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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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W01M-BP | - | ![]() | 6256 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4 원, WOM | W01 | 기준 | WOM | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1 V @ 1.5 a | 10 µa @ 100 v | 1.5 a | 단일 단일 | 100 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | SB240L-TP | 0.0853 | ![]() | 5359 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | SB240 | Schottky | DO-15 | 다운로드 | 353-SB240L-TP | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 450 mV @ 2 a | 100 µa @ 40 v | -55 ° C ~ 125 ° C | 2A | 180pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1F6-AP | - | ![]() | 2195 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | R-1, 방향 축 | 1f6 | 기준 | R-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 800 v | 1.3 v @ 1 a | 500 ns | 5 µa @ 800 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 12pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SR502-TP | 0.1372 | ![]() | 3907 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | Do-201ad, 1 방향 | SR502 | Schottky | Do-201ad | 다운로드 | 353-SR502-TP | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 20 v | 550 mV @ 5 a | 1 ma @ 20 v | -50 ° C ~ 150 ° C | 5a | 200pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS70HE3-TP | 0.1400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS70 | Schottky | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 353-BAS70HE3-TPTR | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 70 v | 1 V @ 15 ma | 5 ns | 200 na @ 70 v | -55 ° C ~ 125 ° C | 70ma | 2pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRD20200CTH-TP | 0.4302 | ![]() | 5728 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MBRD20200 | Schottky | D-PAK | 다운로드 | 353-MBRD20200CTH-TP | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 200 v | 20A | 900 mV @ 10 a | 10 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSJPF11N80A-BP | 3.7800 | ![]() | 3968 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 353-MSJPF11N80A-BP | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 800 v | 11A (TC) | 10V | 470mohm @ 7.1a, 10V | 4.5V @ 250µA | 24 nc @ 10 v | ± 20V | 958 pf @ 400 v | - | 25W (TJ) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX784C3V9-TP | - | ![]() | 1754 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5.13% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-723 | BZX784C3V9 | 150 MW | SOD-723 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 900 mV @ 10 ma | 3 µa @ 1 v | 3.9 v | 90 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | US2MFL-TP | 0.0626 | ![]() | 2978 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | do-221ac, sma 플랫 리드 | US2M | 기준 | do-221ac (SMA-FL) | 다운로드 | 353-US2MFL-TP | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1000 v | 1.7 V @ 1 a | 75 ns | 5 µa @ 1000 v | -50 ° C ~ 150 ° C | 2A | 28pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5950bp-tp | 0.0963 | ![]() | 8664 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N5950 | 1.5 w | DO-41 | 다운로드 | 353-1n5950bp-tp | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 200 ma | 1 µa @ 83.6 v | 110 v | 300 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dan202U-TP | 0.0426 | ![]() | 6188 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | Dan202 | 기준 | SOT-323 | 다운로드 | 353-DAN202U-TP | 귀 99 | 8541.10.0070 | 1 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 1 음극 음극 공통 | 80 v | 100ma | 1.2 v @ 100 ma | 4 ns | 100 na @ 70 v | -55 ° C ~ 150 ° C |
일일 평균 RFQ 볼륨
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