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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | MF200K04F4-BP | - | ![]() | 7342 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 섀시 섀시 | f4 모듈 | MF200K04 | 기준 | F4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 12 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 양극 양극 공통 | 400 v | 100A | 1.35 V @ 100 a | 95 ns | 500 µa @ 400 v | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | BC337-25-BP | - | ![]() | 2102 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | BC337-25 | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | BC337 | 625 MW | To-92 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 353-BC337-25-BP | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 v | 800 MA | 200na | NPN | 700mv @ 50ma, 500ma | 160 @ 300ma, 1V | 210MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | FRA805G-BP | - | ![]() | 5370 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | FRA805 | 기준 | TO-220AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.3 V @ 8 a | 250 ns | 5 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
SF58G-AP | 0.1185 | ![]() | 7503 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | Do-201ad, 1 방향 | SF58 | 기준 | Do-201ad | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,200 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.75 V @ 5 a | 35 ns | 5 µa @ 600 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 5a | 30pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3SMAJ5932BHE3-TP | 0.1405 | ![]() | 6482 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | 3SMAJ5932 | 3 w | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | 353-3SMAJ5932BHE3-TP | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 200 ma | 1 µa @ 15.2 v | 20 v | 14 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3SMBJ5931B-TP | 0.4500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | 3SMBJ5931 | 3 w | DO-214AA (SMB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.5 v @ 200 ma | 1 µa @ 13.7 v | 18 v | 12 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UM6K1NA-TP | 0.3600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | um6x1 | MOSFET (금속 (() | 300MW | SOT-363 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 500ma | 750mohm @ 300ma, 10V | 1.5V @ 250µA | 1.28NC @ 10V | 28pf @ 15V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4115S-S-AP | - | ![]() | 4983 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 짧은 몸 (형성 된 리드 리드) | 2SC4115 | 300MW | 92S | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 20 v | 3 a | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 100ma, 2a | 270 @ 100MA, 2V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R2500-TP | - | ![]() | 2534 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | R2500 | 기준 | DO-15 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0070 | 4,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 2500 v | 3 v @ 500 ma | 5 µa @ 2500 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 200ma | 30pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR1545CT-BP | 0.3067 | ![]() | 7030 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MBR1545 | Schottky | TO-220AB | 다운로드 | 353-MBR1545CT-BP | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 45 v | 15a | 100 µa @ 45 v | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52B3V0T-TP | 0.0371 | ![]() | 3364 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-79, SOD-523 | BZT52B3 | 200 MW | SOD-523 | 다운로드 | 353-BZT52B3V0T-TP | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 ma | 10 µa @ 1 v | 3 v | 95 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | MPS750-AP | - | ![]() | 9142 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | MPS750 | 625 MW | To-92 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 40 v | 2 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 200ma, 2a | 75 @ 1a, 2v | 75MHz |
일일 평균 RFQ 볼륨
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