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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
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![]() | UF5402GP-BP | 0.1534 | ![]() | 9630 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | Do-201ad, 1 방향 | UF5402 | 기준 | Do-201ad | 다운로드 | 353-UF5402GP-BP | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 950 MV @ 3 a | 50 ns | 10 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 75pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1H4G-TP | - | ![]() | 6298 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | R-1, 방향 축 | 1H4G | 기준 | R-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.3 v @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 400 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 20pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C43S-TP | 0.0488 | ![]() | 9049 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | BZT52C43 | 200 MW | SOD-323 | 다운로드 | 353-BZT52C43S-TP | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 32 v | 43 v | 100 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMA2EZ56D5-TP | - | ![]() | 4819 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | SMA2EZ56 | 2 w | DO-214AC (SMA) | - | Rohs3 준수 | 353-SMA2EZ56D5-TPTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.5 v @ 200 ma | 500 NA @ 42.6 v | 56 v | 55 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX584B3V3-TP | 0.0381 | ![]() | 6145 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2.12% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-79, SOD-523 | BZX584 | 150 MW | SOD-523 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 900 mV @ 10 ma | 5 µa @ 1 v | 3.3 v | 95 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MD36C16D1-BP | 23.8500 | ![]() | 100 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시 섀시 | D1 | MD36 | 기준 | D1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 짐 | 1 연결 연결 시리즈 | 1600 v | 36a | 1.4 V @ 100 a | 5 ma @ 1600 v | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||
SF56-AP | - | ![]() | 4864 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | Do-201ad, 1 방향 | SF56 | 기준 | Do-201ad | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,200 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.25 V @ 5 a | 35 ns | 5 µa @ 400 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 5a | 45pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSS84-TP | 0.2500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BSS84 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 50 v | 130MA (TJ) | 5V, 10V | 8ohm @ 100ma, 10V | 2V @ 250µA | ± 20V | 30 pf @ 25 v | - | 225MW | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MUR110-TP | - | ![]() | 4945 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | MUR110 | 기준 | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 975 MV @ 1 a | 45 ns | 5 µa @ 100 v | -50 ° C ~ 150 ° C | 1A | 20pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCPF18N20A-BP | - | ![]() | 5802 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | MCPF18 | - | 353-MCPF18N20A-BP | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA114YUA-TP | 0.0315 | ![]() | 1253 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | DTA114 | 200 MW | SOT-323 | 다운로드 | 353-DTA114YUA-TP | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 100 MA | 500NA (ICBO) | pnp- 사전- | 300mv @ 1ma, 10ma | 68 @ 1ma, 5V | 250MHz | 10 KOHMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||
FR507GP-AP | - | ![]() | 8131 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | Do-201ad, 1 방향 | FR507 | 기준 | Do-201ad | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,200 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1000 v | 1.35 V @ 5 a | 500 ns | 10 µa @ 1000 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 5a | 65pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS16WT-TP | 0.0337 | ![]() | 6480 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BAS16 | 기준 | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | BAS16WTTPMSTR | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 75 v | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 1 µa @ 75 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 150ma | 2pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBU8K-BP | 0.7700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBU | GBU8 | 기준 | GBU | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 4 a | 5 µa @ 800 v | 8 a | 단일 단일 | 800 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA143EKA-TP | - | ![]() | 4978 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DTA143 | 200 MW | SOT-23-3L | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | pnp- 사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 30 @ 10ma, 5V | 250MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMD15HE-TP | - | ![]() | 2100 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | SOD-123H | SMD15 | Schottky | SOD-123HE | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 700 mv @ 2 a | 500 µa @ 50 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT1815-H-TP | 0.0488 | ![]() | 1725 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT1815 | 200 MW | SOT-23 | 다운로드 | 353-MMBT1815-H-TP | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 150 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 250mv @ 10ma, 100ma | 130 @ 2MA, 6V | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3SMAJ5936B-TP | 0.4000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | 3SMAJ5936 | 3 w | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.5 v @ 200 ma | 1 µa @ 22.8 v | 30 v | 28 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55C16-TP | - | ![]() | 3980 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 6% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | BZV55C16 | 500MW | 미니 미니 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 v @ 200 ma | 100 na @ 12 v | 16 v | 40 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52B4V7HE3-TP | 0.2700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | BZT52B4 | 410 MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 5 µa @ 2 v | 4.7 v | 78 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
2SB857-D-BP | - | ![]() | 7383 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 2SB857 | 2 w | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 50 v | 4 a | 1µA (ICBO) | PNP | 1V @ 2MA, 200MA | 160 @ 1a, 4v | 15MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DL5253B-TP | - | ![]() | 9034 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | DL5253 | 500MW | 미니 미니 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.1 v @ 200 ma | 100 na @ 19 v | 25 v | 35 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5250C-TP | 0.0488 | ![]() | 6231 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5250 | 350 MW | SOT-23 | 다운로드 | 353-MMBZ5250C-TP | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 100 ma | 100 na @ 15 v | 20 v | 25 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5393-AP | - | ![]() | 3191 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | 1N5393 | 기준 | DO-15 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 짐 | 200 v | 1.1 v @ 1.5 a | 5 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5A | 20pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV23A-TP | 0.1300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAV23 | 기준 | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | bav23a-tpmstr | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 양극 양극 공통 | 200 v | 225MA (DC) | 1.25 V @ 200 ma | 50 ns | 100 na @ 250 v | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RL105GP-AP | - | ![]() | 5119 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | 축 | RL105 | 기준 | A-405 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 짐 | 600 v | 1.1 v @ 1 a | 5 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMXZ5242C-TP | 0.0488 | ![]() | 4410 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | MMXZ5242 | 200 MW | SOD-323 | 다운로드 | 353-MMXZ5242C-TP | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 100 ma | 1 µa @ 9.1 v | 12 v | 30 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SB861-B-BP | - | ![]() | 6490 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 2SB861 | 1.8 w | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 150 v | 2 a | 1µA (ICBO) | PNP | 3V @ 50MA, 500MA | 60 @ 50MA, 4V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR0560-TP | 0.2700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-123 | MBR0560 | Schottky | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 700 mV @ 500 mA | 200 µa @ 60 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 500ma | 30pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5225B-TP | 0.1800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ5225 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 50 µa @ 1 v | 3 v | 29 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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