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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
DZ23C15-TP Micro Commercial Co DZ23C15-TP 0.2700
RFQ
ECAD 3422 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23C15 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DZ23C15-TPMSTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 음극 음극 공통 100 na @ 11 v 15 v 30 옴
BCP53-16-TP Micro Commercial Co BCP53-16-TP 0.5000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP53 1.5 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 80 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 100MHz
BC858BW-TP Micro Commercial Co BC858BW-TP 0.0355
RFQ
ECAD 6992 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC858 150 MW SOT-323 다운로드 353-BC858BW-TP 귀 99 8541.21.0075 1 30 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 100MHz
ES2M-TP Micro Commercial Co ES2M-TP -
RFQ
ECAD 4348 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA ES2M 기준 DO-214AC (HSMA) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.7 V @ 2 a 100 ns 5 µa @ 1000 v -50 ° C ~ 150 ° C 2A 25pf @ 4V, 1MHz
1N5264B-TP Micro Commercial Co 1N5264B-TP -
RFQ
ECAD 6060 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5264 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 46 v 60 v 170 옴
SMBJ5377C-TP Micro Commercial Co SMBJ5377C-TP -
RFQ
ECAD 6290 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB SMBJ5377 5 w DO-214AA (SMB) - 353-SMBJ5377C-TP 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 1 ma 500 NA @ 69.2 v 91 v 75 옴
B5819WS-TP-HF Micro Commercial Co B5819WS-TP-HF -
RFQ
ECAD 2851 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 B5819 Schottky SOD-323 다운로드 353-B5819WS-TP-HF 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 600 mV @ 1 a 40 V @ 40 v -65 ° C ~ 125 ° C 1A 48pf @ 4V, 1MHz
MBR10U200HE3-TP Micro Commercial Co MBR10U200HE3-TP 1.3900
RFQ
ECAD 7 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn MBR10 Schottky TO-277 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 353-MBR10U200HE3-TPTR 귀 99 8541.10.0080 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 10 a 100 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A 160pf @ 4V, 1MHz
1N5353C-TP Micro Commercial Co 1N5353C-TP -
RFQ
ECAD 9808 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 1N5353 5 w DO-15 - 353-1N5353C-TP 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 1 a 1 µa @ 12.2 v 16 v 2.5 옴
3SMBJ5950B-TP Micro Commercial Co 3SMBJ5950B-TP 0.1437
RFQ
ECAD 6844 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 3SMBJ5950 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 353-3SMBJ5950B-TPTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 83.6 v 110 v 300 옴
1N5930B3P-TP Micro Commercial Co 1N5930B3P-TP 0.1102
RFQ
ECAD 8330 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5930 3 w DO-41 다운로드 353-1N5930B3P-TP 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 12.2 v 16 v 10 옴
BAS16-TP Micro Commercial Co BAS16-TP 0.1000
RFQ
ECAD 134 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS16 기준 SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.25 V @ 100 ma 4 ns 1 µa @ 75 v -55 ° C ~ 150 ° C 300ma 2pf @ 0V, 1MHz
HER103S-TP Micro Commercial Co HER103S-TP -
RFQ
ECAD 8121 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 HER103 기준 A-405 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 ma @ 200 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
MURS2JBFL-TP Micro Commercial Co murs2jbfl-tp 0.1167
RFQ
ECAD 3048 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 표면 표면 DO-221AA, SMB 플랫 리드 murs2 기준 SMBF 다운로드 353-MURS2JBFL-TP 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.25 V @ 2 a 50 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 25pf @ 4V, 1MHz
BZX84C7V5W-TP Micro Commercial Co BZX84C7V5W-TP 0.0426
RFQ
ECAD 1532 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84C7V5 200 MW SOT-323 다운로드 353-BZX84C7V5W-TP 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 100 ma 1 µa @ 5 v 7.5 v 15 옴
MMS9013-H-TP Micro Commercial Co MMS9013-H-TP 0.0257
RFQ
ECAD 6472 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMS9013 300MW SOT-23 다운로드 353-MMS9013-H-TP 귀 99 8541.21.0075 1 25 v 500 MA 100NA NPN 600mv @ 50ma, 500ma 120 @ 50MA, 1V 150MHz
GBU2504-BP Micro Commercial Co GBU2504-BP 0.5552
RFQ
ECAD 6038 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU2504 기준 GBU 다운로드 353-GBU2504-BP 귀 99 8541.10.0080 1 1 V @ 12.5 a 10 µa @ 400 v 25 a 단일 단일 400 v
DFLZ39-TP Micro Commercial Co DFLZ39-TP 0.3300
RFQ
ECAD 137 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123F DFLZ39 1 W. SOD-123FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 30 v 39 v 40
UF1M-TP Micro Commercial Co UF1M-TP 0.3800
RFQ
ECAD 542 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB UF1M 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 100 ns 10 µa @ 1000 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A 17pf @ 4V, 1MHz
MMSZ4690-TP Micro Commercial Co MMSZ4690-TP 0.1200
RFQ
ECAD 22 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 MMSZ4690 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 950 mV @ 10 ma 10 µa @ 4 v 5.6 v
SK32A-LTP Micro Commercial Co SK32A-LTP 0.4500
RFQ
ECAD 65 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SK32 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 3 a 500 µa @ 20 v -50 ° C ~ 125 ° C 3A 250pf @ 4V, 1MHz
SIL3400A-TP Micro Commercial Co SIL3400A-TP 0.4100
RFQ
ECAD 6 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 SIL3400 MOSFET (금속 (() SOT-23-6L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 353-SIL3400A-TPTR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 5.8A 2.5V, 10V 32mohm @ 5.8a, 10V 1.4V @ 250µA 4.8 NC @ 4.5 v ± 12V 1155 pf @ 15 v - 2W
MUR110GP-BP Micro Commercial Co MUR110GP-BP 0.0941
RFQ
ECAD 7820 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 MUR110 기준 DO-41 다운로드 353-MUR110GP-BP 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 970 MV @ 1 a 45 ns 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
2N7002KDW-TP Micro Commercial Co 2N7002KDW-TP 0.4900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 2N7002 MOSFET (금속 (() 150MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 340ma 5ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 1mA - 40pf @ 10V -
2SA950-Y-AP Micro Commercial Co 2SA950-y-AP -
RFQ
ECAD 1321 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 2SA950 600MW To-92 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 353-2SA950-y-APTB 귀 99 8541.21.0075 2,000 30 v 800 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 20ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 120MHz
DFLZ18-TP Micro Commercial Co DFLZ18-TP 0.3300
RFQ
ECAD 86 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123F DFLZ18 1 W. SOD-123FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 13 v 18 v 15 옴
MMBD4448HTS-TP-HF Micro Commercial Co MMBD4448HTS-TP-HF -
RFQ
ECAD 7551 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 표면 표면 SOT-523 MMBD4448 기준 SOT-523 다운로드 353-MMBD4448HTS-TP-HF 귀 99 8541.10.0070 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 연결 연결 시리즈 80 v 250ma 1.25 V @ 150 mA 4 ns 100 na @ 70 v -65 ° C ~ 150 ° C
SF28G-BP Micro Commercial Co SF28G-BP 0.0873
RFQ
ECAD 7665 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 SF28 기준 DO-15 다운로드 353-SF28G-BP 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 2 a 35 ns 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 150 ° C 2A 30pf @ 4V, 1MHz
1N5368B-TP Micro Commercial Co 1N5368B-TP 0.4100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 1N5368 5 w DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 35.8 v 47 v 25 옴
SF41G-TP Micro Commercial Co SF41G-TP -
RFQ
ECAD 8760 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SF41 기준 Do-201ad - 353-SF41G-TPTR 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 950 MV @ 4 a 35 ns 5 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 4a 50pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고