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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | vce (on) (max) @ vge, ic | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | SK54BHE3-LTP | 0.5100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SK54 | Schottky | DO-214AA (SMB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 353-SK54BHE3-LTPCT | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 550 mV @ 5 a | 100 µa @ 40 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 5a | 200pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | murb1020ct-tp | - | ![]() | 5906 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | murb1020 | D2PAK | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 353-MUBR1020CT-TPTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | MCU95N06KY-TP | 1.5700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MCU95 | MOSFET (금속 (() | DPAK (TO-252) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 95A | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | 72.84 NC @ 10 v | ± 20V | 4159 pf @ 30 v | - | 160W | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MIP25R12E1TN-BP | 92.5600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | MIP25 | 166 w | 3 정류기 정류기 브리지 | E1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 353-MIP25R12E1TN-BP | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 3 단계 인버터 | - | 1200 v | 25 a | 2.25V @ 15V, 25A | 1 MA | 예 | 1.45 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCP80P06Y-BP | 2.3900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MCP80 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB (H) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 353-MCP80P06Y-BP | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | p 채널 | 60 v | 80A (TC) | 6V, 10V | 8.4mohm @ 20a, 10V | 3.5V @ 250µA | 88 NC @ 10 v | ± 18V | 5810 pf @ 30 v | - | 89W | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCACL110N08Y-TP | 3.0400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MCACL110 | MOSFET (금속 (() | DFN5060 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 80 v | 110A (TC) | 6V, 10V | 3.9mohm @ 55a, 10V | 4V @ 250µA | 68 NC @ 10 v | ± 20V | 5290 pf @ 40 v | - | 125W | |||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | MMSZ5261BHE3-TP | 0.3200 | ![]() | 9618 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ5261 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 353-MMSZ5261BHE3-TPTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 36 v | 47 v | 105 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBJ1506L-BP | 1.6300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | GBJ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBJ | GBJ1506 | 기준 | GBJ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 920 MV @ 7.5 a | 5 µa @ 600 v | 15 a | 단일 단일 | 600 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AZ23B4V7HE3-TP | 0.4400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1.91% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23B4V7 | 300MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 353-AZ23B4V7HE3-TPTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 양극 양극 공통 | 3 µa @ 2 v | 4.7 v | 80 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | DZ23C8V2HE3-TP | 0.3300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DZ23C8V2 | 300MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 353-DZ23C8V2HE3-TPTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 음극 음극 공통 | 100 na @ 6 v | 8.2 v | 7 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Baw56wthe3-tp | 0.2900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | baw56 | 기준 | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 1 양극 양극 공통 | 75 v | 150MA (DC) | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 2.5 µa @ 75 v | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C5V1SHE3-TP | 0.3000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | BZT52C5V1 | 300MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 2 µa @ 2 v | 5.1 v | 60 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMS9014HE3-H-TP | 0.2700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMS9014 | 200 MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 353-MMS9014HE3-H-TPTR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 45 v | 100 MA | 100NA | NPN | 300mv @ 5ma, 100ma | 450 @ 1ma, 5V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52B8V2JSHE3-TP | 0.3500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | BZT52B8 | 200 MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 353-BZT52B8V2JSHE3-TPTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 700 na @ 5 v | 8.2 v | 15 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C30HE3-TP | 0.2400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 6.67% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | BZT52C30 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 353-BZT52C30HE3-TPTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 21 v | 30 v | 80 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고