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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) |
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![]() | US1MFL-TP | 0.3300 | ![]() | 96 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | do-221ac, sma 플랫 리드 | US1M | 기준 | do-221ac (SMA-FL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1000 v | 1.7 V @ 1 a | 75 ns | 10 µa @ 1000 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 17pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | BAS16TW-TP | 0.3300 | ![]() | 5469 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BAS16 | 기준 | SOT-363 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 3 독립 | 75 v | 150MA (DC) | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 1 µa @ 75 v | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | SK34A-TP | - | ![]() | 4357 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | SK34 | Schottky | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 500 mV @ 3 a | 500 µa @ 40 v | -50 ° C ~ 125 ° C | 3A | 250pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MIW40N65RA-BP | 4.9700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MIW40 | 기준 | 306 W. | to-247ab | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 353-MIW40N65RA-BP | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,800 | 400V, 40A, 10ohm, 15V | 트렌치 트렌치 정지 | 650 v | 80 a | 160 a | 2.4V @ 15V, 40A | 1.5mj (on), 590µJ (OFF) | 160 NC | 12ns/124ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | MMBD4148-TP-HF | - | ![]() | 8683 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBD4148 | 기준 | SOT-23 | 다운로드 | 353-MMBD4148-TP-HF | 귀 99 | 8541.10.0070 | 1 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 75 v | 855 mV @ 10 ma | 4 ns | 25 na @ 20 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 150ma | 2pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | HER108S-AP | - | ![]() | 2584 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | 축 | HER108 | 기준 | A-405 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1000 v | 1.7 V @ 1 a | 75 ns | 5 ma @ 1000 v | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MCP07N65-BP | - | ![]() | 1967 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MCP07N65 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | MCP07N65-BPMS | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 650 v | 7A (TJ) | 10V | 1.4ohm @ 3.5a, 10V | 4.5V @ 250µA | 26 NC @ 10 v | ± 30V | 1600 pf @ 25 v | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | D882-R-TP | - | ![]() | 5024 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | D882 | 1.25 w | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 353-D882-R-TPTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 30 v | 3 a | 10µA | NPN | 500mv @ 200ma, 2a | 60 @ 1a, 2v | 90MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AZ23C2V4HE3-TP | 0.0721 | ![]() | 5934 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | ± 5.83% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C2V4 | 300MW | SOT-23 | 다운로드 | 353-AZ23C2V4HE3-TP | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 양극 양극 공통 | 50 µa @ 1 v | 2.4 v | 100 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF34G-TP | 0.1261 | ![]() | 9335 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | Do-201ad, 1 방향 | SF34 | 기준 | Do-201ad | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,200 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 950 MV @ 3 a | 35 ns | 5 µa @ 200 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 50pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | SK105-TP | - | ![]() | 8526 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | SK | 대부분 | 쓸모없는 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | SK105 | Schottky | DO-214AB (HSMC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 353-SK105-TP | 쓸모없는 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 650 mV @ 10 a | 1 ma @ 50 v | -55 ° C ~ 125 ° C | 10A | 500pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK3018-TP | 0.4300 | ![]() | 71 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | 2SK3018 | MOSFET (금속 (() | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2SK3018-TPMSTR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 100MA (TA) | 2.5V | 8ohm @ 10ma, 4v | 1.5V @ 100µa | ± 20V | 13 pf @ 5 v | - | 200MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF22G-BP | 0.0873 | ![]() | 3241 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | SF22 | 기준 | DO-15 | 다운로드 | 353-SF22G-BP | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 950 MV @ 2 a | 35 ns | 5 µa @ 100 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 2A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR30200PT-BP | 2.0700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 튜브 | 마지막으로 마지막으로 | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MBR30200 | Schottky | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 353-MBR30200PT-BP | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 200 v | 30A | 900 mV @ 15 a | 10 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TIP110-BP | - | ![]() | 9833 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | TIP110 | 50 W. | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 60 v | 2 a | 2MA | npn-달링턴 | 2.5V @ 8MA, 2A | 1000 @ 1a, 4v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3SMAJ5923B-TP | 0.4000 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | 3SMAJ5923 | 3 w | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.5 v @ 200 ma | 5 µa @ 6.5 v | 8.2 v | 3.5 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC143TM-TP | 0.0649 | ![]() | 7713 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | SOT-723 | DTC143 | 100MW | SOT-723 | 다운로드 | 353-DTC143TM-TP | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 100 MA | 500NA (ICBO) | npn-사전- | 300MV @ 250µA, 5MA | 100 @ 1ma, 5V | 250MHz | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA44-BP | - | ![]() | 2391 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | MPSA44 | 625 MW | To-92 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 353-MPSA44-BP | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 400 v | 300 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 750mv @ 5ma, 50ma | 50 @ 10ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMAJ4745AHE3-TP | 0.1150 | ![]() | 9092 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | SMAJ4745 | 1 W. | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | 353-SMAJ4745AHE3-TP | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 100 ma | 5 µa @ 12.2 v | 16 v | 16 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
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