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불연속 불연속 제품 (10101)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
SK24-LTP Micro Commercial Co SK24-LTP 0.3300
RFQ
 ECAD 9336 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB SK24 Schottky DO-214AA, HSMB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 2 a 2 ma @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 2A 50pf @ 4V, 1MHz
1F4-AP Micro Commercial Co 1F4-AP -
RFQ
 ECAD 3156 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 R-1, 방향 축 1f4 기준 R-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 12pf @ 4V, 1MHz
MUR840F-BP Micro Commercial Co MUR840F-BP 0.3750
RFQ
 ECAD 3863 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 격리 -2 탭 MUR840 기준 ITO-220AC 다운로드 353-MUR840F-BP 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 8 a 50 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
1N5364B-TP Micro Commercial Co 1N5364B-TP 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 1N5364 5 w DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 25.1 v 33 v 10 옴
PB610-BP Micro Commercial Co PB610-BP 1.6700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, PB-6 PB61 기준 PB-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,600 1.1 v @ 3 a 10 µa @ 1000 v 6 a 단일 단일 1kv
BZT52B10LS-TP Micro Commercial Co BZT52B10LS-TP 0.0355
RFQ
 ECAD 8822 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZT52B10 200 MW SOD-323FL 다운로드 353-BZT52B10LS-TP 귀 99 8541.10.0050 1 100 na @ 7.5 v 10 v 30 옴
BZT52B4V7HE3-TP Micro Commercial Co BZT52B4V7HE3-TP 0.2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52B4 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 2 v 4.7 v 78 옴
FS1KE-TP Micro Commercial Co FS1KE-TP -
RFQ
 ECAD 1009 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA FS1K 기준 smae - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 353-FS1KE-TPTR 귀 99 8541.10.0080 6,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 1 a 500 ns 5 µa @ 800 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
GS1AHE3-LTP Micro Commercial Co GS1AHE3-LTP 0.0577
RFQ
 ECAD 1524 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA GS1A 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 353-GS1E3-LTP 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1 V @ 1 a 2 µs 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
BZT52B33JS-TP Micro Commercial Co BZT52B33JS-TP 0.0592
RFQ
 ECAD 2767 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZT52B33 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 45 NA @ 23 v 33 v 75 옴
SMD320HE1-TP Micro Commercial Co SMD320HE1-TP 0.0705
RFQ
 ECAD 8869 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 표면 표면 SOD-123H SMD320 Schottky SOD-123HE1 다운로드 353-SMD320HE1-TP 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 850 mV @ 3 a 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
MMSZ5245BHE3-TP Micro Commercial Co MMSZ5245BHE3-TP 0.3200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 MMSZ5245 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 11 v 15 v 16 옴
SMA1EZ250D5-TP Micro Commercial Co SMA1EZ250D5-TP -
RFQ
 ECAD 9217 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA SMA1EZ250 1 W. DO-214AC (SMA) - Rohs3 준수 353-SMA1EZ250D5-TPTR 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 190 v 250 v 2000 년 옴
UF4002-AP Micro Commercial Co UF4002-AP -
RFQ
 ECAD 6729 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 UF4002 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
MBR20150FCT-BP Micro Commercial Co MBR20150FCT-BP 0.5700
RFQ
 ECAD 8457 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 된 탭 MBR20150 Schottky ITO-220AB 다운로드 353-MBR20150FCT-BP 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 20A 25 µa @ 150 v 150 ° C
MBRL1545-BP Micro Commercial Co MBRL1545-BP 0.4950
RFQ
 ECAD 6122 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 마지막으로 마지막으로 구멍을 구멍을 TO-220-2 MBRL1545 Schottky TO-220AC 다운로드 353-MBRL1545-BP 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 520 MV @ 15 a 150 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C 15a -
BZT52B30JSHE3-TP Micro Commercial Co BZT52B30JSHE3-TP 0.3500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZT52B30 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 353-BZT52B30JSHE3-TPCT 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 45 na @ 21 v 30 v 75 옴
ER3BB-TP Micro Commercial Co ER3BB-TP 0.0927
RFQ
 ECAD 6625 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB er3b 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 353-er3bb-tp 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 3 a 35 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
MSJW20N65A-BP Micro Commercial Co MSJW20N65A-BP 5.1600
RFQ
 ECAD 2529 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MSJW20 MOSFET (금속 (() TO-247-3 - 1 (무제한) 353-MSJW20N65A-BP 1 n 채널 650 v 20A (TC) 10V 180mohm @ 10a, 10V 5V @ 250µA 54 NC @ 10 v ± 30V 1740 pf @ 100 v - 250W (TJ)
AZ23C9V1-TP Micro Commercial Co AZ23C9V1-TP 0.0426
RFQ
 ECAD 5339 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C9V1 300MW SOT-23 다운로드 353-AZ23C9V1-TP 귀 99 8541.10.0050 1 1 양극 양극 공통 100 na @ 7 v 9.1 v 10 옴
BZX584C10HE3-TP Micro Commercial Co BZX584C10HE3-TP 0.0515
RFQ
 ECAD 6266 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ± 6% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX584 150 MW SOD-523 다운로드 353-BZX584C10HE3-TP 귀 99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 ma 200 na @ 7 v 20 v 20 옴
2SD667L-B-AP Micro Commercial Co 2SD667L-B-AP -
RFQ
 ECAD 6923 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 2SD667 900 MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1,000 80 v 1 a 10µA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 60 @ 150ma, 5V 140MHz
MBRL30P100-TP Micro Commercial Co MBRL30P100-TP 0.4347
RFQ
 ECAD 7534 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 표면 표면 8-powertdfn MBRL30 Schottky DFN5060 다운로드 353-MBRL30P100-TP 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mV @ 30 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 30A 1350pf @ 4V, 1MHz
FM4000GP-TP Micro Commercial Co FM4000GP-TP 0.2122
RFQ
 ECAD 1195 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA FM4000 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 353-FM4000GP-TP 귀 99 8541.10.0070 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 4000 v 5 v @ 500 ma 300 ns 5 µa @ 4000 v -55 ° C ~ 125 ° C 500ma -
FSM17PL-TP-HF Micro Commercial Co FSM17PL-TP-HF -
RFQ
 ECAD 4877 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 표면 표면 SOD-123F FSM17 기준 SOD-123FL 다운로드 353-FSM17PL-TP-HF 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 v @ 1 a 500 ns 5 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
SMBJ5944B-TP Micro Commercial Co SMBJ5944B-TP 0.0890
RFQ
 ECAD 2544 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB SMBJ5944 1.5 w DO-214AA (SMB) 다운로드 353-SMBJ5944B-TP 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 47.1 v 62 v 100 옴
SF58G-BP Micro Commercial Co SF58G-BP 0.1580
RFQ
 ECAD 1674 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SF58 기준 Do-201ad 다운로드 353-SF58G-BP 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.75 V @ 5 a 35 ns 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 150 ° C 5a 30pf @ 4V, 1MHz
MCQ4407A-TP Micro Commercial Co MCQ4407A-TP -
RFQ
 ECAD 2678 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MCQ4407 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 353-MCQ4407A-TPTR 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 30 v 12a 4.5V, 10V 15mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 20V 1750 pf @ 15 v - 3W
MMBZ5236BW-TP Micro Commercial Co MMBZ5236BW-TP 0.0363
RFQ
 ECAD 1594 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MMBZ5236 200 MW SOT-323 다운로드 353-MMBZ5236BW-TP 귀 99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 6 v 7.5 v 6 옴
GS2AFL-TP Micro Commercial Co GS2AFL-TP 0.0438
RFQ
 ECAD 7206 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 GS2A 기준 do-221ac (SMA-FL) 다운로드 353-GS2AFL-TP 귀 99 8541.10.0080 1 짐 50 v 1.1 v @ 2 a 4 µs 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 20pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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