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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
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![]() | SI3400EHE3-TP | 0.1020 | ![]() | 9070 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI3400 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | 353-SI3400AHE3-TP | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 30 v | 5.8A | 2.5V, 10V | 27mohm @ 5.8a, 10V | 1.2V @ 250µA | ± 12V | 1155 pf @ 15 v | - | 1.3W | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK14-TP | - | ![]() | 7751 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SK14 | Schottky | DO-214AA, HSMB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 600 mV @ 1 a | 500 µa @ 40 v | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | SRA352-TP | - | ![]() | 7065 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | SRA | SRA352 | 기준 | SRA | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 짐 | 100 v | 1 V @ 35 a | 10 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 35a | 100pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | SMD14HE-TP | - | ![]() | 8466 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | SOD-123H | SMD14 | Schottky | SOD-123HE | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 500 mV @ 2 a | 500 µa @ 40 v | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ5383BHE3-TP | 0.2360 | ![]() | 8531 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SMBJ5383 | 5 w | DO-214AA (SMB) | 다운로드 | 353-SMBJ5383BHE3-TP | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 1 a | 500 NA @ 114 v | 150 v | 330 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | R5000-AP | - | ![]() | 2655 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | R5000 | 기준 | DO-15 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 5000 v | 5 v @ 200 ma | 5 µa @ 5000 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 200ma | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR720-BP | 0.3300 | ![]() | 5920 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | MBR720 | Schottky | TO-220AC | 다운로드 | 353-MBR720-BP | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 20 v | 100 µa @ 20 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 7.5A | 400pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | GS2M-LTP | 0.2800 | ![]() | 21 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | GS2M | 기준 | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 짐 | 1000 v | 1.1 v @ 2 a | 5 µa @ 1000 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 20pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UMH2N-TP | 0.4000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | UMH2 | 150MW | SOT-363 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100ma | 500NA | 2 npn--바이어스 (듀얼) | 300MV @ 500µA, 10MA | 68 @ 5MA, 5V | 250MHz | 47kohms | 47kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | DTC123JM-TP | 0.3300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOT-723 | DTC123 | 100MW | SOT-723 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | npn-사전- | 300MV @ 250µA, 5MA | 80 @ 10ma, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
SF65G-AP | 0.1461 | ![]() | 8233 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | Do-201ad, 1 방향 | SF65 | 기준 | Do-201ad | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,200 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 300 v | 1.3 V @ 6 a | 35 ns | 5 µa @ 300 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 6A | 90pf @ 4V, 1MHz |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
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