8 v	2.5 옴
PXT8550-C-TP	0.1155	RFQ	9470	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-	표면 표면	TO-243AA	PXT8550		500MW	SOT-89	다운로드				353-PXT8550-C-TP	귀 99	8541.21.0075	1											25 v	1.5 a			100NA			PNP	500mv @ 80ma, 800ma	85 @ 100MA, 1V	100MHz
SMBJ5383B-TP	0.4500	RFQ	1	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5383		5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 1 a		500 NA @ 114 v									150 v	330 옴
2SD874-Q-TP	-	RFQ	3757	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-243AA	2SD874		500MW	SOT-89	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.21.0075	1,000											25 v	1 a			100NA (ICBO)			NPN	400mv @ 50ma, 500ma	85 @ 500ma, 10V	200MHz
SMBJ5361BHE3-TP	0.2360	RFQ	2291	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5361		5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드				353-SMBJ5361BHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 1 a		500 NA @ 20.6 v									27 v	5 옴
FR157-TP	-	RFQ	7286	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	FR157	기준		DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	4,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.3 V @ 1.5 a	500 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	20pf @ 4V, 1MHz
KTA2014-GR-TP	-	RFQ	6115	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	KTA2014		100MW	SOT-323	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.21.0095	3,000											50 v	150 MA			100NA (ICBO)			PNP	300mv @ 10ma, 100ma	200 @ 2ma, 6v	80MHz
BC547A-AP	-	RFQ	2088	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드	BC547		625 MW	To-92	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	BC547A-APMSTB	귀 99	8541.21.0075	2,000											45 v	100 MA			-			NPN	300mv @ 5ma, 100ma	110 @ 2MA, 5V	300MHz
S3MHE3-TP	0.1156	RFQ	2888	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	S3M	기준		SMC (DO-214AB)	다운로드				353-S3MHE3-TP	귀 99	8541.10.0080	1	짐		1000 v		1.2 v @ 3 a		10 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
MBR1020-BP	0.3300	RFQ	8095	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2	MBR1020	Schottky		TO-220AC	다운로드				353-MBR1020-BP	귀 99	8541.10.0080	1	짐		20 v				100 µa @ 20 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	400pf @ 4V, 1MHz
HER102G-AP	0.0406	RFQ	9046	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	HER102	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		1 V @ 1 a	50 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	20pf @ 4V, 1MHz
UF5408GP-AP	0.1187	RFQ	9132	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	UF5408	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,200	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.7 V @ 3 a	75 ns	10 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	50pf @ 4V, 1MHz
MJD122-TP	0.8500	RFQ	4765	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	MJD122		1.5 w	D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500											100 v	8 a			10NA			npn-달링턴	4V @ 80MA, 8A	1000 @ 4a, 4v	-
S2JBFL-TP	0.0449	RFQ	4621	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-221AA, SMB 플랫 리드	S2J	기준		SMBF	다운로드				353-S2JBFL-TP	귀 99	8541.10.0080	1	짐		600 v		1.1 v @ 2 a		5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	12pf @ 4V, 1MHz
US1A-TP	0.3500	RFQ	3	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	US1A	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		1 V @ 1 a	50 ns	10 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
FS1DFL-TP	0.0511	RFQ	1649	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	do-221ac, sma 플랫 리드	FS1D	기준		do-221ac (SMA-FL)	다운로드				353-FS1DFL-TP	귀 99	8541.10.0080	1	짐		200 v		1.1 v @ 2 a		5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
MMBT945-H-TP	0.0426	RFQ	4486	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBT945		200 MW	SOT-23	다운로드				353-MMBT945-H-TP	귀 99	8541.21.0075	1											50 v	150 MA			100NA			NPN	300mv @ 10ma, 100ma	130 @ 1ma, 6V	150MHz
MB16M-BP	-	RFQ	3721	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-DIP (0.200 ", 5.08mm)	MB16	Schottky		MB-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000					700 mv @ 1 a		500 NA @ 60 v		1 a				단일 단일	60 v
MT5016A-BP	10.6000	RFQ	650	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	QC 터미널	4- 스퀘어, MT-35A	MT5016	기준		MT-35A	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	MT5016A-BPMS	귀 99	8541.10.0080	500					1.2 v @ 12 a				50 a				3 단계	1.6kV

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (10101)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²