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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
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![]() | 2SC4672-R-TP | - | ![]() | 4358 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | 2SC4672 | 500MW | SOT-89 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 50 v | 2 a | 100NA (ICBO) | NPN | 350MV @ 50MA, 1A | 180 @ 500ma, 2V | 210MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
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SF55-TP | - | ![]() | 8479 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | Do-201ad, 1 방향 | SF55 | 기준 | Do-201ad | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,200 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 300 v | 1.25 V @ 5 a | 35 ns | 5 µa @ 300 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 5a | 45pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | HER102S-AP | - | ![]() | 6992 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | 축 | HER102 | 기준 | A-405 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 ma @ 100 v | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | 20pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ER2G-LTP | 0.4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | er2g | 기준 | DO-214AA (SMB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.25 V @ 2 a | 35 ns | 5 µa @ 400 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 2A | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | SMAJ4757A-TP | 0.4200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | SMAJ4757 | 1 W. | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 100 ma | 5 µa @ 51 v | 51 v | 95 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | 1N5347C-TP | - | ![]() | 1070 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | 1N5347 | 5 w | DO-15 | - | 353-1n5347c-tp | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 1 a | 5 µa @ 7.6 v | 10 v | 2 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | MCAC30N06Y-TP | 0.7900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MCAC30 | MOSFET (금속 (() | DFN5060 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 353-mcac30n06y-tptr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 60 v | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 250µA | 48 NC @ 10 v | ± 20V | 1552 pf @ 30 v | - | 30W |
일일 평균 RFQ 볼륨
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