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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
MBRD1030CT-TP	0.2613	RFQ	1351	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	마지막으로 마지막으로			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	MBRD1030	Schottky		D-PAK	다운로드				353-MBRD1030CT-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	30 v	10A			500 µa @ 30 v	-65 ° C ~ 150 ° C
FR107GP-TP	0.0418	RFQ	1917	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	FR107	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.3 v @ 1 a	500 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
MBRB2545CT-TP	0.7049	RFQ	8506	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB2545	Schottky		D2PAK	다운로드				353-MBRB2545CT-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	45 v	30A	750 mV @ 15 a		200 µa @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C
SMA3EZ19D5-TP	-	RFQ	5861	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMA3EZ19		3 w	DO-214AC (SMA)	-	Rohs3 준수			353-SMA3EZ19D5-TPTR	귀 99	8541.10.0050	7,500					1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 14.4 v							19 v	7 옴
1N5408GP-AP	0.1174	RFQ	2660	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	1N5408	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,200	짐		1000 v		1.1 v @ 3 a		5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	40pf @ 4V, 1MHz
BZV55C20-TP	-	RFQ	5566	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 6%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	BZV55C20		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500					1.5 v @ 200 ma		100 na @ 15 v							20 v	55 옴
1N5931B3P-TP	0.1102	RFQ	9444	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5931		3 w	DO-41	다운로드				353-1N5931B3P-TP	귀 99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 13.7 v							18 v	12 옴
SMA1EZ200D5HE3-TP	0.1245	RFQ	6552	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	-	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMA1EZ200		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드				353-SMA1EZ200D5HE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		100 na @ 152 v							200 v	1900 옴
RL202GP-BP	0.0950	RFQ	3405	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	RL202	기준		DO-15	다운로드				353-RL202GP-BP	귀 99	8541.10.0080	1	짐		100 v		1 V @ 2 a		5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	20pf @ 4V, 1MHz
1N5227B-TP	-	RFQ	1326	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5227		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000					1.1 v @ 200 ma		15 µa @ 1 v							3.6 v	24 옴
2SC5658-S-TP	-	RFQ	5996	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-723	2SC5658		100MW	SOT-723	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		353-2SC5658-S-TPTR			8,000											50 v	150 MA	100NA (ICBO)				400mv @ 5ma, 50ma	270 @ 1ma, 6V	180MHz
BAS19WT-TP	0.0426	RFQ	2461	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-70, SOT-323	BAS19	기준		SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		100 v		1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	200ma	5pf @ 0V, 1MHz
BZT52B33-TP	0.0341	RFQ	9277	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52B33		410 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 25 v							33 v	80 옴
MBRB1030-TP	0.4324	RFQ	1522	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	마지막으로 마지막으로			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB1030	Schottky		D2PAK	다운로드				353-MBRB1030-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v		600 mV @ 10 a		500 µa @ 30 v	-65 ° C ~ 150 ° C	10A	-
MBR2035CT-BP	0.3750	RFQ	7490	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	마지막으로 마지막으로			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBR2035	Schottky		TO-220AB	다운로드				353-MBR2035CT-BP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	35 v	20A			100 µa @ 35 v	-55 ° C ~ 150 ° C
MBRB10200-TP	0.5934	RFQ	3404	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB10200	Schottky		D2PAK	다운로드				353-MBRB10200-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		950 MV @ 10 a		500 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 150 ° C	10A	-
2SC2236-y-BP	-	RFQ	9187	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 긴 몸	2SC2236		900 MW	TO-92 모드	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		353-2SC2236-Y-BP	귀 99	8541.21.0075	1,000											30 v	1.5 a	100NA (ICBO)			NPN	2V @ 30MA, 1.5A	160 @ 500ma, 2V	120MHz
BAS21WT-TP	0.2000	RFQ	1	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-70, SOT-323	BAS21	기준		SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		200 v		1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	200ma	5pf @ 0V, 1MHz
SMBJ5386B-TP	0.4500	RFQ	169	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5386		5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 1 a		500 NA @ 137 v							180 v	430 옴
MBRB1050-TP	0.4340	RFQ	4387	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	마지막으로 마지막으로			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB1050	Schottky		D2PAK	다운로드				353-MBRB1050-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		800 mV @ 10 a		500 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 150 ° C	10A	-
MUR415GP-BP	0.2581	RFQ	3522	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	MUR415	기준		Do-201ad	다운로드				353-MUR415GP-BP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		1 V @ 4 a	45 ns	10 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C	4a	80pf @ 4V, 1MHz
BZT52C12LP-TP	-	RFQ	1092	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5.42%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-882	BZT52C12		100MW	SOD-882	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	10,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 8 v							12 v	25 옴
1N4738A-TP	-	RFQ	9442	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4738		1 W.	DO-41G	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 6 v							8.2 v	4.5 옴
FR603GP-AP	-	RFQ	6786	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	R-6, 축,	FR603	기준		R-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	450	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1.3 V @ 6 a	150 ns	10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	6A	150pf @ 4V, 1MHz
SICF1060P-BP	5.0000	RFQ	5	마이크로 마이크로 공동	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2 격리 -2 탭	SICF1060	SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky		ITO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-SICF1060P-BP	귀 99	8541.10.0080	1,000	복구 복구 복구 없음> 500ma (io)		650 v		1.6 V @ 10 a	0 ns	44 µa @ 650 v	-55 ° C ~ 175 ° C	10A	452pf @ 0V, 1MHz
US2AFL-TP	0.0626	RFQ	2474	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	do-221ac, sma 플랫 리드	US2A	기준		do-221ac (SMA-FL)	다운로드				353-US2AFL-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		1 V @ 1 a	50 ns	5 µa @ 50 v	-50 ° C ~ 150 ° C	2A	28pf @ 4V, 1MHz
MBR3080FCT-BP	0.5700	RFQ	8241	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3 3 된 탭	MBR3080	Schottky		ITO-220AB	다운로드				353-MBR3080FCT-BP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	80 v	30A			500 µa @ 80 v	-65 ° C ~ 150 ° C
ER3GBHE3-TP	0.1914	RFQ	2615	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	er3g	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드				353-er3gbhe3-tp	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 v @ 3 a	35 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	50pf @ 4V, 1MHz
MD36C12D1-BP	16.7970	RFQ	2976	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			섀시 섀시	기준 기준	MD36	기준		D1	다운로드				353-MD36C12D1-BP	귀 99	8541.10.0080	1	짐	1 연결 연결 시리즈	1200 v	36a	1.4 V @ 100 a		5 ma @ 1200 v	-40 ° C ~ 150 ° C
MBR20U45-TP	0.9800	RFQ	4	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	MBR20	Schottky		TO-277	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	4,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		45 v		500 mV @ 20 a		500 µa @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C	20A	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (10101)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²