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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 전류에 전류에 된 결합 결합 - 리버스 누출 @ vr | 전압에 전압에 - 결합 (vf) (max) @ if |
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HER306-AP | - | ![]() | 2312 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | Do-201ad, 1 방향 | HER306 | 기준 | Do-201ad | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,200 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.7 V @ 3 a | 75 ns | 10 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 50pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GS1G-TP | - | ![]() | 6508 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | GS1G | 기준 | DO-214AC (HSMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 짐 | 400 v | 1.1 v @ 1 a | 10 µa @ 400 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MUR105GP-AP | 0.0736 | ![]() | 7984 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | mur105 | 기준 | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 970 MV @ 1 a | 45 ns | 5 µa @ 50 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SR5010H-TP | 0.1706 | ![]() | 8620 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | Do-201ad, 1 방향 | SR5010 | Schottky | Do-201ad | 다운로드 | 353-SR5010H-TP | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 800 mV @ 5 a | 20 µa @ 100 v | -50 ° C ~ 175 ° C | 5a | 200pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC2383-y-BP | - | ![]() | 8896 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 | 2SC2383 | 900 MW | TO-92 모드 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 353-2SC2383-Y-BP | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 160 v | 1 a | 10µA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 160 @ 200ma, 5V | 20MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV99DW-TP | 0.4000 | ![]() | 37 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | bav99 | 기준 | SOT-363 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 2 연결 연결 시리즈 | 75 v | 150ma | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 2.5 µa @ 75 v | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N7002T-TP | 0.3900 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOT-523 | 2N7002 | MOSFET (금속 (() | SOT-523 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 115MA (TJ) | 5V, 10V | 13.5ohm @ 500ma, 10V | 2V @ 250µA | ± 20V | 50 pf @ 25 v | - | 150MW | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC3303-Y-TP | - | ![]() | 1939 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | 2SC3303 | 1 W. | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 80 v | 5 a | 1µA (ICBO) | NPN | 400mv @ 150ma, 3a | 70 @ 1a, 1v | 20MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C10W-TP | 0.0426 | ![]() | 2249 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BZX84C10 | 200 MW | SOT-323 | 다운로드 | 353-BZX84C10W-TP | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 100 ma | 200 na @ 7 v | 10 v | 20 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S9015-C-BP | - | ![]() | 3871 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | S9015 | 450 MW | To-92 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 353-S9015-C-BP | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 45 v | 100 MA | 50NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 10ma, 100ma | 200 @ 1ma, 5V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF52G-BP | 0.1555 | ![]() | 3393 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | Do-201ad, 1 방향 | SF52 | 기준 | Do-201ad | 다운로드 | 353-SF52G-BP | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 950 MV @ 5 a | 35 ns | 5 µa @ 100 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 5a | 50pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4006-TP | 0.2200 | ![]() | 73 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4006 | 기준 | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 짐 | 800 v | 1.1 v @ 1 a | 2 µs | 5 µa @ 800 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | smd36pl-tp | 0.0865 | ![]() | 5160 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-123F | smd36 | Schottky | SOD-123FL | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 650 MV @ 3 a | 100 µa @ 60 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS2A-LTP | 0.0616 | ![]() | 4659 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | FS2A | 기준 | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 150 ns | 5 µa @ 50 v | -50 ° C ~ 150 ° C | 2A | 50pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C3V3HE3-TP | 0.2400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 6.06% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | BZT52C3V3 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 353-BZT52C3V3HE3-TPTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 5 µa @ 1 v | 3.3 v | 95 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4682-TP | - | ![]() | 4303 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N4682 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 100 ma | 1 µa @ 1 v | 2.7 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C15W-TP | 0.0592 | ![]() | 5233 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 6% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BZX84C15 | 200 MW | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 100 ma | 100 na @ 10.5 v | 15 v | 30 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCG10P03-TP | - | ![]() | 5709 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | MCG10 | MOSFET (금속 (() | DFN3030 | - | 353-MCG10P03-TP | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | p 채널 | 30 v | 10A (TC) | 2.5V, 4.5V | 26mohm @ 10a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 27 NC @ 4.5 v | ± 12V | 1550 pf @ 15 v | - | 20W | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5259C-TP | 0.0218 | ![]() | 1676 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ5259 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | 353-MMSZ5259C-TP | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 30 v | 39 v | 80 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RL252GP-TP | 0.0986 | ![]() | 5472 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | R-3, 축, | RL252 | 기준 | R-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 짐 | 100 v | 1.1 v @ 2.5 a | 5 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 2.5A | 40pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ES1K-TP | - | ![]() | 6448 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | ES1K | 기준 | DO-214AC (HSMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1.7 | 5 | -50 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | 800 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMA5C5V6-TP | - | ![]() | 3221 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 7.14% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | SMA5C5V6 | 3 w | DO-214AC (SMA) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 2 v | 5.6 v | 7 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB715W-TP | 0.3200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOT-523 | RB715 | Schottky | SOT-523 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 1 음극 음극 공통 | 40 v | 30MA (DC) | 370 mV @ 1 ma | 1 µa @ 10 v | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4756A-TP | - | ![]() | 7936 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4756 | 1 W. | DO-41G | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 35.8 v | 47 v | 80 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4754AP-TP | 0.0806 | ![]() | 3918 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4754 | 1 W. | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 353-1n4754ap-tptr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 29.7 v | 39 v | 60 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UF5401GP-TP | 0.2472 | ![]() | 2761 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | Do-201ad, 1 방향 | UF5401 | 기준 | Do-201ad | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,200 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 950 MV @ 3 a | 50 ns | 10 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 75pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FRA801GF-BP | - | ![]() | 2544 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 격리 -2 탭 | FRA801 | 기준 | ITO-220AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 1.3 V @ 8 a | 150 ns | 5 µa @ 50 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMA5C5V1-TP | - | ![]() | 5335 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5.88% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | SMA5C5V1 | 3 w | DO-214AC (SMA) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 1.5 v | 5.1 v | 10 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR545F-BP | 0.3000 | ![]() | 8730 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 격리 -2 탭 | MBR545 | Schottky | ITO-220AC | 다운로드 | 353-MBR545F-BP | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 45 v | 550 mV @ 5 a | 1 ma @ 45 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 5a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5933B-TP | - | ![]() | 8154 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N5933 | 1.5 w | DO-41G | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 353-1n5933B-tptr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 16.7 v | 22 v | 17.5 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
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