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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
BZT52C4V3S-TP Micro Commercial Co BZT52C4V3S-TP 0.1900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 7% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZT52C4V3 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 1 v 4.3 v 90 옴
SMBJ5348B-TP Micro Commercial Co SMBJ5348B-TP 0.4800
RFQ
ECAD 7993 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMBJ5348 5 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 5 µa @ 8.4 v 11 v 2.5 옴
W01M-BP Micro Commercial Co W01M-BP -
RFQ
ECAD 6256 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4 원, WOM W01 기준 WOM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 1 V @ 1.5 a 10 µa @ 100 v 1.5 a 단일 단일 100 v
UF1Q-TP Micro Commercial Co UF1Q-TP 0.0884
RFQ
ECAD 6278 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB UF1Q 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 353-UF1Q-TP 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 1.9 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 45pf @ 4V, 1MHz
BZX84C15HE3-TP Micro Commercial Co BZX84C15HE3-TP 0.2700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C15 350 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 10.5 v 15 v 30 옴
SDB206L-TP Micro Commercial Co SDB206L-TP 0.1164
RFQ
ECAD 4332 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 SDB206 기준 SDBL-1 다운로드 353-SDB206L-TP 귀 99 8541.10.0080 1 1.1 v @ 2 a 5 µa @ 800 v 2 a 단일 단일 800 v
MIW40N120F-BP Micro Commercial Co MIW40N120F-BP 6.6654
RFQ
ECAD 6689 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MIW40 기준 277 w TO-247-3 다운로드 353-MIW40N120F-BP 귀 99 8541.29.0095 1 600V, 40A, 10ohm, 15V 367 ns 트렌치 트렌치 정지 1200 v 80 a 160 a 2.2V @ 15V, 40A 5.02mj (on), 2.72mj (OFF) 240 NC 160ns/237ns
DZW13500-04-BP Micro Commercial Co DZW13500-04-BP 215.0400
RFQ
ECAD 7341 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 DO-200AB, BPUK DZW13500 기준 - 다운로드 1 (무제한) 353-DZW13500-04-BP 귀 99 8541.10.0080 1 400 v 970 MV @ 5000 a 10 ma @ 400 v -40 ° C ~ 180 ° C 13500A -
BC857AT-TP Micro Commercial Co BC857AT-TP 0.0552
RFQ
ECAD 3038 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 BC857 150 MW SOT-523 다운로드 353-BC857AT-TP 귀 99 8541.21.0075 1 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 125 @ 2MA, 5V 100MHz
SR5010HL-TP Micro Commercial Co SR5010HL-TP 0.2162
RFQ
ECAD 8397 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SR5010 Schottky Do-201ad 다운로드 353-SR5010HL-TP 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 780 MV @ 5 a 20 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 5a 200pf @ 4V, 1MHz
MURSB1660CTA-TP Micro Commercial Co MURSB1660CTA-TP 1.2200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MURSB1660 기준 D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 16A 1.6 v @ 8 a 35 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
GBU6D-BP Micro Commercial Co GBU6D-BP 0.7700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU6 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 20 1 V @ 3 a 5 µa @ 200 v 6 a 단일 단일 200 v
SMB3EZ39D5-TP Micro Commercial Co SMB3EZ39D5-TP -
RFQ
ECAD 4390 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB SMB3EZ39 3 w DO-214AA (SMB) - Rohs3 준수 353-SMB3EZ39D5-TPTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.5 v @ 200 ma 500 NA @ 29.7 v 39 v 28 옴
3SMAJ5927BHE3-TP Micro Commercial Co 3SMAJ5927BHE3-TP 0.1405
RFQ
ECAD 1358 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 3SMAJ5927 3 w DO-214AC (SMA) 다운로드 353-3SMAJ5927BHE3-TP 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 9.1 v 12 v 6.5 옴
BZT52B12T-TP Micro Commercial Co BZT52B12T-TP 0.0374
RFQ
ECAD 1133 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZT52B12 200 MW SOD-523 다운로드 영향을받지 영향을받지 353-BZT52B12T-TP 귀 99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 12 v 25 옴
UF5407-AP Micro Commercial Co UF5407-AP -
RFQ
ECAD 1480 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 UF5407 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.7 V @ 3 a 75 ns 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 50pf @ 4V, 1MHz
2EZ9.1D5-TP Micro Commercial Co 2EZ9.1D5-TP 0.1102
RFQ
ECAD 7902 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ9.1 2 w DO-41 다운로드 353-2EZ9.1D5-TP 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 3 µa @ 7 v 9.1 v 2.5 옴
DFLZ100-TP Micro Commercial Co DFLZ100-TP 0.0926
RFQ
ECAD 8313 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F DFLZ100 1 W. SOD-123FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 76 v 100 v 350 옴
BZT52B4V3LS-TP Micro Commercial Co BZT52B4V3LS-TP 0.0355
RFQ
ECAD 4655 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 ± 2.09% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZT52B4 200 MW SOD-323FL 다운로드 353-BZT52B4V3LS-TP 귀 99 8541.10.0050 1 5 µa @ 1 v 4.3 v 100 옴
1N4695-TP Micro Commercial Co 1N4695-TP -
RFQ
ECAD 9783 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N4695 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 100 ma 1 µa @ 6.6 v 8.7 v
SB240L-TP Micro Commercial Co SB240L-TP 0.0853
RFQ
ECAD 5359 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 SB240 Schottky DO-15 다운로드 353-SB240L-TP 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 450 mV @ 2 a 100 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 2A 180pf @ 4V, 1MHz
1F6-AP Micro Commercial Co 1F6-AP -
RFQ
ECAD 2195 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 R-1, 방향 축 1f6 기준 R-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 1 a 500 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 12pf @ 4V, 1MHz
SR502-TP Micro Commercial Co SR502-TP 0.1372
RFQ
ECAD 3907 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SR502 Schottky Do-201ad 다운로드 353-SR502-TP 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 550 mV @ 5 a 1 ma @ 20 v -50 ° C ~ 150 ° C 5a 200pf @ 4V, 1MHz
BAS70HE3-TP Micro Commercial Co BAS70HE3-TP 0.1400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS70 Schottky SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 353-BAS70HE3-TPTR 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 70 v 1 V @ 15 ma 5 ns 200 na @ 70 v -55 ° C ~ 125 ° C 70ma 2pf @ 0V, 1MHz
MBRD20200CTH-TP Micro Commercial Co MBRD20200CTH-TP 0.4302
RFQ
ECAD 5728 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MBRD20200 Schottky D-PAK 다운로드 353-MBRD20200CTH-TP 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 20A 900 mV @ 10 a 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C
MSJPF11N80A-BP Micro Commercial Co MSJPF11N80A-BP 3.7800
RFQ
ECAD 3968 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F - Rohs3 준수 1 (무제한) 353-MSJPF11N80A-BP 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 800 v 11A (TC) 10V 470mohm @ 7.1a, 10V 4.5V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 20V 958 pf @ 400 v - 25W (TJ)
BZX784C3V9-TP Micro Commercial Co BZX784C3V9-TP -
RFQ
ECAD 1754 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5.13% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-723 BZX784C3V9 150 MW SOD-723 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 8,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 1 v 3.9 v 90 옴
US2MFL-TP Micro Commercial Co US2MFL-TP 0.0626
RFQ
ECAD 2978 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 US2M 기준 do-221ac (SMA-FL) 다운로드 353-US2MFL-TP 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 1000 v -50 ° C ~ 150 ° C 2A 28pf @ 4V, 1MHz
1N5950BP-TP Micro Commercial Co 1N5950bp-tp 0.0963
RFQ
ECAD 8664 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5950 1.5 w DO-41 다운로드 353-1n5950bp-tp 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 83.6 v 110 v 300 옴
DAN202U-TP Micro Commercial Co Dan202U-TP 0.0426
RFQ
ECAD 6188 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 Dan202 기준 SOT-323 다운로드 353-DAN202U-TP 귀 99 8541.10.0070 1 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 80 v 100ma 1.2 v @ 100 ma 4 ns 100 na @ 70 v -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고