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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) |
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![]() | MCT08P06-TP | - | ![]() | 8919 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MCT08 | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | - | 353-MCT08P06-TP | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | p 채널 | 60 v | 8a | 6V, 10V | 42mohm @ 8a, 10V | 4V @ 250µA | 19.3 NC @ 10 v | ± 20V | 1050 pf @ 30 v | - | 2W | |||||||||||||||||||||||||||
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![]() | MMS8550A-L-TP | 0.0315 | ![]() | 2551 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMS8050 | 300MW | SOT-23 | 다운로드 | 353-MMS8550A-L-TP | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | 25 v | 500 MA | 100NA | PNP | 600mv @ 50ma, 500ma | 120 @ 50MA, 1V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | mur1060-bp | 0.4121 | ![]() | 8189 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | mur1060 | 기준 | TO-220AC | 다운로드 | 353-MUR1060-BP | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.5 V @ 10 a | 50 ns | 5 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | 160pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCG50N04-TP | 0.9600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-vdfn d 패드 | MCG50N04 | MOSFET (금속 (() | DFN3333 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 353-MCG50N04-TPTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 40 v | 50a | 4.5V, 10V | 4MOHM @ 20A, 10V | 2.5V @ 250µA | 102 NC @ 20 v | ± 20V | 4645 pf @ 20 v | - | 75W | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ6.2D5-TP | 0.1314 | ![]() | 3062 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 2EZ6.2 | 2 w | DO-41 | 다운로드 | 353-2EZ6.2D5-TP | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 3 v | 6.2 v | 1.5 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDTC113ZCA-TP | 0.0663 | ![]() | 6249 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DDTC113 | 250 MW | SOT-23 | 다운로드 | 353-DDTC113ZCA-TP | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 500 MA | 500NA | npn-사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 70 @ 50MA, 5V | 250MHz | 1 KOHMS |
일일 평균 RFQ 볼륨
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